具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實(shí)際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個(gè)變化。
2021-05-19 09:56:40
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傳統(tǒng)上，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）技術(shù)依賴于時(shí)序測(cè)量，例如建立和保持時(shí)間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高，信號(hào)完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對(duì)于DDR5，定時(shí)測(cè)量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號(hào)的眼圖模板測(cè)量所取
2022-12-07 14:34:271944 
I3C生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)展加速了數(shù)據(jù)中心和嵌入式平臺(tái)及應(yīng)用中DDR5解決方案的產(chǎn)品認(rèn)證和采用。
2020-09-30 10:14:243426 近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時(shí)序40-40-40? 1.1V ，容量16G（單面）/32G（雙面
2021-04-27 09:00:0013496 年Q3，DDR4在PC行業(yè)占有率依然達(dá)到96.7%，服務(wù)器行業(yè)占有率為98%。因此，準(zhǔn)確來說，目前依然是DDR4時(shí)代，正處于DDR5蓄勢(shì)爆發(fā)的前夜。 Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁
2022-08-31 09:23:201560 顆粒廠商也同時(shí)在研發(fā)DDR5的產(chǎn)品，但是最終的標(biāo)準(zhǔn)直到2020年下半年才正式登場(chǎng)！ 好，那我們趕緊開始說點(diǎn)關(guān)于DDR5的干貨吧。首先我們有一張表格可以基本總結(jié)了DDR4到DDR5有哪些重要的更新。高速
2021-08-12 15:42:06
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 08:19:59
國(guó)產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
】占空比調(diào)節(jié)器 (DCA，Duty Cycle Adjuster)
占空比調(diào)節(jié)器（DCA）支持主控通過調(diào)節(jié)DDR5內(nèi)部占空比，在一定的范圍內(nèi)補(bǔ)償數(shù)據(jù)選通信號(hào)（DQS）和數(shù)據(jù)信號(hào)（DQ）的占空比失真，該
2023-06-28 09:09:11
MCU實(shí)現(xiàn)I/O口擴(kuò)展。AT8574/8574A在I2C總線上充當(dāng)從器件，還帶有漏極開路的中斷引腳INT————，可與MCU的中斷邏輯引腳相連。通過INT————發(fā)送中斷信號(hào)，所擴(kuò)展的I/O口不必
2014-05-12 13:40:47
的缺陷如下：sensor等設(shè)備的增加，對(duì)控制總線的速度和功耗提出了更加嚴(yán)苛的要求；處于解決上述問題的原因，推出了I3C的接口總線和協(xié)議.
2018-10-26 09:35:52
由于不太熟悉瑞薩的DA16200的固件，使用DA16200 DA16600 MultiDownloader刷寫固件的時(shí)候，選了FreeRTOS，導(dǎo)致現(xiàn)在串口刷不進(jìn)程序，Read Version
2023-03-05 00:53:07
系列產(chǎn)品和內(nèi)置瑞薩最新存儲(chǔ)器的QzROM為最鮮明的產(chǎn)品代表?！ 〉统杀尽⑸俟苣_、小型封裝的Tiny家族 由H8/ Tiny 系列、R8C/ Tiny 系列、M16C/ Tiny 系列和SH
2012-08-08 19:59:58
）；CPU是R8C；產(chǎn)品命名：R8C/Tiny，其中R代表瑞薩，8代表內(nèi)部外設(shè)總線寬度（CPU：16位），C代表小型（沿用M16C系列命名），/代表沿用M16C系列命名，Tiny代表最少引腳的單片機(jī)和片上
2013-01-21 17:24:11
使用KEIL5編譯環(huán)境，按照瑞薩單片機(jī)加載rtthread教程，移植rtthread到RA4M3完成后編譯通過，運(yùn)行時(shí)發(fā)現(xiàn)進(jìn)不去主線程，調(diào)試顯示hard fault on handler.
