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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器概述及特點(diǎn)

EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器概述及特點(diǎn)

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2012-01-06 22:58:43

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2021-07-26 08:08:39

存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)及其分類

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2021-07-29 06:21:48

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2022-01-26 06:05:59

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2021-12-17 07:26:46

FLASH存儲(chǔ)器與SRAM最主要的區(qū)別是什么

地擦除,而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意:SRAM和SDRAM是不相同的,SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19

M378A2G43AB3-CWE內(nèi)存條

它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比,兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失,而ROM不會(huì)自動(dòng)消失,可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。對(duì)靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25

MT47H64M16NF-25E:M動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

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2020-06-30 16:26:14

SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)的步驟

監(jiān)視ic的adm708(模擬器件)和74hc系列的cmos門組成電路。  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)多年來被廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應(yīng)用,特別會(huì)要求初始存取等待時(shí)間
2020-12-10 16:44:18

SRAM與DRAM及其SDRAM有哪些區(qū)別呢

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2021-12-24 07:04:20

SRAM芯片的優(yōu)勢(shì)有哪些呢

驅(qū)動(dòng)和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開始,主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46

STM32F103系列的FSMC模塊

(StaticRandom-AccessMemory)即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,所謂“靜態(tài)”是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以一直保持,但是掉電之后就會(huì)丟失。與DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
2021-08-12 06:14:59

sram存儲(chǔ)原理是依靠

sram存儲(chǔ)原理是依靠,概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26

關(guān)于SRAM入門介紹

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類

Erasable PROM)。  (6) 混合型。  二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類  1、按功能分為  (1)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元?

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04

淺析SRAM的設(shè)計(jì)與基本單元

什么是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?SRAM是由哪些部分組成的?
2021-10-09 08:37:59

計(jì)算機(jī)組成原理(3)——存儲(chǔ)器 精選資料推薦

方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)靜態(tài) RAM(SRAM)動(dòng)態(tài) RAM(DRAM)動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47

詳細(xì)描述DS1302時(shí)鐘芯片相關(guān)知識(shí)點(diǎn)

字節(jié)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通過簡(jiǎn)單的串行接口與微處理通信。實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷提供秒、分、小時(shí)、日、月、星期和年的信息。對(duì)于少于31天的月份,月末日期會(huì)自動(dòng)調(diào)整,包括閏年的更正。時(shí)鐘以24小時(shí)制或12小時(shí)制運(yùn)行,帶有上午/下午指示。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0,對(duì)DS130
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鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器
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Micron MT48LC16M16A2P-6A:G 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM(所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CLK的正邊緣
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2009-04-17 09:42:43700

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摘要:該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘,無需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。 概述隨著DS32X35
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業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

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DS1346/DS1347的SPI?兼容的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)含有一個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷和31 × 8位靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600

新型鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FeTRAM研制成功

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如何選擇最適用的sram存儲(chǔ)器

sram(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件,而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu),各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:052730

關(guān)于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的全面解析

所謂「隨機(jī)訪問」,指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r(shí),所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對(duì)的,存取順序訪問(SequenTIal Access)存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí),其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系(如磁帶)。
2018-06-28 12:17:0011794

TMS320VC5510外部存儲(chǔ)器接口于SBSRAM的系統(tǒng)級(jí)連接和寄存器配置概述

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TMS320C55x DSP EMIF與TMS320C6000 DSP EMIF存儲(chǔ)器接口的特點(diǎn)比較

 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個(gè)接口都支持異步存儲(chǔ)器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SBSRAM)和同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。
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兆易創(chuàng)新和Rambus合資公司實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)的商業(yè)化

美國芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作建立一個(gè)在中國的合資企業(yè)Reliance Memory,以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器為什么叫隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)、分類、優(yōu)缺點(diǎn))

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2018-05-17 17:04:5819724

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2018-08-31 15:53:3921

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2018-11-24 10:59:1143323

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器,易失存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)為主,非易失存儲(chǔ)器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011606

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器
2019-01-07 16:46:4915155

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板之SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653

sram是什么意思

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4232430

使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284

嵌入式系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)

SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值,它沒有刷新周期,由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元,集成度低,每個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元由6個(gè)晶體管組成,因此其成本較高。
2019-09-11 16:26:212553

通過自旋電子隨機(jī)存取存儲(chǔ)器來深入研究自旋

我們?cè)S多人都知道,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory,縮寫:RAM;也叫主存)是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
2020-01-13 11:50:271949

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)誰將更勝一籌

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840

閃存存儲(chǔ)器為什么是最快捷的長(zhǎng)期存儲(chǔ)器

因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介及應(yīng)用

SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166106

UG-1755:評(píng)估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)

UG-1755:評(píng)估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254

ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測(cè),20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表

ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測(cè),20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144

實(shí)驗(yàn)二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-11-23 17:51:0737

如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種,差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新,...
2022-02-07 12:29:531

256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EMI7256概述及特征

國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部組織為32K字,每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz,采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573

富士通推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MB85AS12MT

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021132

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR4M08xS44xx1V12用戶手冊(cè)

VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR32M32xS68xx8V12-Ⅱ用戶手冊(cè)

VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR32M32xS68xx8V12用戶手冊(cè)

VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝(6晶體管
2022-06-08 14:24:161

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR20M40xS84xx6V12用戶手冊(cè)

VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,堆疊六個(gè)SRAM芯片,采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口。可以使用專用的#CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR16M32xS64xx4V12用戶手冊(cè)

VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR16M32xS64xx4C12用戶手冊(cè)

VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四層采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520

隨機(jī)存儲(chǔ)器VDSR16M16xS54xx4V12用戶手冊(cè)

VDSR16M16XS54XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造,可堆疊四個(gè)4-Mbit SRAM組采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)。它被組織為四個(gè)256K x的獨(dú)立塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 14:17:250

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器VDSR8M32xS64xx2V12用戶手冊(cè)

VDSR8M32XS64XX2V12是一種高速、高度集成的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,包含8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。每個(gè)銀行都有16位接口,并通過特定的#CS。它特別適用于高可靠性、高性能和高密度系統(tǒng)應(yīng)用程序,如固態(tài)質(zhì)量記錄器、服務(wù)器或工作站。
2022-06-08 11:55:591

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器VDSR8M16xS54xx2V12用戶手冊(cè)

VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造,可堆疊四個(gè)4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)。它被組織為兩個(gè)256K×的獨(dú)立區(qū)塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 11:53:180

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR8M16xS54xx2C12用戶手冊(cè)

VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR4M08xS44xx1C12用戶手冊(cè)

VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR64M08xS54xx4V35用戶手冊(cè)

VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個(gè)16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個(gè)2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR20M40xS84xx5V35用戶手冊(cè)

VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個(gè)獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR16M08xS54xx4V35用戶手冊(cè)

VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù),該設(shè)備堆疊4個(gè)4-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR16M08xS44xx1V35用戶手冊(cè)

VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造,可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR8M32xS68xx8V35用戶手冊(cè)

VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR4M08xS44xx4V35用戶手冊(cè)

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR4M08xS44xx1V35用戶手冊(cè)

VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個(gè)獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR2M16xS54xx2V35用戶手冊(cè)

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481

W9825G6KH高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器英文手冊(cè)

W9825G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM),由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060

介紹一下關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片的設(shè)計(jì)

SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32893

易失性存儲(chǔ)器(VM)

在過去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463113

相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)制造工藝

相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)
2023-02-01 10:16:15699

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器
2023-02-08 10:14:39546

偉凌創(chuàng)芯國產(chǎn)并口SRAM介紹

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55317

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí)

本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí),包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34817

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 (1)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)
2023-11-15 10:20:01731

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

,VM)兩大類。例如,人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory,簡(jiǎn)稱 Flash)就屬于 NVM,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory, SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

20世紀(jì)70 年代到 90年代中期,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27379

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257

NVSRAM在掉電瞬間的保護(hù)機(jī)制操作方法

非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,提供非易失性存儲(chǔ)
2023-12-05 10:09:56303

英飛凌推出新型抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼(ECC)的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358

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