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CSD13380F3 CSD13380F3

數據:

描述

這款63mΩ,12V N溝道FemtoFETMOSFET經過了設計和優化,能夠最大限度減小許多手持式和移動類應用的尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號金屬氧化物半導體場效應應晶體管(MOSFET)的同時大幅減小封裝尺寸。

R θJA = 90°C /W,這是一塊厚度為0.06英寸(1.52mm)的環氧樹脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 (6.45cm 2 ),2盎司
(厚度0.071mm)銅焊盤上測得的典型值(覆銅面積最大時的典型值).R θJA = 255°C /W(脈銅持續時間≤100μs,占空比≤1%。

特性

  • 低導通電阻
  • 超低Q g 和Q gd < /sub>
  • 高運行漏極電流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm x 0.64mm
  • 薄型
    • 最大高度為0.35mm
  • 集成靜電放電(ESD)保護二極管
    • 額定值&gt; 3kV人體模型(HBM)
    • 額定值&gt;
    • 符合RoHS環境標準
    • 范圍
      • 針對負載開關應用進行了優化
      • 針對通用開關應用進行了優化
      • 電池應用
      • 手持式和移動類應用

      所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD13380F3 CSD13381F4 CSD13383F4 CSD13385F5 CSD15380F3 CSD17585F5
12 ? ? 12 ? ? 12 ? ? 12 ? ? 20 ? ? 30 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
76 ? ? 180 ? ? 44 ? ? 19 ? ? 1460 ? ? 33 ? ?
? ? ? ? ? 27 ? ?
13.5 ? ? 7 ? ? 27 ? ? 41 ? ? 1.6 ? ? 34 ? ?
0.91 ? ? 1.06 ? ? 2 ? ? 3.9 ? ? 0.216 ? ? 1.9 ? ?
0.15 ? ? 0.14 ? ? 0.6 ? ? 0.39 ? ? 0.027 ? ? 0.39 ? ?
LGA0.6x0.7 ? ? LGA 1.0 x 0.6mm ? ? LGA 1.0 x 0.6mm ? ? LGA 0.8x1.5 ? ? LGA0.6x0.7 ? ? LGA 0.8x1.5 ? ?
73 ? ? 170 ? ? 53 ? ? 18 ? ? 2220 ? ? ?
8 ? ? 8 ? ? 10 ? ? 8 ? ? 10 ? ? 20 ? ?
0.85 ? ? 0.85 ? ? 1 ? ? 0.8 ? ? 1.1 ? ? 1.3 ? ?
Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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