放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制，歡迎咨詢。
2024-03-15 09:36:37
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
的功率放大器，如：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制，歡迎咨詢。
2024-03-04 09:49:08
AMCOM的AM08011039WM-00（SN-R）是種光纖寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號增益值，在8V偏置電壓下，在8到11GHz頻率段上的輸出功率>
2024-02-27 09:25:49
卡可以設置一個PIN碼以及一個PUK碼。PIN碼是個人識別碼（Personal Identification Number），PUK碼是個人解鎖碼（Personal Unblocking Key）。在本文
2024-02-19 16:20:56
572 PIN針是公母連接器中的關鍵導體，影響電流和信息傳輸。LC系列公母插頭的PIN針有多種排列，適用于大多數智能設備，采用紫銅導體、冠簧結構等獨特優勢。PIN針與線束壓接成型，避免了焊接氧化的缺點。歡迎了解更多產品信息。
2024-01-27 16:20:39446 
微波天線和基站天線是無線通信系統中常見的天線類型。本文將詳細介紹微波天線和基站天線的定義、作用、結構、特點、應用以及區別等方面。 一、微波天線的定義和作用 微波天線是一種用來接收和發送微波信號的設備
2024-01-09 16:16:10390 的介紹。 一、尺寸標準 連接器pin針的尺寸標準主要包括長度、直徑和形狀等。這些尺寸參數需要精確控制，以保證連接器pin針與插孔的配合精度。長度：連接器pin針的長度是指從插針尾部到插針頭部的距離。長度標準通常包括公差范圍，以確保不同批
2024-01-04 17:00:25896 射頻微波連接器在各種高頻率和高精度信號傳輸領域中發揮著至關重要的作用。啟源微波的連接器有著體積小、機械電氣性能優越、頻帶寬、可靠性高、駐波比小、插損低、耐磨損、耐腐蝕、使用壽命長的特點。隨著
2023-12-14 17:30:39225 
報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
開關和按鈕的不同特點和用法！ 開關和按鈕是常見的電子設備或電器的組成部分，它們在控制電路或操作電子設備時起著關鍵的作用。雖然它們都用于控制電氣電路的通斷或啟停，但它們之間存在一些不同的特點和用法
2023-12-11 10:40:46394 聯合電子決定降低I-Pin端部直線段高度，從根本上解決I-Pin電機的核心問題，即開發X-Pin電機技術。
2023-12-11 09:37:07391 
。由于這些優勢，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達、衛星通信和電源應用等領域被廣泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一個是它不能作為低壓器件使用。下面將詳細探討為什么GaN HEMT不能做成低壓器件，以及該限制的原因。 首先，為了明
2023-12-07 17:27:20337 定向傳輸微波信號和微波能量的傳輸線可稱之為微波傳輸線，常用的TEM模傳輸線有同軸線，微帶線，帶狀線和共面波導，TE模和TM模傳輸線有矩形波導，圓波導，橢圓波導和瘠波導等。本次推文就簡單介紹幾種典型微波傳輸線的理論和仿真分析。
2023-12-07 10:36:45556 
GaN是常用半導體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15909 
在 RF 設計中，當我們旨在將功率從信號鏈中的一個模塊傳輸到下一個模塊時，駐波是不可取的。事實上，駐波會影響不同射頻和微波系統的性能，從電波消聲室到微波爐等日常電器。
2023-12-04 11:31:11558 
MSUSB30/MSUSB30N 是一款高速、低功耗雙刀雙擲 USB 模擬開關芯片，其工作電壓范圍是+1.8V 至+5.5V。可Pin to Pin兼容FSUSB30/SGM7222。其具有低碼間偏移、高通道噪聲隔離度、寬帶寬的特性。
2023-11-30 14:26:46177 
產品，包括各種單個功能射頻芯片以及高集成芯片解決方案，可 用于無線微波通信、測試與測量儀器儀表以及軍工等高可靠性市場。ADI同時提供豐富的設計資源，為RF系統的開發提供了極大便 利，包括免費設計工具、FMC快速原型開發平臺、Circuits from the Lab? 參考設計和
2023-11-28 16:06:36
5 GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質脆材質特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現的問題。同時，GaN產品的高壓特性，也在封裝設計過程對爬電距離的設計要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
射頻（RF）濾波器是所有RF/微波系統的基礎元件，特別是具備多個信道或頻段的無線通信系統。RF濾波器的主要功能是衰減某些不需要頻段中的信號，而只對所需頻段中的信號產生最小的影響。
2023-11-21 09:16:06485 
電子發燒友網站提供《開關電源中的硬開關和軟開關介紹.doc》資料免費下載
2023-11-14 09:49:270 電子發燒友網站提供《主要RF微波放大器性能點評.pdf》資料免費下載
2023-11-10 15:20:020 電子發燒友網站提供《SDH數字微波通信技術的組成、特點及應用.pdf》資料免費下載
2023-11-10 14:45:120 穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
今天就來了解一下，氮化鎵（GAN)在應用過程中具有那些性能特點？
