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      CSD25501F3 –20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET

      數據：

      描述

      這款-20V，64mΩ，P溝道FemtoFET?MOSFET的設計經過了優化，能夠最大限度地減小許多手持式和移動類應用的尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號MOSFET的同時大幅減小封裝尺寸。集成的10kΩ鉗位電阻器（R C ）可根據占空比讓柵極電壓（V GS ）高于最大內部柵極氧化值-6V。通過二極管的柵極泄漏（I GSS ）隨著V GS 增加到高于-6V而增加。

      特性

      • 低導通電阻
      • 超低Q g 和Q gd < /sub>
      • 超小尺寸
        • 0.7mm×0.6mm
      • 薄型
        • 最大高度為0.22 mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護二極管
      • 無頂且無鹵素
      • 符合RoHS標準

      所有商標均為其各自所有者的財產。

      參數 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25501F3 CSD23280F3 CSD23382F4 CSD25213W10 CSD25480F3
      -20 ? ? -12 ? ? -12 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
      -20 ? ? -6 ? ? -8 ? ? -6 ? ? -12 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      76 ? ? 116 ? ? 76 ? ? 47 ? ? 159 ? ?
      125 ? ? 165 ? ? 105 ? ? 67 ? ? 260 ? ?
      260 ? ? 250 ? ? 199 ? ? ? 840 ? ?
      -13.6 ? ? -11.4 ? ? -22 ? ? -16 ? ? -10.4 ? ?
      -3.6 ? ? -1.8 ? ? -3.5 ? ? -1.6 ? ? -1.7 ? ?
      1.02 ? ? 0.95 ? ? 1.04 ? ? 2.2 ? ? 0.7 ? ?
      0.09 ? ? 0.068 ? ? 0.15 ? ? 0.14 ? ? 0.1 ? ?
      0.45 ? ? 0.3 ? ? 0.5 ? ? 0.74 ? ? 0.26 ? ?
      -0.75 ? ? -0.65 ? ? -0.8 ? ? -0.85 ? ? -0.95 ? ?
      LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x1.0 ? ? WLP 1.0x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ?

      方框圖 (1)

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD25501F3 相關庫存