HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
264 數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和增強(qiáng)應(yīng)用程序安全性的存儲(chǔ)器保護(hù)單元（MPU）。
STM32F429IIT6包含高速嵌入式存儲(chǔ)器（最高2兆字節(jié)的閃存，最高256千字節(jié)的SRAM），最高4千字
2024-03-12 09:39:01
SSD?無需CPU和外部存儲(chǔ)器?自動(dòng)實(shí)現(xiàn)對(duì)PCIe SSD的PCIe設(shè)備枚舉、NVMe控制器識(shí)別和NVMe隊(duì)列設(shè)置?支持對(duì)PCIe SSD的NVM Subsystem Reset、Controller
2024-03-09 13:56:04
的基礎(chǔ)。同時(shí)STM32MP135支持高性能DDR3存儲(chǔ)器，在存儲(chǔ)器性能與抖動(dòng)抑制方面實(shí)現(xiàn)極大的優(yōu)化。為了實(shí)現(xiàn)工業(yè)實(shí)時(shí)以太網(wǎng)EtherCAT與標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)TCP/IP通訊同時(shí)運(yùn)行，STM32MP135設(shè)計(jì)了
2024-03-07 20:06:14
工業(yè)控制、儀表與醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用。 而嵌入式鐵電存儲(chǔ)器還加強(qiáng)了微控制器的數(shù)據(jù)安全性，普通存儲(chǔ)器根據(jù)內(nèi)部的存儲(chǔ)區(qū)域中是否存在電荷來記錄數(shù)據(jù)。可以通過從外部掃描
2024-03-06 09:57:22
TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
基于第四代英特爾 至強(qiáng) 可擴(kuò)展處理器的 Curve 高性能分布式存儲(chǔ)方案在吞吐、時(shí)延、TCO 等方面具備出色優(yōu)勢，能夠?yàn)榻鹑凇⒒ヂ?lián)網(wǎng)、交通、能源等各行業(yè)提供高效的云原生存儲(chǔ)解決方案。
2024-02-26 14:01:59104 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NVMe Host Controller IP實(shí)現(xiàn)高性能存儲(chǔ)解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 14:28:30
0 通過多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
我想使用 DAP 協(xié)議對(duì) TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MAX1452 需要使用外部存儲(chǔ)器嗎？ 針對(duì)電橋的calibration怎么做？
2024-01-10 06:41:01
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
為助力企業(yè)用戶構(gòu)建超融合架構(gòu)的現(xiàn)代化數(shù)據(jù)中心，滿足業(yè)務(wù)發(fā)展需求，憶聯(lián)聯(lián)合新華三集團(tuán)在超融合架構(gòu)下打造高性能存儲(chǔ)方案，以此提高數(shù)據(jù)中心的管理效率和資源利用率。一、背景介紹超融合架構(gòu)是通過軟件定義計(jì)算
2023-12-27 18:21:55338 
近期，江蘇潤開鴻數(shù)字科技有限公司（以下簡稱“潤開鴻”）基于高性能RISC-V開源架構(gòu)處理器研發(fā)的OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)開發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800通過OpenHarmony 3.2.2
2023-12-14 17:33:50
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
明渠流量計(jì)廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測量。智能明渠流量計(jì)系統(tǒng)的測量是通過旋槳式流速傳感器來測量流速；通過壓力傳感器測量水位；采用鐵電存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率醫(yī)療植入式刺激裝置無線充電系統(tǒng).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 10:59:252 今天要講的是通過IIC總線來讀寫AT24C512存儲(chǔ)。我們在開發(fā)一些項(xiàng)目的時(shí)候，如果要求對(duì)有些參數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)，且掉電不丟失的話，我們就需要一些外部存儲(chǔ)器件，比如說今天要講的AT24C512存儲(chǔ)器。下面就來看一下今天的例程吧！
2023-11-09 10:00:41660 
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
自舉程序存儲(chǔ)在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動(dòng)外部的存儲(chǔ)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-21 10:03:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在SAM E70/S70/V70/V71 MCU上使用外部存儲(chǔ)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 15:16:020 在SoC中，存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中，根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
4個(gè)Banks連接外部存儲(chǔ)器? 對(duì)外部存儲(chǔ)器的最高訪問頻率可達(dá)100MHz （ HCLK = 200MHz）? 每個(gè)Bank都有獨(dú)立的片選控制? 每個(gè)Bank都可以獨(dú)立進(jìn)行配置? 可編程的時(shí)序可以支持更多的存儲(chǔ)器件? 8/16/32 位數(shù)據(jù)總線? 外部異步等待控制? SDRAM地址映射接口
2023-09-11 08:01:47
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24524 
下表中列出的 STM32 微控制器(MCU)中。這些緩存使用戶從內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器提取指令和數(shù)據(jù)時(shí)或在用于外部存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)流量時(shí)提高應(yīng)用性能并降低功耗。本文檔提供了典型示例，以強(qiáng)調(diào) ICACHE 和 DCACHE 功能，并便于配置。