2023-11-09 11:43:53434 GaAs器件在微波領域的應用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數字單芯片集成電路等。
2023-11-08 11:01:19186 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
普通二極管是P型半導體與N型半導體結合構成，而PIN則在P型半導體與N型半導體之間夾了一層I型半導體(即本征半導體)
2023-10-18 17:35:06366 
本文介紹雙極性SPWM控制的特點，雙極性控制都是高頻開關，沒有工頻開關。Q1,Q2同步開關，Q3,Q4同步開關。
2023-10-18 12:23:221172 
今天來給大家推薦一個 Python 當中超級好用的內置函數，那便是 lambda 方法，本篇教程大致和大家分享 什么是 lambda 函數 lambda 函數過濾列表元素 lambda 函數
2023-10-17 11:27:48556 射頻（Radio Frequency，RF）和微波（Microwave）是電磁波的兩種特定頻率范圍，它們在許多方面有相似之處，但也有一些顯著的區別。
2023-10-16 15:15:19909 Java Lambda表達式是Java 8中最重要的新特性之一。 它們是一種可傳遞的匿名函數，可以作為參數傳遞給方法或存儲在變量中，因此可以在需要的時候調用它們。 基礎 1. 簡介 Lambda
2023-09-30 10:29:002262 上一章主要介紹了虹科高速數字化儀的特點、RF測試選型以及RF動態范圍測量示例，本章將繼續為大家介紹多通道采集分析正交調制信號、RF頻率響應測量等內容。RF測試分析數字化儀獲取數據并將其用于測量和分析
2023-09-23 08:05:11310 
目前中小 功率開關電源正朝著單片集成化的方向發展，本文詳細闡述近年來問世的各種單片開關電源的性能特點及典型應用
2023-09-22 06:01:11
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優良材料，也是在藍色發光器件中具有重要應用價值的半導體。。GaN材料的研究和應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是發展微電子器件和光電子器件的新型半導體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
開關電源芯片U8722X是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。
2023-09-07 15:52:10466 M12連接器2pin外殼通常由金屬或塑膠材料制成，具有保護M12連接器2pin和維持M12連接器2pin接口位置的作用。
2023-09-06 11:41:59990 
品英Pickering作為用于電子測試和驗證的模塊化信號開關和仿真解決方案的全球供應商，于近日發布了一款全新的免費在線使用的微波開關設計工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45308 2023年8月，品英Pickering——用于電子測試和驗證的模塊化信號開關和仿真解決方案的全球供應商，于近日發布新款基于PXI/PXIe的微波開關產品（40/42-890系列），為PXI產品家族
2023-08-31 14:14:07351 Java8 的一個大亮點是引入 Lambda 表達式，使用它設計的代碼會更加簡潔。當開發者在編寫 Lambda 表達式時，也會隨之被編譯成一個函數式接口。
2023-08-24 10:25:22151 隨著能夠高頻驅動的半導體“GaN”的普及，開關電源的高頻化也逐漸變成了現實。變壓器產品中使用鐵氧體材料，但根據驅動頻率的不同，磁芯損耗（鐵耗）會有很大的變化，這是變壓器設計的關鍵。本文將介紹為GaN
2023-08-22 17:06:07606 
XBG-M556是一款采用多普勒雷達技術,專門檢測物體移動的微波感應模塊。采用2.9G微波信號檢測，該模塊具有靈敏度高
2023-08-15 18:01:12605 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
該PIN二極管射頻開關是VHF和UHF的理想天線開關，可與PIN二極管配合使用，PIN二極管是具有非常低內部電容的特殊高頻開關二極管。PIN二極管的內阻可以通過直流控制電壓在1至10.000
2023-07-25 15:25:071597 
Lambda表達式是一個可以內聯在我們代碼中的函數，我們可以將他傳遞給另外一個函數。
2023-07-18 16:26:14412 摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對GaAs功率芯片與MoCu基板進行焊接，分析了焊接溫度、摩擦次數等工藝參數對共晶焊接的影響，給出了GaAs芯片共晶焊的工藝參數控制要求，通過掃描電鏡
2023-07-15 14:01:421276 
Lambda架構（Lambda Architecture）是由Twitter工程師南森·馬茨（Nathan Marz）提出的大數據處理架構。這一架構的提出基于馬茨在BackType和Twitter上的分布式數據處理系統的經驗。
2023-07-15 12:47:13215 
GaAs工藝中也可以像傳統的Si工藝一樣集成無源和有源器件，但GaAs在某些方面會比Si工藝有優勢，尤其是高頻應用。
2023-07-11 10:42:341847 
CMPA2560025F是一種高電子遷移率的氮化鎵（GaN）基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優越的性能，包括擊穿電壓越高，飽和電子漂移速度越高導熱性
2023-07-05 15:04:321 在彩色電視機和其他一些電子設備中采用開關電源，開關電源中采用開關變壓器，以下介紹了開關變壓器的工作特點是什么，以及開關變壓器電路的分析方法及注意事項，供大家參考。
