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      3天內(nèi)不再提示

      CSD18511KTT 40V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款40V，2.1mΩ，D 2 PAK（TO-263）NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損失。



      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低R DS（ON）
      • 低熱阻
      • 雪崩評級
      • 無鉛端子電鍍
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • D 2 PAK塑料包裝

      所有商標(biāo)均為他們各自的主人。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD18511KTT CSD18510KTT
      40 ? ? 40 ? ?
      Single ? ? Single ? ?
      4.2 ? ? 2.6 ? ?
      2.6 ? ? 1.7 ? ?
      400 ? ? 400 ? ?
      64 ? ? 119 ? ?
      9.7 ? ? 21 ? ?
      D2PAK ? ? D2PAK ? ?
      20 ? ? 20 ? ?
      1.8 ? ? 1.7 ? ?
      194 ? ? 274 ? ?
      110 ? ? 200 ? ?
      Yes ? ? Yes ? ?

      方框圖 (1)

      技術(shù)文檔

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