IGD系列IGBT驅(qū)動器內(nèi)部框電路
2010-02-19 11:17:42
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設(shè)一家新的設(shè)計中心。該設(shè)計中心將基于其驅(qū)動核開發(fā)半定制門極驅(qū)動設(shè)計，并利用CONCEPT的SCALE-2平臺為大型項
2013-01-17 16:36:441176 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動器出廠提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 現(xiàn)有IGBT 型號為H20R1202 要設(shè)計他的驅(qū)動電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計過IGBT驅(qū)動電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個驅(qū)動MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動上嗎？
2016-04-01 09:34:58
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計計算方法，經(jīng)驗公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2019-02-03 21:00:00
IGBT、MOS驅(qū)動器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動器可用來直接驅(qū)動電機。 不過，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
你好，我正在尋找這兩個MOSFET的驅(qū)動器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅(qū)動器。這款緊湊型新驅(qū)動器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時供貨
2021-09-09 11:00:41
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應(yīng)用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動器；交流和無刷直流電動機驅(qū)動器；電磁爐頂；工業(yè)變頻器；開關(guān)電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計計算方法，經(jīng)驗公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2021-07-26 14:41:12
電機驅(qū)動設(shè)計中MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計相關(guān)文章資料，大家可以看看，對大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
柵極驅(qū)動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動器。請問mosfet驅(qū)動器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動器，用于故障信號通信。IX6611設(shè)計用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動IGBT的驅(qū)動器？代碼應(yīng)該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網(wǎng)的時候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊的時候挖到的一篇文章。根據(jù)電機控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流，同時選用時應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
如何實現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動設(shè)計？在設(shè)計驅(qū)動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達 100A，運行頻率高達 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動器
2018-09-30 09:23:41
的額外電壓降。 特性在半橋配置中支持 2 個 IGBT 閘極驅(qū)動器推挽式拓撲可通過單個控制器實現(xiàn)適用于三相電源的并行變壓器級適用于更高功率驅(qū)動器的可擴展電源可為每個 IGBT 提供兩個隔離式輸出：+16V
2015-04-27 17:31:57
的額外電壓降。特性在半橋配置中支持 2 個 IGBT 閘極驅(qū)動器推挽式拓撲可通過單個控制器實現(xiàn)適用于三相電源的并行變壓器級適用于更高功率驅(qū)動器的可擴展電源可為每個 IGBT 提供兩個隔離式輸出：+16V
2015-03-23 14:35:34
本文介紹了在步進電機驅(qū)動器中利用IR2110S完成mosfet驅(qū)動的設(shè)計，并給出試驗結(jié)果。關(guān)鍵詞 步進電機；mosfet 驅(qū)動器
2009-03-31 23:29:46
55 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動技術(shù)以及當(dāng)前市場上的各類成品驅(qū)動器的性能特點。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 當(dāng)今多種MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進步日新月異。要根據(jù)MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對如何將MOSFET 驅(qū)動器與MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:0595 摘要：IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MoSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點和參數(shù)限制，同時剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:4656 MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計本應(yīng)用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時間將MOSFET 驅(qū)動器的
2010-06-11 15:23:20212 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 SCALE驅(qū)動是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動板，可用于驅(qū)動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應(yīng)用電路。
2010-10-16 17:29:3144 摘要：SCALE驅(qū)動是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動板，可用于驅(qū)動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典
2006-03-11 13:02:111878 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006018 
SCALE驅(qū)動器的半橋接線電路
2010-02-18 21:55:541409 
SCALE驅(qū)動器接線電路
2010-02-18 22:03:141459 
SCALE系列集成驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框電路
2010-02-18 22:30:561131 
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計計算方法，經(jīng)驗公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2011-09-20 11:55:03245 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44692 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強絕緣技術(shù)，而且還提供最大8 A的驅(qū)動電流。
2016-05-10 17:39:341346 雙路智能大功率IGBT驅(qū)動器
2017-03-04 17:50:193 美國加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:09946 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個中央絕緣主控制(IMC)和一到四個模塊適配型門極驅(qū)動器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅(qū)動器系統(tǒng)可輕松實現(xiàn)業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯(lián)。
2019-08-01 16:06:132439 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
2020-03-05 14:27:583784 SCALE-2單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power
2020-03-08 10:27:072136 近期 Vulkan 勢頭不小，游戲引擎 Godot 計劃年中發(fā)布的 4.0 大版本中將支持 Vulkan，Raspberry Pi 也即將迎來 Vulkan 的支持。現(xiàn)在我們還可以看到 FFmpeg 也將支持 Vulkan。
2020-03-16 09:38:552182 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具有獨立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0049 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設(shè)計。
2020-08-13 15:31:282476 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
SDK 1.2.162.0版本，完整支持新的Vulkan光追擴展，包括驗證層（Validation Layers），更新版GLSL、HLSL、SPIR-V著色器工具鏈的集成，開源的Vulkan實例
2020-12-16 13:32:296012 根據(jù)英偉達官方的消息，英偉達新發(fā)布的 Game Ready 驅(qū)動正式支持 Vulkan 光線追蹤，另外英偉達還更新了《雷神之錘 II》RTX 版游戲 Demo ，支持全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 英偉達表示
2020-12-25 09:03:582410 Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時，驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路。
2021-02-08 17:38:007374 
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357 
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動器可靠、安全地驅(qū)動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGBT 外形尺寸。它非常適合高壓直流輸電和鐵路行業(yè)的高可靠性應(yīng)用。
2021-06-26 18:15:452236 的SCALE-iFlex Single門極驅(qū)動器和新型即插即用型SCALE-iFlex LT雙通道門極驅(qū)動器。 SCALE-iFlex Single SCALE-iFlex Single緊湊型新驅(qū)動器支持耐壓
2021-09-22 16:09:463657 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應(yīng)用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 采用 IGBT 的電機驅(qū)動器中的噪聲管理
2022-11-15 20:27:511 ACPL-339J是一款先進的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機IGBT門驅(qū)動光耦合器接口。專為支持而設(shè)計MOSFET制造商的各種電流評級，ACPL-339J使它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)
2022-12-15 13:58:19779 
使它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)額定功率使用一個硬件平臺通過交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關(guān)。這個概念最大化了門驅(qū)動器設(shè)計的可伸縮性電機控制和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用范圍從低到高額定功率。
2023-02-22 14:54:521 在對功率模塊選型的時候要根據(jù)功率模塊的參數(shù)匹配合適的驅(qū)動器。這就要求在特定的條件下了解門級驅(qū)動性能和參數(shù)的計算方法。 本文將以實際產(chǎn)品中用到的參數(shù)進行計算說明，并且對比實際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3912 柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 介紹
在設(shè)計電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機驅(qū)動器或電源）時，設(shè)計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導(dǎo)致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34809 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護
2023-12-14 11:37:10288 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36580 
電橋電路柵驅(qū)動器和MOSFET柵驅(qū)動器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:3650 
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