2022-08-05 10:17:28
跪求瑞薩R5F71253D50FA芯片的中文資料！謝謝了！
2015-12-05 08:03:46
瑞薩科技和量研科技，宣布合作開發(fā)新型的電容式觸摸感應(yīng)解決方案。憑借雙方公司杰出的產(chǎn)品質(zhì)量、產(chǎn)品性能和可靠的供應(yīng)鏈基礎(chǔ)，客戶將通過此次合作獲益于瑞薩MCU 系列產(chǎn)品之上的量研科技的專業(yè)和創(chuàng)新
2018-11-20 15:45:46
有那位兄弟用過瑞薩單片呀，，，其中總線那塊是怎么配置的呀怎樣配置出這樣的時(shí)序
2016-03-07 20:10:14
瑞薩MCU的數(shù)據(jù)手冊(cè)，很實(shí)用的
2015-08-07 18:42:43
。新產(chǎn)品群還具有128KB和256KB閃存選項(xiàng)及40KB SRAM，集成了片上CAN FD、USB、QSPI、SSI和I3C接口等豐富的連接選項(xiàng)，并提供升級(jí)至RA產(chǎn)品家族其它成員的便捷途徑。這些新產(chǎn)品將成
2023-03-14 15:30:18
2023 年 3 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子（又稱：Renesas注1)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時(shí)該注意哪些事項(xiàng)？具體該怎么操作？
2019-08-19 06:47:04
瑞薩科技將以高端微控制器SuperH RISC engine系列（以下簡(jiǎn)稱SH系列）拓展中國(guó)市場(chǎng)。瑞薩是現(xiàn)今高居全球市場(chǎng)份額第一（*1）的MCU制造商。而SH系列則是瑞薩產(chǎn)品線中最為高端的產(chǎn)品
2019-07-23 06:39:44
定時(shí)器、監(jiān)視定時(shí)器、振蕩停止檢測(cè)等。豐富的外圍功能、高可靠性設(shè)計(jì)和高質(zhì)量生產(chǎn)使得R8C/Tiny系列廣泛應(yīng)用于家電。辦公室自動(dòng)化設(shè)備、音響和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。 H8/36064集成了瑞薩H8/300H
2015-01-27 15:31:50
瑞薩解決方案之LCD直接驅(qū)動(dòng)瑞薩車載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī)方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī) (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數(shù)字照明
2015-01-30 18:27:24
我們目前正在開發(fā)一種實(shí)現(xiàn) HX3 CYUSB3304 USB集線器的產(chǎn)品。 我們將集線器設(shè)置為I2C從站，根據(jù)文章KBA90943從外部I2C主站進(jìn)行配置 。 如果我們通過 I3C 集線器發(fā)送在
2024-02-26 06:27:19
本次發(fā)布 I3C DDR eXtension 支持 IP Core Generator 編譯生成 I3CDDR 軟核。I3C DDR eXtension 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)已配置一例特定參數(shù)，可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的綜合，布局布線。
2022-10-09 07:14:53
Gowin I3C DDR eXtension用戶指南主要內(nèi)容包括功能特點(diǎn)、端口描述、時(shí)序說明、配置調(diào)用、參考設(shè)計(jì)等。主要用于幫助用戶快速了解 GowinI3C DDR eXtension 的產(chǎn)品特性、特點(diǎn)及使用方法。
2022-10-09 06:14:30
Gowin I3C Dual Clock IP 用戶指南主要內(nèi)容包括功能特點(diǎn)、端口描述、時(shí)序說明、配置調(diào)用、參考設(shè)計(jì)等，旨在幫助用戶快速了解 Gowin I3C DualClock IP 的產(chǎn)品特性、特點(diǎn)及使用方法。
2022-09-30 06:52:20
，可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。Gowin I3C Dual Clock IP 應(yīng)用于 I3C 總線通訊中，用于發(fā)送或者接收數(shù)據(jù)。Gowin I3C Dual Clock IP提供了帶有REG接口以及APB總線接口的I3C總線通訊控制器。
2022-09-30 06:08:11
本次發(fā)布 Gowin I3C SDR IP參考設(shè)計(jì)及 IP Core Generator 支持調(diào)用Gowin I3C SDR IP。Gowin I3C SDR IP 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 07:41:56
Gowin I3C SDR IP用戶指南主要內(nèi)容包括功能簡(jiǎn)介、信號(hào)定義、參數(shù)介紹、工作原理、GUI 調(diào)用等，旨在幫助用戶快速了解高云半導(dǎo)體 Gowin I3CSDR IP 的特性及使用方法。
2022-10-08 06:14:23
本文檔所介紹的參考設(shè)計(jì)主要包括以下三種類型： I3C SDR 主機(jī)和 I3C SDR 從機(jī)之間的通信；I3C SDR 主機(jī)和 GW-I2C 從機(jī)之間的通信； I3C SDR 主機(jī)和 ASIC-I2C 從機(jī)之間的通信。
2022-10-08 06:33:08
Gowin I3C SDR快速入門
2022-10-08 07:50:09
Gowin I3C Single Clock IP 用戶指南主要內(nèi)容包括功能特點(diǎn)、端口描述、時(shí)序說明、配置調(diào)用、參考設(shè)計(jì)等，旨在幫助用戶快速了解 Gowin I3C SingleClock IP 的產(chǎn)品特性、特點(diǎn)及使用方法
2022-09-30 06:34:11
本次發(fā)布 Gowin I3C Single Clock IP 用戶指南及參考設(shè)計(jì)。Gowin I3C Single Clock IP 的用戶指南及參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，其中，參考設(shè)計(jì)已配置一例特定參數(shù)，可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 07:37:50
