優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 集成式SiGe PIN光電二極管、跨導(dǎo)放大器(TIA)和限幅放大器(LA)
• 電源監(jiān)控輸出：1.0 A/W（O波段波長(zhǎng)）
• 50 μm直徑鍺光電二極管
• 輸入靈敏度
• P_OMA = ?16.5 dBm
• P_AVE = ?17.3 dBm (ER = 6 dB)
• PRBS31 (10.52 Gbps)，BER = 10^?12，λ = 1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm 和 1330 nm
• 抗反射涂層(ARC)優(yōu)化至1310 nm
• 3.3 V單電源
• 功耗：102 mW
• 差分輸出擺幅：460 mV p-p
• 片內(nèi)電源監(jiān)控器功能
• 芯片尺寸：0.835 mm × 0.675 mm

產(chǎn)品詳情

ADN3010-11是一款高速光接收機(jī)，采用與硅TIA和LA單片集成的專有大面積鍺光電二極管。集成光電二極管省去了二極管與TIA之間的焊線，從而保證性能并改善制造可靠性。 直徑為50 μm的光電監(jiān)測(cè)器與單模光纖(SMF)對(duì)準(zhǔn)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的光耦合設(shè)計(jì)。 對(duì)1310 nm ARC進(jìn)行優(yōu)化后，ADN3010-11支持10GBASE-LR和擴(kuò)展數(shù)據(jù)速率達(dá)11.3 Gbps的其它應(yīng)用。
雖然ADN3010-11的工作波長(zhǎng)范圍為850 nm至1565 nm，但在數(shù)據(jù)手冊(cè)中，其中心1310 nm處具有抗反射涂層(ARC)，表征數(shù)值僅為原波段（O波段）波長(zhǎng)（1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm和1330 nm）。
電源監(jiān)控引腳提供輸出電壓或電流，與檢測(cè)到的平均光電流成比例。
ADN3010-11采用3.3 V單電源供電，典型功耗為102 mW。 在飽和輸出下，典型差分幅度為460 mV p-p (10.52 Gbps)。
ADN3010-11提供裸片形式，工作溫度范圍為?40°C至+85°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。
應(yīng)用

• 光模塊接收機(jī)，數(shù)據(jù)速率最高達(dá)11.3 Gbps
• 短程10 Gb SONET、FC、以太網(wǎng)、CPRI、OBSAI和LTE光接收機(jī)
• 可用于ROSA、BOSA或MCM封裝

方框圖