德州儀器 （TI） 宣佈針對(duì)絕緣閘雙極性電晶體 （insulated-gate bipolar transistors；IGBT） 與MOSFET推出一款隔離式閘極驅(qū)動(dòng)器，速度比同等光學(xué)閘極驅(qū)動(dòng)器快40%。 ISO5500 的輸入 TTL 邏輯與輸出
2012-10-09 08:46:04
824 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 40V/2.5A同步降壓或升壓降壓控制器ISL85403，集成高邊MOSFET和低邊驅(qū)動(dòng)器一款具有高邊MOSFET和低邊驅(qū)動(dòng)器的40V，2.5A同步降壓或升壓降壓控制器--ISL85403。該芯片
2019-03-13 04:24:07
轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
描述AT2100是一種便于使用的內(nèi)部集成了譯碼器的智能步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。其輸出驅(qū)動(dòng)能力達(dá)到32V ±2.5A，最高支持16細(xì)分，同時(shí)支持插補(bǔ)細(xì)分工作功能。AT2100支持電壓衰減，使其完全靜音工作
2018-05-30 09:40:11
2.5A充放電，95%效率二合一IC,樣片及技術(shù)支持：947003649
2016-09-07 09:39:06
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的特性是什么？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的優(yōu)點(diǎn)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的產(chǎn)品參數(shù)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的注意事項(xiàng)有哪些？
2021-06-29 09:05:41
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，有高配版（含硅膠線、排針、端子）及標(biāo)配版可供選擇，供電電壓2V~10V，可同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或者1個(gè)4線2相式步進(jìn)電機(jī)，可實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)和調(diào)速的功能，有熱保護(hù)
2021-06-29 07:25:56
IGBT、MOS驅(qū)動(dòng)器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動(dòng)器可用來直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)。 不過，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。在如今興起的新能源電動(dòng)車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
2023-02-21 15:53:05
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器，這種器件具有多種集成特性，如去飽和檢測(cè)和軟關(guān)斷（以便在故障情況下保護(hù) IGBT）。外部 BJT 電流增壓級(jí)可提高柵極驅(qū)動(dòng)電流 (15A)，而不必犧牲軟關(guān)斷特性。此外，該設(shè)計(jì)展示了在
2018-12-07 14:05:13
發(fā)生故障，僅僅是因?yàn)槟承?shù)字性溢出故障。
圖1：超級(jí)結(jié)MOSFET (a)和IGBT (b)橫截面，模型中包含嵌入式樣品制程參數(shù)
圖2：可從一個(gè)物理模型擴(kuò)展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40:05
的效率密切相關(guān)。 對(duì)于門驅(qū)動(dòng)器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅(qū)動(dòng)能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應(yīng)用 與MOSFET相比，IGBT開關(guān)速度較慢
2022-06-28 10:26:31
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC，可驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá) +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級(jí)，所有 NMOS 晶體管設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動(dòng)
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
MIC37252的典型應(yīng)用：2.5A，低壓電容LDO穩(wěn)壓器。 Micrel MIC37252是一款2.5A低壓差線性穩(wěn)壓器，可提供低電壓，高電流輸出和最少的外部元件。它具有高精度，低壓差和低接地電流
2019-04-23 08:44:22
描述：NCP302045MNTWG在一個(gè)封裝中集成了 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè) MOSFET 和低壓側(cè) MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉(zhuǎn)換器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù)，以確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)程序使用2個(gè)獨(dú)立輸入
2019-10-12 10:31:24
SCALE-2技術(shù)可優(yōu)化外形尺寸，提高耐壓在3300V以內(nèi)的功率逆變器和變換器的效率、性能和深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)
2021-09-09 11:00:41
相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)電機(jī)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化。推薦產(chǎn)品：BM6202FS-E2；ROHM其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性參數(shù)：輸出MOSFET電壓：600V驅(qū)動(dòng)器輸出電流(DC）：±1.5A(最大)驅(qū)動(dòng)器輸出電流
2019-12-28 09:47:29
SLM346光兼容單通道隔離柵驅(qū)動(dòng)器代替TLP5772 具有低延時(shí)，模瞬態(tài)抗擾能力強(qiáng)，壽命長(zhǎng) 一般描述：SLM346是一款光兼容單通道，隔離柵驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-5-16 09:52 編輯
一般描述：SLM346是一款光兼容單通道，隔離柵驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A匯峰值輸出
2021-05-16 09:23:35
驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和2.5A，源和2.5A匯峰值輸出電流和5kVRMS加強(qiáng)隔離等級(jí)。SLMi350罐驅(qū)動(dòng)低壓側(cè)和高壓側(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。鑰匙，特點(diǎn)和特點(diǎn)帶來顯著的，性能和可靠性升級(jí)超過
2021-03-30 18:09:09
詳細(xì)說明:TLP352是可直接驅(qū)動(dòng)中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。該產(chǎn)品的延遲時(shí)間為200 ns，光電耦合器之間的傳輸延遲時(shí)間差(PDD*) 為90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些
2017-04-15 15:48:51
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)相關(guān)文章資料，大家可以看看，對(duì)大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對(duì)反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過如下方式評(píng)估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
(PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來運(yùn)行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動(dòng)的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
IGBT沒有體二極管或者IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管壞掉了。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護(hù)
2022-06-10 15:16:08
FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器的評(píng)估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器的評(píng)估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-28 10:36:39
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
FEBFOD8316是FOD8316智能柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器的評(píng)估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障。引腳兼容引腳
2019-04-29 06:29:43
測(cè)試板。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果： 電流源驅(qū)動(dòng)器和傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)器板均使用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。評(píng)估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可輕松用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動(dòng)IGBT的驅(qū)動(dòng)器？代碼應(yīng)該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測(cè)試
2023-03-23 16:01:54
ModuleSI8261BCC-C-ISRSilicon Labs18+9800 門驅(qū)動(dòng)器 3.75kV Optoinput sgl channel 2.5A driverTPS2813PWRTexas
2018-08-02 09:39:35
這兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器能驅(qū)動(dòng)42,57步進(jìn)電機(jī)嗎？電壓、電流大概是24V、2.5A
2016-12-21 09:29:08
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運(yùn)行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動(dòng)器
2018-09-30 09:23:41
你好， 我想操作12V 2.5A額定電磁閥。 我想知道什么樣的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC適合它（通過pwm控制）。我對(duì)IC的RMS電流和峰值電流額定值感到困惑。 如果我選擇安培額定值高于螺線管的IC，那該怎么辦
2018-11-28 10:23:59
，1.0A，1.5A，2.5A，3.0A，4.0A 以及 5.0A。你可以參考隔離產(chǎn)品選型指南 9、請(qǐng)問：最大輸出電流可以達(dá)到多少安培?謝謝! 根據(jù)您選擇的器件型號(hào)，Avago的光耦門極驅(qū)動(dòng)器最大輸出電流可以達(dá)到0.4A，0.6A，1.0A，1.5A，2.5A，3.0A，4.0A 以及 5.0A。
2018-11-05 15:38:56
，可提供完全經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅(qū)動(dòng)工業(yè)電源逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT和功率MOSFET。最終結(jié)果是易于使用，緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電
2018-08-18 12:05:14
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器，用于HB LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，高壓應(yīng)用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:041653 
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054
Maxim不久前推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054。該器件能夠?yàn)樾枰捎媒祲夯蛏祲和負(fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高
2010-02-01 10:03:00637 Avago Technologies今日宣布推出2.5A最大輸出驅(qū)動(dòng)ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅(qū)動(dòng)，該產(chǎn)品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和
2010-07-23 08:58:49931 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44691 器件的高度為2.5 mm，具有高隔離電壓，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可替代能源和其他高壓應(yīng)用
2015-05-28 16:23:57798 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強(qiáng)絕緣技術(shù)，而且還提供最大8 A的驅(qū)動(dòng)電流。
2016-05-10 17:39:341346 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations這家為中高壓變頻器應(yīng)用提供閘極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，宣布出廠保形涂層用于其SCALE IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。保形涂層透過保護(hù)電子元件免于接觸污染物(例如
2018-05-07 08:28:011132 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
2020-03-05 14:27:583783 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0049 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:003144 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
ACPL - 332J 是一種先進(jìn)的 2.5 A 的輸出電流，方便易用的智能化的門極驅(qū)動(dòng)器使得 IGBT 的 Vce 的故障保護(hù)更加緊湊，價(jià)格合理，且易于實(shí)現(xiàn)功能，如集成的Vce 檢測(cè)，欠壓鎖定（UVLO），IGBT 的“軟”關(guān)斷，隔離的集電極開路故障反饋和有源米勒鉗位提供最大的設(shè)計(jì)靈活性和保護(hù)電路。
2021-04-07 16:14:4946 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V ■ 輸入
2022-07-30 16:48:441471 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:390 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2023-03-01 11:02:141 為滿足汽車市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級(jí)高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3
2022-07-30 16:06:031436 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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