Gowin?I3C Slave Dual Clock IP 用戶指南主要內(nèi)容包括功能特點(diǎn)、端口描述、時(shí)序說明、寄存器描述、配置調(diào)用、參考設(shè)計(jì)等，旨在幫助用戶快速了解 Gowin I3C Slave Dual Clock IP 的產(chǎn)品特性、特點(diǎn)及使用方法。
2022-09-30 06:56:30
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
正如我在另一張票中所說，我一直致力于 I3C 驅(qū)動(dòng)程序的開發(fā)。我的最后一個(gè)任務(wù)是定義一種方法來設(shè)置 I3C 頻率。這真的很難，但我知道我在文檔中也發(fā)現(xiàn)了一些錯(cuò)誤。 主要是，我遵循了表 336 用于
2023-03-17 08:17:40
大家好，我捕獲了一個(gè) I3C 波形，如下圖所示：該波形中的字節(jié)讀數(shù)如下：開始，0x7E（地址，寫入），[重復(fù)開始位]，0x31，....，停止 我希望通過函數(shù)
2023-03-30 06:09:13
如題，希望能找到SDK的sample，驗(yàn)證一下mulit-master的功能，請(qǐng)問能提供一下這個(gè)應(yīng)用的SDK sample嗎？或者我可以在 I3C 總線上物理地新添加第二個(gè)主設(shè)備，然后物理地刪除原來
2023-04-06 08:33:24
我有一個(gè) I3C 設(shè)備，它的寄存器地址有 8 個(gè)字節(jié)。查看通過I3C接口讀取數(shù)據(jù)的SDK示例后，我看到“subaddressSize”的最大大小為4個(gè)字節(jié)。請(qǐng)問如何讀取8字節(jié)（如：0x40110500）地址的寄存器？
2023-04-14 09:04:34
，DDR5 CAC信號(hào)的ODT閃亮登場(chǎng)！我猜最激動(dòng)還是Layout攻城獅：DDR5的CAC信號(hào)有了ODT功能，PCB布線約束可以放寬松了嗎？畢竟，哪里信號(hào)質(zhì)量差就可以端接哪里，So easy。帶著這個(gè)
2022-12-28 14:47:13
哪位大俠那有R5F100LEA（瑞薩MCU）手冊(cè)啊，非常感謝！1023323534@qq.com
2013-08-29 17:09:41
摘要：· 與Gen1 DDR5設(shè)備相比，數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33%· 為未來的服務(wù)器平臺(tái)提供運(yùn)行速度高達(dá)6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存· 擴(kuò)展了領(lǐng)先的DDR5內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品
2023-02-22 10:50:46
STM32 MCU 是否有機(jī)會(huì)很快采用原生 i3c 支持？許多新設(shè)備，包括來自 ST 的一些設(shè)備（如 LPS22HH），都支持它。這是一個(gè)引人注目的（新的）標(biāo)準(zhǔn)。
2022-12-12 07:18:34
_PRIVATE_WITHOUT_ARB_STOP (0x90000004U) /*!< Stop between each I3C Private message.Each Message start with Target address
2023-08-05 07:09:56
參考STM32Cube_FW_H5_V1.0.1\\Projects\\NUCLEO-H503RB\\Examples\\I3C下面的例子，讀whoami寄存器失敗，波形不是我想要的，哪位跑通了呢？例程正常嗎？
2023-08-05 06:09:02
SCI6，復(fù)用I2C模式。
配置stack，選擇sci_i2c：
詳細(xì)配置如下：
3. 代碼實(shí)現(xiàn)
3.1 字庫
下面是測(cè)試代碼：
I2c_Init();
OLED_Init
2023-05-26 14:06:17
免費(fèi)的 I3C 從屬 IP 芯片是否經(jīng)過驗(yàn)證？
2023-05-05 07:16:21
剛工作，公司用的是瑞薩的片子，我只是學(xué)過51匯編與c，請(qǐng)問下怎么入門瑞薩
2015-07-08 22:59:41
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
不多說，我們通過仿真來看看到底內(nèi)置的ODT效果有多明顯哈。仿真速率直接定到3200Mbps，對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的6400Mbps去，來到了DDR4基本上無法企及的量級(jí)了，但是對(duì)于DDR5只是個(gè)起步價(jià)。首先
2021-08-19 17:33:47
****************** ****************************************************** **********/ #define EXAMPLE_MASTER I3C #define EXAMPLE_I2C_BAUDRATE 400000
2023-03-20 07:53:07
一些疑問：
1) 對(duì)于 I3C，I3C 總線可以支持這種配置下的多主機(jī)嗎？
2) I2C 的相同問題，如果我們?cè)?FM+ 模式下將外圍設(shè)備連接到 I2C flexcomm？
3）另一個(gè)關(guān)于pinmux
2023-05-24 12:24:26
來源：瑞薩電子全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞薩獨(dú)有的SOTB?（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝
2020-10-22 16:47:48
模型里面去了。我們打開這個(gè)AMI模型，的確能看到DFE模塊存在4tap的均衡參數(shù)可以調(diào)節(jié)。好，本文最重點(diǎn)的部分來了！那就是我們通過在這個(gè)提取的DDR5數(shù)據(jù)通道上傳輸不同的速率，來看看接收端的結(jié)果，尤其
2021-08-27 16:39:08
怎么讀取瑞薩mcu的checksum？
2022-02-10 07:03:23
大家好，任何人都可以分享或指向 RT595 的 I3C 示例代碼給我嗎？我想運(yùn)行一個(gè)通過 I3C 發(fā)送字節(jié)的測(cè)試。我使用的是 MIMXRT595-EVK，但沒有找到此 EVK 的任何示例代碼。
2023-03-23 08:59:47
DDR5 RAM具有哪些新功能？
2021-06-21 06:21:20
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37
205 過去幾年來，許多系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員一直在使用DDR4 RAM元器件，并將其用于系統(tǒng)設(shè)計(jì)。隨著產(chǎn)品性能的不斷提高、電源預(yù)算的不斷降低，對(duì)更快速存儲(chǔ)器件的期望從未停止。在2013年，即使DDR4在主流
2018-01-27 11:17:1210609 
DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0410080 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:432758 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716371 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:075502 日前，十銓（TEAMGROUP）宣布了旗下DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，歸屬ELITE序列。
2020-12-01 16:02:361971 繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對(duì) DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101663 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203263 2021年10月9日北京訊，全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺(tái)認(rèn)證，這是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過英特爾DDR5平臺(tái)兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161134 推出集成到服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存模塊芯片組中的串行檢測(cè)集線器（SPD Hub）和溫度傳感器 ? 與業(yè)界領(lǐng)先的DDR5 RCD相互補(bǔ)充，提供領(lǐng)先的帶寬和容量 ? 改進(jìn)系統(tǒng)管理和熱控制，降低總體擁有
2022-08-18 17:35:56463 
Hub）和溫度傳感器，為業(yè)界領(lǐng)先的Rambus 寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)提供補(bǔ)充。DDR5通過采用帶有擴(kuò)展芯片組的新模塊架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更大的內(nèi)存帶寬和容量。同時(shí)，SPD Hub和溫度傳感器還改進(jìn)了DDR5 雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)的系統(tǒng)管理和熱控制，在服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦所需的功
2022-08-18 19:49:49438 Gowin I3C DDR eXtension 用戶指南主要內(nèi)容包括功能特點(diǎn)、端口描
述、時(shí)序說明、配置調(diào)用、參考設(shè)計(jì)等。主要用于幫助用戶快速了解 Gowin
I3C DDR eXtension 的產(chǎn)品特性、特點(diǎn)及使用方法。
2022-09-15 10:14:140 作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分，SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合，能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5計(jì)算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件，可以感知并報(bào)告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。
2022-09-23 10:49:531995 Rambus是DDR5 RCD領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，從2016年就開始了DDR5相關(guān)的研發(fā)，擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。RCD位于DIMM的中心位置，接收來自內(nèi)存控制器的命控制和地址總線上的信號(hào)。
2022-11-02 11:35:31999 對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。 相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì) ，給用戶帶來更佳的可靠性和擴(kuò)展性，市場(chǎng)前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-22 10:51:52822 DDR5系統(tǒng)管理引入了一種全新的邊帶總線，其正式名稱為JESD403-1 JEDEC模塊邊帶總線。 DDR5標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)正由JEDEC和MIPI聯(lián)盟合作進(jìn)行。 在引入這種全新應(yīng)用的情況下，該應(yīng)用所用
2022-11-25 12:40:06803 瑞薩為雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5) 應(yīng)用提供 SPD 集線器、電源管理 IC (PMIC)、溫度傳感器和控制 MCU。該解決方案允許自定義可尋址 RGB (ARGB) 照明，具有多達(dá)數(shù)百萬種顏色可供選擇，從而可以輕松地為 PC 添加個(gè)人風(fēng)格。
2022-12-09 14:55:591 * 獲得近期上市的英特爾CPU“Sapphire Rapids”兼容存儲(chǔ)器認(rèn)證? * 以DDR5積極應(yīng)對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)，提早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體低迷期? * 第二代10納米級(jí)也一同認(rèn)證，以多種產(chