羅姆半導(dǎo)體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達(dá)1200V的MOSFET

羅姆半導(dǎo)體將推出的SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。

?SCH2090ke封裝圖片：

?SCH2090ke尺寸圖片：

SCH2090ke尺寸圖片

SCH2090ke特性：

特長(zhǎng)?-N-ch SiC功率MOSFET
-低導(dǎo)通電阻
-高溫時(shí)的導(dǎo)通電阻增加小
-高速開(kāi)關(guān)

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MOSFET(209657) MOSFET(209657)
SCH2090ke(5816) SCH2090ke(5816)

評(píng)論

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IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國(guó)內(nèi)廠商盤(pán)點(diǎn)

從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷(xiāo)售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V-200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V-300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V-900V超結(jié)功率

2023-10-16 11:00:14

反激式電源MOS管漏極開(kāi)機(jī)瞬間尖峰電壓很大，如何解決？

2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開(kāi)機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無(wú)法啟動(dòng)。請(qǐng)問(wèn)是什么原因?qū)е翸OS管漏極開(kāi)機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？

2023-10-09 23:06:47

NXP MCU KE16可以支持5V嗎？

NXP MCU KE16可以支持5V么

2023-10-09 07:45:57

【干貨】必讀！電源常用電路—驅(qū)動(dòng)電路詳解

MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5~20V，其驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)應(yīng)考慮驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求，死區(qū)時(shí)間設(shè)定的要求，芯片所帶的保護(hù)功能以及抗干擾性等。氮化鎵晶體管與硅管相似，也是電壓驅(qū)動(dòng)，它的柵源極驅(qū)動(dòng)

2023-10-07 17:00:40

大功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）及其驅(qū)動(dòng)電路

電源設(shè)計(jì)者只要熟悉雙極型晶體管的設(shè)計(jì)，掌握關(guān)于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學(xué)會(huì)使用MOSFET管進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。對(duì)電路設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),決定MOSFET管特性的制造材料和固態(tài)物理結(jié)構(gòu)并不太重要,這里

2023-09-28 06:33:09

半導(dǎo)體芯片的制作和封裝資料

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述

2023-09-26 08:09:42

ACDC反激電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓問(wèn)題

ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達(dá)600多伏。我調(diào)整了一下RCD電路，比如增大原來(lái)的470pf電容到1.88nf，繼續(xù)增大尖峰就不再下降了，電阻從150k

2023-09-22 11:20:23

影響MOSFET閾值電壓的因素

影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點(diǎn)。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著

2023-09-17 10:39:44

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DMP2090UFDB 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

DMP2090UFDB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP2090UFDB 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，這使其成為高效電源管理

2023-09-12 11:58:11

一周新品推薦：ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

DigiKey?Daily? 短視頻本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產(chǎn)品—— ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET 1 產(chǎn)品一： ODU

2023-09-06 20:20:08

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武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列MCU在電焊機(jī)的應(yīng)用

機(jī)、氟弧焊機(jī)、脈沖焊機(jī)等，本文將介紹武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列單片機(jī)在電弧焊機(jī)中的應(yīng)用。 CW32F030系列MCU在電焊機(jī)的應(yīng)用框圖方案特色： ●可實(shí)現(xiàn)對(duì)電焊機(jī)的自動(dòng)化控制，可以通過(guò)輸入

2023-09-06 09:14:04

如何將意法半導(dǎo)體環(huán)境傳感器集成到Linux/Android系統(tǒng)

本應(yīng)用筆記為將意法半導(dǎo)體環(huán)境傳感器（氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。

2023-09-05 06:08:58

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET

2023-09-04 15:13:40

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意法半導(dǎo)體推出熱切換理想二極管控制器，適用于ASIL-D 汽車(chē)安全關(guān)鍵應(yīng)用

? ? 2023 年 8 月 9 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體 STPM801是率先市場(chǎng)推出的車(chē)規(guī)集成熱切換的理想二極管控制器，適合汽車(chē)功能性安全應(yīng)用。 ? 這款理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)一個(gè)外部

2023-08-18 15:28:31

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先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？