2023-07-04 16:09:45885 
在小功率無線產品射頻開關電路設計中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。
2023-07-04 15:02:181539 
領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優良特性
2023-06-25 15:59:21
該款全新免費在線工具，方便定制LXI微波開關系統配置 ? 2023 年6月 21 日，于英國Clacton-on-Sea。 Pickering Interfaces作為用于電子測試和驗證的模塊化信號
2023-06-21 16:55:07383 電子發燒友網站提供《使用SmartThings控制RF開關.zip》資料免費下載
2023-06-20 11:30:031 GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
標準1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經能夠將開關頻率推到600 kHz以上，同時保持97.5%的效率。當結合行業領先的圖騰柱PFC，峰值整個系統的效率達到80Plus制定的Titanium標準。
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
英國Pickering公司作為用于電子測試和驗證的模塊化信號開關和仿真解決方案的全球供應商，于今日發布了一款全新的免費在線使用的微波開關設計工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:19321 在使用這款交互式在線工具時，工程師可以設計不同組合的高性能微波LXI繼電器，可選帶寬最高110GHz，阻抗50Ω或75Ω，以及一系列連接器類型，還可以選擇包括各個微波開關元器件的位置到相關的標簽要求
2023-06-15 14:21:31344 BAL-0003RF/微波巴倫（或變壓器）是一種設備，它以給定的阻抗接收輸入信號，并以（可能）不同的輸出阻抗輸出相同的信號和信號的反相版本。它們適用于差分信號、集成電路測試以及一般實驗室和實驗用途
2023-05-26 17:23:20
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
RF LDMOS之于早期蜂窩網絡，氮化鎵（GaN）之于現代和高頻應用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優勢：
2023-05-24 10:11:56686 GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011374 
所謂，RF MEMS 開關，是一種是小型的微機械開關，功耗低，可以使用傳統的 MEMS 制造技術生產。它們類似于房間中的電燈開關，其中觸點打開或關閉以通過開關傳導信號。在 RF MEMS 器件的情況下，開關的機械組件只有微米級尺寸。與電燈開關不同，在 RF MEMS 開關中傳導的信號在射頻范圍內。
2023-05-23 15:09:18776 
和Coff可以做的很小，便于實現很好的開關特性，但是，PIN二極管的偏置電源電壓需要通過低通濾波器直接施加到RF信號端，PIN的集成也非常昂貴。相較于二極管，FET是三端口器件，不需要通過低通濾波器就可以
2023-05-23 15:07:282738 
在《[射頻開關（RF Switch）基礎]》討論了高頻信號中信號衰減的發生方式和原因。它還討論了造成這種性能下降的兩個主要原因：線路中的功率耗散和傳輸線路中的反射引起的功率損耗。然而，迄今為止所有
2023-05-23 15:04:351102 
RF MEMS開關是一種小型微機械開關，具有低功耗，可以使用傳統的MEMS制造技術生產。它們類似于房間里的開關，通過打開或關閉接觸點來傳導信號。
在RF MEMS設備的情況下，開關的機械部件僅有幾微米大小。與普通開關不同的是，RF MEMS開關傳導的信號處于射頻范圍內。
2023-05-23 14:58:51860 
EGN-RF-SWITCH-01控制盒是恩基尼（上海）物聯科技有限公司基于目前市面上廣為需求的免換傳統墻體開關嵌入式控制方案。控制盒支持RF無線學習/控制并兼容傳統開關。
2023-05-23 14:56:391187 
和帶寬（例如 NI PXI-2594 2.5 GHz 4x1 多路復用器）。雖然這些規格在評估階段確實很重要，但它們并沒有為買家提供足夠的信息來做出明智的購買決定。本教程的目的是向您介紹設計 RF 開關網絡時必須考慮的以下七個重要規范：
2023-05-23 14:50:211477 
從工作原理上進行分類，RF微波開關可以分為機電開關和固態開關，機電開關包括電磁繼電器和舌簧繼電器。機電開關是依靠機械接觸作為其機械結構，而固態開關稱為無觸點開關，一般由電力電子技術實現
2023-05-23 14:47:401086 
RF開關是無線通信設備內的高頻電路中，用于信號路徑切換的元件。
1天線開關模塊
天線開關模塊是用于手機無線電路，是附加在ANT底部以及GSM用LPF等的附加電路
2023-05-23 14:39:161303 
射頻微機電系統(RF MEMS)是MEMS技術的一大重要應用領域，也是20世紀90年代至今研究MEMS技術各領域中飛速發展的熱點。射頻微機械開關體積小，功耗低，且插入損耗、隔離度等微波性能均遠優于
2023-05-23 14:35:50610 
從驅動方式和機械結構的角度介紹了不同的RF MEMS開關類型，分析了各類MEMS開關的性能及優缺點，分析了MEMS開關在制作和發展中面臨的犧牲層技術、封裝技術、可靠性問題等關鍵技術和問題，介紹了MEMS開關的發展現狀及其在組件級和系統級的應用，以及對MEMS開關技術的展望
2023-05-23 14:29:05517 
射頻微波開關可在傳輸路徑內高效發送信號，此類開關的功能可由四個基本電氣參數加以表征。
2023-05-22 10:11:35725 
