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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場分析>失意多晶硅 - “僵尸公司”賽維:失意多晶硅,失敗的賭局

失意多晶硅 - “僵尸公司”賽維:失意多晶硅,失敗的賭局

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多晶硅 本周多晶硅復(fù)投料價格61-70元/千克,致密料價格58-67元/千克,多晶硅價格大穩(wěn)小動。 隨著6月底多筆萬噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫存壓力顯著減少,市場價格觸底言論盛行,多家貿(mào)易商進(jìn)場囤貨
2023-07-14 16:15:57191

2023半程已過硅料價格觸底?下半年硅料、硅片市場展望

2023年上半年,國內(nèi)光伏市場“劇烈動蕩”,在市場各個主材環(huán)節(jié)過剩的大背景下,光伏上游價格出現(xiàn)“雪崩”,SMM價格追蹤顯示截至6月30日,國內(nèi)多晶硅價格較上半年高點跌幅達(dá)到72.2%,182mm硅片
2023-07-13 15:02:291519

IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585

硅通孔TSV-Through-Silicon Via

編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001

RSAC2023解讀第7期 | 企業(yè)僵尸網(wǎng)絡(luò)大機(jī)密

本期解讀專家 全球IoT(Internet of Things,物聯(lián)網(wǎng))設(shè)備每年以百萬級的速率快速增長,大量不安全的IoT設(shè)備成為僵尸網(wǎng)絡(luò)的主要來源。僵尸網(wǎng)絡(luò)廣泛使用網(wǎng)絡(luò)層CC攻擊,將虛假源泛洪攻擊
2023-06-29 18:45:03261

可控與中繼的區(qū)別#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:19:14

單相可控的使用方法#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:14:01

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317

為什么氮化鎵比更好?

氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。 的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423976

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時,多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān),硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

單向可控的如何使用#硬聲創(chuàng)作季

可控
也許吧發(fā)布于 2023-05-31 11:22:21

朝鮮宣布衛(wèi)星發(fā)射失敗

朝鮮宣布衛(wèi)星發(fā)射失敗 31日朝鮮發(fā)射一顆衛(wèi)星,但是后來朝鮮宣布衛(wèi)星發(fā)射失敗。而這也是朝鮮時隔7年再次發(fā)射衛(wèi)星。而且因為朝鮮發(fā)射“衛(wèi)星” 韓國清晨響起警報。這個誤報也導(dǎo)致了很多韓國民眾的不滿。 當(dāng)然,朝鮮發(fā)射的衛(wèi)星已經(jīng)明確是軍事偵察衛(wèi)星。 綜合自 韓聯(lián)社 朝中社 NHK 央視新聞
2023-05-31 11:07:142128

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

FOA壓測割接后少量用戶語音呼叫失敗的問題處理

中興通訊在進(jìn)行FOA壓力測試期間,上午10:05有少量用戶反饋語音呼叫失敗
2023-05-26 09:33:26444

報名開啟!開放原子開源大賽OpenHarmony創(chuàng)新來啦!

大賽背景 開放原子開源大賽OpenHarmony創(chuàng)新賽期望達(dá)到以促用、以促教、以促學(xué)、以促練、以促創(chuàng)的效果,開發(fā)者通過學(xué)習(xí)OpenHarmony,開發(fā)出具有創(chuàng)新性,實用性的開源應(yīng)用軟件
2023-05-17 16:52:38

FTP連接服務(wù)器失敗的原因有哪些

  為了使網(wǎng)站能夠在搜索結(jié)果中擁有較好的排名,站長需要對網(wǎng)站進(jìn)行日常更新,而網(wǎng)站內(nèi)容的更新,便需要用到網(wǎng)站數(shù)據(jù)文件的上傳與下載,F(xiàn)TP是最常用的軟件。有些站長在使用FTP連接服務(wù)器時出現(xiàn)連接失敗,從而導(dǎo)致沒有辦法對網(wǎng)站進(jìn)行正常的更新。那么,F(xiàn)TP連接服務(wù)器失敗的原因有哪些呢?
2023-05-17 15:32:1010327

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅(qū)動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

開啟新時代,承接新使命,開放原子開源大賽OpenHarmony創(chuàng)新正式啟航!

開放原子開源大賽OpenHarmony創(chuàng)新,正式啟動啦! “OpenHarmony創(chuàng)新”是開放原子全球開源大賽下開設(shè)的創(chuàng)新賽道,面向企業(yè)、個人、高校師生等廣大開發(fā)者,聚焦OpenHarmony
2023-04-23 11:15:44

ROBOTOUS電容式六力傳感器

ROBOTOUS是一家位于韓國城南市的專業(yè)機(jī)器人技術(shù)公司,成立于2014年。公司專注于開發(fā)和制造六力傳感器,為協(xié)作機(jī)器人、醫(yī)療機(jī)器人、航空航天、自動化制造等領(lǐng)域的客戶提供高精度、可靠的測量和控制
2023-04-13 09:27:37

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422607

光耦MOC3063驅(qū)動可控

如圖所示:1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控兩端的電壓為零,此時可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

E4405B頻譜分析儀自校準(zhǔn)失敗,本振失鎖維修

近日某院校送修安捷倫頻譜分析儀E4405B,客戶反饋頻譜分析儀自校準(zhǔn)失敗,本振失鎖。安泰維修檢測與客戶描述故障一致。本期將為大家分享本維修案例。 下面就是安捷倫-E4405B維修情況 安捷倫頻譜
2023-04-04 17:16:151038

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

2023嵌入式大賽廣和通題報名說明

2023嵌入式大賽廣和通題報名說明見附件*附件:廣和通題報名說明.pdf
2023-03-23 17:05:50

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