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TLC27M2和TLC27M7雙運算放大器結合了多種輸入失調電壓等級,具有低失調電壓漂移,高輸入阻抗,低噪聲和接近速度這些器件采用德州儀器公司的硅柵LinCMOS技術,該技術提供的偏移電壓穩定性遠遠超過傳統金屬柵工藝的穩定性。
極高的輸入阻抗,低偏置電流和高壓擺率使這些具有成本效益的器件非常適用于以前專為通用雙極性產品預留的應用,但功耗僅為其一小部分。提供四種偏移電壓等級(C后綴和I后綴類型),范圍從低成本TLC27M2(10 mV)到高精度TLC27M7(500μV)。這些優勢與良好的共模抑制和電源電壓抑制相結合,使這些器件成為新的最先進設計以及升級現有設計的理想選擇。
一般情況下, LinCMOS運算放大器提供了與雙極技術相關的許多功能,而沒有雙極技術的功率損失。 TLC27M2和TLC27M7可輕松設計一般應用,如換能器接口,模擬計算,放大器模塊,有源濾波器和信號緩沖。這些器件還具有低電壓單電源供電,非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負軌。
提供多種封裝選項,包括用于高密度系統應用的小外形和芯片載體版本。
器件輸入和輸出設計用于承受100 mA浪涌電流而不會出現閂鎖現象。
TLC27M2和TLC27M7內置ESD保護電路,可防止電壓高達2000 V時出現功能故障按照MIL-STD-883C,方法3015.2測試;但是,在處理這些器件時應小心,因為暴露于ESD可能會導致器件參數性能下降。
C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在40°C至85°C的溫度范圍內工作。 M后綴器件的特點是可在55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。
LinCMOS是德州儀器公司的商標。
所有其他商標均為其各自所有者的財產。
? |
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Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
Input Bias Current (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
? |
TLC27M2 | TLC27M4 |
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2 ? ? | 4 ? ? |
3 ? ? | 3 ? ? |
16 ? ? | 16 ? ? |
0.525 ? ? | 0.525 ? ? |
0.46 ? ? | 0.46 ? ? |
In to V- ? ? | In to V- ? ? |
10 ? ? | 10 ? ? |
0.105 ? ? | 0.105 ? ? |
32 ? ? | 32 ? ? |
Catalog ? ? | Catalog ? ? |
-40 to 85 -55 to 125 0 to 70 ? ? | 0 to 70 -40 to 85 ? ? |
PDIP SO SOIC TSSOP ? ? | PDIP SO SOIC TSSOP ? ? |
See datasheet (PDIP) 8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP) ? ? | See datasheet (PDIP) 14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) ? ? |
1.7 ? ? | 1.7 ? ? |
N/A ? ? | N/A ? ? |
60 ? ? | 60 ? ? |
91 ? ? | 91 ? ? |
8 ? ? | 8 ? ? |
CMOS ? ? | CMOS ? ? |