2023-08-08 14:56:29

不同類(lèi)型的晶體管及其功能

取而代之的是高電阻率半導(dǎo)體材料的狹窄部分，形成 N 型或 P 型硅“通道”，供多數(shù)載流子流過(guò)兩端有兩個(gè)歐姆電氣連接，通常分別稱(chēng)為漏極和源極。 ? 添加圖片注釋?zhuān)怀^(guò) 140 字（可選）結(jié)型

2023-08-02 12:26:53

新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號(hào)：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

2023-07-31 16:57:59

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用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。

2023-07-28 14:22:44

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C4D40120D是一款二極管

1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 10:16:08

C4D30120D是一款二極管

1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 09:58:50

E4D20120G是一款二極管

1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 09:44:25

C4D20120D是一款二極管

1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 09:34:59

C4D20120H是一款二極管

1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 09:32:48

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

在此方向上，青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡(jiǎn)稱(chēng)「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進(jìn)行了器件測(cè)試。

2023-07-19 16:37:30

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納芯微全新發(fā)布1200V系列SiC二極管，布局SiC生態(tài)系統(tǒng)

碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相較于硅（Si），具有更大的介電擊穿強(qiáng)度、更快的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。這使得碳化硅在功率半導(dǎo)體器件方面表現(xiàn)出高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電壓和高效率

2023-07-10 15:45:02

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HAT2090R 數(shù)據(jù)表

2023-06-28 18:38:05

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件

2023-06-25 14:17:47

開(kāi)漏形式的電路有哪些特點(diǎn)？

靈活的輸出方式，但是也有其弱點(diǎn)，就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^(guò)外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電，所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小，但功耗大；反之延時(shí)大功耗小。 ? 可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的引腳，連接到一條線

2023-06-20 08:38:36

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT

2023-06-16 14:39:39

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GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能

2023-06-16 11:42:39

具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子

2023-06-16 06:15:24

如何將電壓源轉(zhuǎn)換成電流源？

電壓源

李皆寧講電子發(fā)布于 2023-06-15 17:25:22

CMS32M65xx系列MCU中微半導(dǎo)體電機(jī)控制產(chǎn)品

電機(jī)控制領(lǐng)域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機(jī)控制專(zhuān)用芯片。主頻高達(dá)64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash

2023-06-09 09:11:16

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC

2023-06-08 20:45:02

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Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專(zhuān)用 MOSFET

2023-05-29 10:35:11

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2023年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售將達(dá)到4,428億元?

場(chǎng)效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，也稱(chēng)為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有噪聲小、功耗低、開(kāi)關(guān)速度快、不存在二次擊穿問(wèn)題，主要具有信號(hào)放大、電子開(kāi)關(guān)、功率控制等功能，廣泛應(yīng)用

2023-05-26 14:24:29

英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)（高達(dá)10kW）。

2023-05-18 16:18:24

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賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯

2023-05-17 13:35:02

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MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？

MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？

2023-05-16 14:33:51

請(qǐng)問(wèn)N溝道、耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)管腳怎么接？

1.是N溝道，耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？ 2.電路不接管子之前電流還可以，接上場(chǎng)效應(yīng)管，上電就短路，焊下來(lái)后測(cè)量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏

2023-05-16 14:24:38

HAT2090R 數(shù)據(jù)表

2023-05-09 19:47:53

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊

2023-04-26 15:27:11

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配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英（左） ? 賽米控丹佛斯?

2023-04-26 09:17:51

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MOSFET的結(jié)構(gòu)和閾值電壓

　首先我們先了解什么是MOSFET?全稱(chēng)是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡(jiǎn)易符號(hào)

2023-04-25 14:20:39

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里陽(yáng)半導(dǎo)體P6KE系列TVS二極管對(duì)I/O接口的應(yīng)用

里陽(yáng)半導(dǎo)體TVS二極管P6KE系列是專(zhuān)為保護(hù)敏感的電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓事引起的電壓瞬變，它擁有比普通二極管更大PN結(jié)面積和更大的通流能力，當(dāng)電路承受一個(gè)高能量的瞬時(shí)過(guò)壓脈沖時(shí)。

2023-04-20 11:21:59

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羅姆半導(dǎo)體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達(dá)1200V的MOSFET

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