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      CSD18511KCS CSD18511KCS

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此40V，2.1mΩ，TO-220 NexFET?功率MOSFET被設(shè)計成大大降低功率轉(zhuǎn)換損耗的理想選擇。



      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低R DS（ON）
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 無鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 晶體管（TO）-220塑料封裝

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD18511KCS CSD18503KCS CSD18504KCS CSD18510KCS
      40 ? ? 40 ? ? 40 ? ? 40 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      4.2 ? ? 6.8 ? ? 10 ? ? 2.6 ? ?
      2.6 ? ? 4.5 ? ? 7 ? ? 1.7 ? ?
      400 ? ? 358 ? ? 238 ? ? 400 ? ?
      64 ? ? 30 ? ? 19 ? ? 119 ? ?
      9.7 ? ? 4.6 ? ? 3.5 ? ? 21 ? ?
      TO-220 ? ? TO-220 ? ? TO-220 ? ? TO-220 ? ?
      20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
      1.8 ? ? 1.9 ? ? 1.9 ? ? 1.7 ? ?
      194 ? ? 142 ? ? 89 ? ? 274 ? ?
      110 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 200 ? ?
      Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

      方框圖 (1)

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
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