，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和軍用雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2023-05-19 11:50:49626 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過[氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-05-17 10:19:13832 
本文內容翻譯自一篇Qorvo的應用筆記，雖然標題是針對GaN偏置電路設計的一些基本準則，但實際上對GaAs也是適用的。基于化合物半導體做射頻功放的同學應該都是有概念的，正好這篇文章做了總結，就隨手分享共同學習一下。
2023-05-10 09:52:512538 
UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨瀏覽，可以產生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 64pin 國標封裝) (R20UT1425XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-05-05 19:16:150 RF 頻率范圍通常為 500 MHz 至 2 GHz，高于 100 MHz 的設計被視為 RF。微波頻率范圍高于 2 GHz。射頻和微波電路與典型的數字和模擬電路之間存在相當大的差異。本質上，射頻信號是非常高頻的模擬信號。
2023-04-29 17:35:00901 
GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
那么，這是否意味著GaN將在每種應用中取代GaAs？答案是否定的，這就是為什么Microchip生產分立式以及GaN和GaAs MMIC產品，并擁有業內最廣泛的RF半導體產品之一，從低
2023-04-23 09:44:14329 
Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 52pin 國標封裝) (R20UT1387XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-04-21 19:51:060 、光伏發電、光伏逆變器等領域。 GaN功率器件有哪些優勢？功率密度高，開關速度快，損耗低，功耗小；高頻高速，可以有效降低系統成本；可在更高頻率下工作；更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優勢 GaN功率器件是在傳統的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:42831 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 100pin 國標封裝)
2023-04-20 19:40:320 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 64pin 國標封裝) (R20UT1380XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-04-20 19:24:260 GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術的功率器件，具有較低的導通電阻和開關損耗、高的開關速度和可靠性。其特點和優勢如下：1. 低導通電阻：GaN:RX65T300 HS2A的導通電
2023-04-20 15:16:01618 在 Python 中，Lambda 表達式是一種非常強大的工具，它可以讓你快速創建小型匿名函數，而不需要顯式地定義函數名稱。Lambda 表達式通常用于傳遞函數對象或簡單的函數式編程。
2023-04-19 15:51:11683 在 Python 中，Lambda 表達式是一種非常強大的工具，它可以讓你快速創建小型匿名函數，而不需要顯式地定義函數名稱。Lambda 表達式通常用于傳遞函數對象或簡單的函數式編程。
2023-04-19 15:49:58479 SW-231-PIN（非 RoHS）匹配的 GaAs SPST 開關（非 RoHS）匹配的 GaAs SPST 開關 MACOM 的 SW-231-PIN 是一款
2023-04-17 11:39:16
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設計軟件;熟悉CMOS、GaN、GaAs、IPD 等多個廠家的工藝;具有多次射頻/微波/毫米波前端芯片的流片成功經驗。
2023-04-15 14:00:44842 薄膜開關的三大特點，希望大家通過本文的介紹，可以對薄膜開關的工作有一定的認識與了解：（1）密封性能好：因為薄膜開關是一種整體都密封起來的零件，開關的觸點不受外界環境的干擾，所以不用擔心腐蝕的問題，也不容易產生氧化;同時還可以防灰塵的污染，可以應用在各種惡劣的環境中....
2023-04-14 16:53:33606 
通常來說，lambda起到了一種函數速寫的作用，允許在使用的代碼內嵌入一個函數的定義。在你僅需要嵌入小段可執行代碼的情況下它們會帶來一個更簡潔的代碼結構。
2023-04-03 11:44:29584 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-04-03 11:12:17553 
的問世，固態器件開始在低頻段替代真空管，尤其是隨著GaN，SiC等新材料的應用，固態器件的競爭力已大幅提高[1]。本文將對兩種器件以及它們競爭與融合的產物——微波功率模塊（MPM）的發展情況作一介紹與分析，以充分了解國際先進水平，也對促進國內技術的發展有所助益。
2023-03-29 09:24:45880
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