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東芝將新建NAND閃存芯片工廠
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相關推薦
NAND存儲種類和優勢
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216
216三星西安NAND廠開工率回升至70%
三星電子，全球半導體產業的領軍企業，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實現了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應，也凸顯了中國智能手機市場回暖以及全球半導體庫存調整對產業鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317
317東芝在日本新建功率半導體后端生產設施，預計2025年春季投產
近日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）宣布，位于日本西部兵庫縣姬路市的半導體工廠已啟動新的功率半導體后端生產設施建設。這一舉措標志著東芝在功率半導體領域的進一步擴展，以滿足日益增長的市場需求。據悉，新工廠預計將于2025年春季開始量產。
2024-03-12 10:23:57247
247東芝開始建設功率半導體后端生產設施
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）近期宣布，已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運營 - 半導體工廠建設功率半導體后端生產設施。新工廠將于2025年春季開始量產。
2024-03-07 18:26:21585
585鎧俠提升NAND閃存產能利用率
據最新報道，全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略，并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35263
263鎧俠終止減產或致NAND芯片市場再動蕩
據統計，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國的三星。面對之前NAND報價持續下跌的困境，鎧俠率先采取了減產策略，幅度達到了三成。
2024-03-05 09:23:51143
143什么是NAND 型 Flash 存儲器？
的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了 NAND Flash 結構,后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45158
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鎧俠NAND產能預計恢復90%，減產策略或面臨調整
2022年10月起，鎧俠已經減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達30%。截至目前，鎧俠NAND生產已恢復至原廠產能的兩成左右。
2024-03-01 13:53:55159
159Tech Talk：解讀閃存原理與顆粒類型
NAND閃存作為如今各種電子設備中常見的非易失性存儲器，存在于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業存儲、數據中心、甚至汽車配件等應用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418
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江波龍首顆自研NAND閃存問世
江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上。
2024-02-01 15:08:48361
361CS 創世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案
閃存技術，通常用于存儲數據，并且具有一些額外的安全特性。這種技術結合了 NAND 閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數據，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時具備保護數據免受未經授權訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
CS 創世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案
文章目錄介紹創世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數字NAND閃存技術，通常用于存儲數據，并且具有一些額外的安全
2024-01-24 18:29:55373
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日本半導體設備巨頭Disco計劃新建工廠
日本知名半導體制造設備制造商Disco近日宣布，將在日本廣島縣新建一座工廠，專注于生產用于晶圓生產的關鍵零部件。此舉旨在抓住客戶需求的增長，進一步加快生產進度，以滿足全球半導體市場的持續擴張。
2024-01-18 15:52:15430
430正點原子emmc和nand的區別
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動設備（如智能手機和平板電腦）提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
597什么是SD NAND存儲芯片? SD NAND與TF卡的區別
什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質上的區別。
2024-01-06 14:35:57861
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什么是SD NAND存儲芯片?
卡有著本質上的區別。
SD NAND 與 TF卡的區別：（看圖表）
SD和TF區別
LGA-8封裝
什么是LGA-8封裝？
LGA-8封裝是一種將芯片引腳通過電路板的層間連接
2024-01-05 17:54:39
東芝暫時關閉NAND閃存工廠！
1月4日消息，據外媒報道，日本的7.6級地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時關門，受影響的公司包括東芝、環球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。
2024-01-05 09:51:57189
189今日看點丨日本強震影響東芝、村田、科意，部分工廠停產待恢復運營；英偉達H20 AI GPU參數曝光：完全符合美
1. 日本強震影響東芝、村田、科意運營，部分工廠停產 ? 日本石川縣1月1日發生7.6級地震并引發海嘯，截至1月2日已造成55人死亡，影響波及運輸、制造、服務業等，破壞了供應鏈。半導體產業鏈中的東芝
2024-01-03 11:33:38589
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東芝和羅姆將合作生產功率半導體 日本政府補貼8.3億美元
東芝正在石川縣能美市建設新工廠，羅馬正在宮崎縣宮崎市建設新工廠，兩個工廠將分別進行生產。另外，羅姆將于明年在宮崎縣國富町開業，東芝將在石川縣野見市建設的新工廠中共享半導體生產。兩家公司目前在海外采購的半導體芯片生產也將從日本開始。
2023-12-08 13:56:45251
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提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發生變化。這是因為支持傳統高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243
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【MCU】SD NAND芯片之國產新選擇
：
大家好，請問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項目需要保存900M以上字節，nand flash 比較貴。或者有什么便宜的存儲芯片提供。謝謝！
傳統做法無非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
簡單認識閃速存儲器
器 （NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發明并獲得 1997 年 IEEE 的獎勵。1988 年 Intel 發布了最早的或非閃存器產品
2023-11-23 09:36:17909
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CS創世SD NAND的存儲芯片應用方案
前言:
很感謝深圳雷龍發展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設計。
深入了解該產品：
拿到這個產品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
NAND出貨減少，拖累鎧俠Q3營收大減38%
鎧俠公司為應對存儲芯片價格的持續下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準，nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335
335存儲芯片價格上漲已從DRAM擴大到NAND閃存 明年上半年預計上漲超過10%
但是，存儲芯片大企業的價格已經出現上漲跡象。還有外電報道說，已經從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487
487三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設備
據業界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產的128段（v6） nand閃存生產線擴大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設備，并向業界通報了到2025年分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:031140
1140三星喊NAND季季漲價20% 幅度超預期有利群聯、威剛等運營
據多名半導體業界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調20%。三星電子正在努力穩定nand閃存價格，試圖在明年上半年逆轉市場。
2023-11-02 10:35:01523
523消息稱三星西安半導體工廠開啟工藝升級，正采購新設備備產 236 層 NAND
采取相應措施。據 Business Korea 報道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規模擴張。 消息人士稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續引進可生產第
2023-10-18 08:35:55194
194獲得美國豁免！晶圓大廠將擴建中國工廠！
在NAND閃存市場難以復蘇的情況下，三星升級西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰略對策；去年下半年開始，IT市場放緩和半導體市場疲軟也導致三星電子NAND業務下滑。
2023-10-17 15:29:57433
433中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權
中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優點，已成為廣泛使用在閃存上的結構。”目前主要用于數碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265
265三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產設備
三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:00832
832韓國NAND閃存芯片出口額恢復增長
據韓國貿易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244
244兆易創新“一種NAND閃存芯片的測試樣本”專利獲授權
根據專利摘要，本發明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區域組成，每個樣本區域包含多個相鄰的數據塊。相鄰的幾個數據塊會測試不同的擦除次數。在多個相同的樣本區域中，任意兩個相鄰的樣本區域之間的間隔預先設定相鄰數據塊的數量。
2023-10-13 09:47:33313
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三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道，三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762
762NAND FLASH與NOR FLASH的技術對比
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術，但是據我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468
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CS SD NAND在STM32精英V2開發板的測試-是時候將TF卡換為SD NAND了
前言
嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個
2023-09-26 17:40:35
DRAM芯片價格有望隨NAND溫和上漲
據消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業正在密切關注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503
503NAND Flash第四季價格有望止跌回升，最高上漲5%
業內人士說：“nand閃存價格將比dram快反彈”，“nand閃存供應商們的赤字繼續擴大，因此銷售價格正在接近生產成本，供應商們為了維持運營，擴大減產，價格停止下跌，反彈率領的”。
2023-09-11 14:56:17508
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淺析NAND閃存工藝
閃存芯片是非揮發存儲芯片，廣泛用于電子產品，特別是如數碼相機、MP3播放器、手機、全球定位系統(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產品的存儲應用。
2023-09-11 09:32:31833
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三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
281三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產
三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為，三星的nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中，由于市場持續低迷，三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:58422
422NAND存儲芯片廠商掀起減產浪潮
由于長期nand型需求沒有得到恢復，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設的生產工廠的啟動時間從當初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設備的交貨也在推遲。
2023-08-14 10:06:52283
283SD NAND FLASH : 什么是pSLC?
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術，現Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
SK海力士發布全球首款321層NAND！
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:47704
704pSLC閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365
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三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%
據《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762
762pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790
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pSLC閃存的原理、優勢及應用
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優勢以及在不同領域中的應用。
2023-08-01 11:15:471559
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【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協議
官方網站：深圳市雷龍發展有限公司
目前雷龍發展代理的 SD NAND 已可在立創商城搜索到，其詳情頁也附有手冊。
芯片簡介
芯片外觀及封裝
實拍圖：
?
根據官方文檔介紹，此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
芯科普 | 一文了解 NAND 閃存技術的發展演變
對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態硬盤到數據中心，從企業固態硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應用領域和使用場景愈發多樣化，各種要求也隨之出現，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424
424
一文了解NAND閃存技術的發展演變
隨著游戲產業和數據中心的蓬勃發展，全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發，人們更多選擇遠程辦公和在線課程，對數據中心和云服務器的需求隨之增長
2023-07-24 14:42:48808
808
麥格納將投資7.9億美元新建三家工廠
路透社20日發表聲明稱，麥格納設施將支援福特生產新一代電動卡車。福特園區的一家工廠將生產提供給卡車的電池外殼，另一家工廠將生產聚氨酯泡沫和坐墊。
2023-07-21 11:35:39848
848基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864
864蘋果閃存和固態硬盤的區別 固態硬盤為什么不建議分區
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術，但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產品而開發的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102
2102NAND閃存加速度，推動Multi-Die驗證新范式
NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時創造出適用于各種應用的產品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴展3D NAND閃存的垂直層數。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達到的最小節點，但開發者
2023-07-18 17:55:02486
486
各家3D NAND技術大比拼 被壟斷的NAND閃存技術
隨著密度和成本的飛速進步，數字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領域并非如此，與半導體行業的其他產品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203
1203
三星：2030年3D NAND將進入1000層以上
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744
1744東芝開始建設300mm晶圓功率半導體制造工廠
Electronics Corporation）開工新建一家300晶圓功率半導體制造工廠。該功率半導體制造工廠的建造將分兩個階段進行，一期工程計劃于2024財年內投產。東芝還將在新工廠附近建造一棟辦公樓，以滿足增員需求。 新工廠將具有抗震結構和業務連續性計劃（BCP）
2023-06-29 17:45:02545
545
NAND芯片是用于哪些領域 NAND和SSD的區別
閃存存儲設備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器、內存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198
5198開放NAND閃存接口ONFI介紹
本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865
5865
淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術
3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727
1727
SK海力士宣布量產世界最高238層4D NAND閃存
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492
492
NAND閃存特點及決定因素
內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001982
1982QLC閃存 D5-P5430的基本規格、性能表現
SK海力士收購Intel NAND閃存業務重組而來的Solidigm，就發布了一款QLC閃存的企業級產品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489
489
SK海力士量產世界最高238層4D NAND閃存
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564
1564請問ESP8285芯片(Soc) 是否帶有內置閃存？
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內置閃存？如果是，我們可以使用帶有內置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
三種不同的存儲芯片性能比較
為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788
788
3D-NAND 閃存探索將超過300層
全行業正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝，這與學術論文提出和內存行業研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324
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如何將ESP8266EX連接到EEPROM芯片而不是閃存？
有沒有人成功地將 ESP8266EX 連接到 EEPROM 芯片而不是閃存？在我住的地方，沒有人出售大于 512k 的閃存芯片，我至少需要 4 個。如果可以使用 EEPROM，我不想從美國進口。
2023-05-30 11:10:19
如何將引導加載程序預刷到外部閃存芯片？
時下載最新的固件。
然后，OTA 引導加載程序將由分銷商閃存到芯片上（digikey 對此報價為每個芯片約 0.15 美元......但可能會繼續尋找更便宜的......）所以我們將通過卷軸收到
2023-05-29 08:21:45
NAND閃存 – 多芯片系統驗證的關鍵元件
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193
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如何在帶有spi的iMX RT 1052上使用NAND閃存？
我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。
因為我試圖將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
GD25Qxx芯片解讀
NORFlash是一種非易失閃存技術，是Intel在1988年創建。NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些，而NAND
2023-05-15 09:18:591240
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MCU Boot Utility是否支持此串行NAND？
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數據表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
8倍密度，像做3D NAND一樣做DRAM
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創企業。這是一家專為NAND閃存和DRAM內存開發創新架構的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982
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如何使用QSPI接口將外部Nand Flash連接到S32K344？
我查看了 S32DS IDE 中的現有示例 Fls_Example_S32K344，它可以與外部 NOR 閃存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 閃存 ，其讀/寫協議
2023-04-28 08:29:07
imx28無法從NAND啟動并進入USB恢復模式怎么解決？
- 我的任務是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設計板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
走在前沿！日本芯片企業Rapidus計劃興建1nm芯片工廠
日本芯片制造商Rapidus社長小池淳義在一次最新會議上闡述了該公司在北海道千歲市工廠的新建計劃，其中包括一座1納米工藝的芯片工廠，這代表著目前全球最先進的生產工藝。
2023-04-26 16:51:42885
885如何啟動IMX6ULL NAND閃存？
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
【正點原子STM32精英V2開發板體驗】CS SD NAND在本開發板上的測試-是時候將TF卡換為SD NAND了!
前言嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個非常
2023-04-18 23:03:42
ESP32-D0WDR2-V3帶外接flash和emmc，外部閃存將無法將內存映射到cpu內存空間是怎么回事？
閃存+eMMC）一起工作？當我閱讀 ESP32 數據表第 18 頁時，在表 2 上方，它指出“表 2 列出了芯片與嵌入式閃存/PSRAM 之間的引腳到引腳映射。不建議將此處列出的芯片引腳用于其他
2023-04-12 06:01:59
什么是3D NAND閃存？
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147
2147為什么UUU qspi寫入閃存不會導致U-boot以正確的啟動設置運行并打開電源？
時，同樣的過程可以成功運行。請注意，我也嘗試了 UUU“nand”選項，但 UUU 失敗了。測試 1 (qspi)：##############關閉電源。將啟動開關設置為下載模式。打開電源發出
2023-03-27 08:57:34
如何引導BootROM將代碼復制到內部RAM ？
我們目前正在構建一個帶有 i.MX RT1172 微控制器的定制板，以及一個通過 FlexSPI 連接的 QSPI NAND 閃存，我們需要知道的是：- BootROM 如何將代碼從外部 NAND
2023-03-27 07:06:34
MCUBoot寫入閃存之前將AES密鑰存儲在哪里？
程序會通過藍牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序寫入flash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應該什么時候將它寫入閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
工商網監
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