2023-09-07 07:51:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CLOUD4Y加速云存儲(chǔ)LSI的高性能解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-23 10:35:380 的用戶定義指令的新類別時(shí)，縮短上市時(shí)間。
通過允許您使用ARM架構(gòu)兼容的CPU作為容器來實(shí)現(xiàn)定制的加速器，從而開發(fā)特定于域的架構(gòu)。
根據(jù)到CPU的連接對(duì)加速器進(jìn)行分類的一種方法是：1.直接連接到存儲(chǔ)器
2023-08-23 08:19:20
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
鐵電存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46
性能--ARM調(diào)試架構(gòu)，額外支持實(shí)時(shí)調(diào)試。這使關(guān)鍵異常處理程序能夠在調(diào)試系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行。
?支持外部緊密耦合存儲(chǔ)器（TCM）。為每個(gè)外部指令和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器塊提供TCM接口。指令和數(shù)據(jù)TCM塊的大小都是特定于實(shí)現(xiàn)者的，可以在0KB到1MB之間
2023-08-02 10:17:36
可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
8 存儲(chǔ)器 8.5 外部存儲(chǔ)器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲(chǔ)器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個(gè)內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個(gè)可編程
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
該控制器訪問連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間；使用單獨(dú)的總線分別訪問這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過
2023-06-05 09:47:48
和診斷策略朝著自動(dòng)化方向發(fā)展。因此，需要更多涉及PCB組裝的工作來改進(jìn)行業(yè)中的醫(yī)療設(shè)備。
隨著人口老齡化，PCB組裝在醫(yī)療行業(yè)中的重要性將持續(xù)增長。目前，PCB在MRI等醫(yī)學(xué)成像設(shè)備和心臟起搏器
2023-05-26 14:30:14
Android`設(shè)備支持外部存儲(chǔ)，比如`SD`卡等，保存在外部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)具有全局可讀性，可供在其他設(shè)備比如電腦上閱讀，修改等。使用外部存儲(chǔ)需要獲取外部存儲(chǔ)的訪問權(quán)限`
2023-05-26 11:32:53684 
Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇：
* Shared Preferences
* 內(nèi)部存儲(chǔ)
* 外部存儲(chǔ)
* 本地?cái)?shù)據(jù)庫存儲(chǔ)
* 通過網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫存儲(chǔ)
2023-05-26 11:30:29951 
主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10823 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061411 上的電荷來存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
C51中如何通過一個(gè)外部中斷和定時(shí)器來實(shí)現(xiàn)對(duì)速度的檢測？我的硬件設(shè)計(jì)思路是：車輪每轉(zhuǎn)六分之一周，硬件部分則向單片機(jī)發(fā)一個(gè)脈沖信號(hào)。我的問題是：如何得到“速度=距離/時(shí)間”中的距離和時(shí)間。是不是一定要同時(shí)使用一個(gè)外部中斷和一個(gè)定時(shí)器？
2023-05-08 16:14:13
我想將 i.MX RT1024 與外部 64MB SDRAM 一起使用。根據(jù)數(shù)據(jù)表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存儲(chǔ)器接口。從性能的角度來看，哪種模式更好？如何？如果有任何鏈接/參考可以通過此詳細(xì)信息，請(qǐng)告訴我。謝謝
2023-05-05 11:17:30
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
HongKe—助力高性能視頻存儲(chǔ)解決方案-2—-虹科方案-上篇文章《虹科方案|助力高性能視頻存儲(chǔ)解決方案-1》，我們分享了虹科&ATTO和Avid共同創(chuàng)建協(xié)作解決方案，助力高性能視頻存儲(chǔ)
2023-04-11 11:24:50332 
在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲(chǔ)可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來連接存儲(chǔ)設(shè)備。在單片機(jī)中也集成了多種不同類型的SPI
2023-04-07 16:42:42
的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲(chǔ)器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時(shí)時(shí)鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲(chǔ)器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
內(nèi)部引導(dǎo)模式。當(dāng)我們嘗試通過串行下載程序?qū)θ劢z進(jìn)行編程時(shí)，出現(xiàn)錯(cuò)誤，提示未找到外部存儲(chǔ)器。我們?nèi)绾卧诓蛔x取 boot_cfc2[2:0] 并連接到外部存儲(chǔ)器的情況下對(duì)保險(xiǎn)絲進(jìn)行編程？
2023-04-03 07:03:34
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）：單片機(jī)中的RAM用于存儲(chǔ)程序的變量和中間結(jié)果，它是易失性存儲(chǔ)器，需要外部電源供電。
2023-03-28 18:21:489303 用于高性能應(yīng)用的6軸智能低功耗慣性測量裝置
2023-03-28 13:50:44
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論