LMG1020 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動(dòng)器

數(shù)據(jù)：具有 60MHz、1ns 速度的 LMG1020 5V、7A、5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

描述

LMG1020器件是一款單通道低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器，專為高速驅(qū)動(dòng)GaN FET和邏輯電平MOSFET而設(shè)計(jì)應(yīng)用中，低功耗是一個(gè)關(guān)鍵問題.LMG1020的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)2.5納秒的極快傳播延遲。通過分別連接?xùn)艠O與OUTH與OUTL之間的外部電阻器，可針對(duì)上拉和下拉沿來獨(dú)立調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。 /p>

GaN驅(qū)動(dòng)器提供過載或故障情況下的欠壓鎖定（UVLO）和過熱保護(hù)（OTP）。

LMG1020的0.8mm×1.2mm WCSP封裝可最大限度地降低柵極回路電感并最大限度地提高高頻功率密度應(yīng)用中，中對(duì)于高效率，高電源密度和穩(wěn)健性的需求。

特性

用于GaN和硅質(zhì)FET的低側(cè)，超快柵極驅(qū)動(dòng)器
1ns最小脈沖
工作頻率高達(dá)60MHz
傳播延遲：典型值2.5ns，最大值4.5ns
典型上升和下降時(shí)間400ps
7A峰值拉電流和5A峰值灌電流
UVLO和過熱保護(hù)
0.8mm×1.2mm WCSP封裝

所有商標(biāo)均為他們各自的所有者。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET 驅(qū)動(dòng)器

?
Driver Configuration
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
?

LMG1020	LM5113-Q1	LMG1205	LMG1210
Low Side ? ?	Half Bridge ? ?	Half Bridge ? ?	Half Bridge ? ?
1 ? ?	2 ? ?	2 ? ?	2 ? ?
MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?
?	90 ? ?	90 ? ?	200 ? ?
7 ? ?	5 ? ?	5 ? ?	3 ? ?
4.75 ? ?	4.5 ? ?	4.5 ? ?	6 ? ?
5.25 ? ?	5.5 ? ?	5.5 ? ?	18 ? ?
0.21 ? ?	7 ? ?	7 ? ?	0.5 ? ?
0.21 ? ?	3.5 ? ?	3.5 ? ?	0.5 ? ?
2.5 ? ?	30 ? ?	35 ? ?	10 ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?
Catalog ? ?	Automotive ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?
-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?
DSBGA ? ?	WSON ? ?	DSBGA ? ?	WQFN ? ?
See datasheet (DSBGA) ? ?	See datasheet (WSON) ? ?	See datasheet (DSBGA) ? ?	19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ?