隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
發(fā)表于 03-25 11:44
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NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點。
發(fā)表于 03-12 10:21
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近日,據(jù)韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級與產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技
發(fā)表于 02-14 13:43
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NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場合.
NAND閃存類型
按照每個單元可以存儲的位數(shù),可以將
發(fā)表于 01-15 18:15
近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND
發(fā)表于 01-14 14:21
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智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他電子設(shè)備中都有應(yīng)用。 1. 定義和歷史 NAND閃存 是一種非易失性存儲技術(shù),它允許數(shù)據(jù)在斷電后仍然被保留。NAND閃存最初在1980年代由
發(fā)表于 12-25 09:37
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近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會正式停產(chǎn)。這一消
發(fā)表于 11-21 14:16
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三星電子即將啟動一項計劃,將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計將通過中國本土企業(yè)或第三方進(jìn)行出售,過程預(yù)計將于2025年正式展開。
發(fā)表于 11-06 14:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從NAND閃存啟動DaVinci EVM.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-16 10:15
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NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動著存儲技術(shù)的進(jìn)步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理,將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點和重要進(jìn)展。
發(fā)表于 08-10 16:32
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NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù),它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面對兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
發(fā)表于 08-10 16:14
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NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
發(fā)表于 08-10 15:57
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存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣布了一項重要進(jìn)展:其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠(Fab 2,簡稱K2)已圓滿竣工。此次竣工標(biāo)志著鎧俠在擴(kuò)大產(chǎn)能、滿足市場日益增長需求方面邁出了堅實的一步。
發(fā)表于 08-06 09:27
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隨著存儲器市場的逐步復(fù)蘇,日本半導(dǎo)體巨頭鎧俠(Kioxia)已正式結(jié)束其NAND閃存減產(chǎn)策略。這一戰(zhàn)略調(diào)整基于市場需求增長和公司財務(wù)狀況的改善。
發(fā)表于 06-20 11:29
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近日,據(jù)日本媒體報道,知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠(Kioxia)已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開工率提升至100%。這一舉措標(biāo)志著鎧俠在經(jīng)歷了長達(dá)20個月的減產(chǎn)周期后,其
發(fā)表于 06-18 16:48
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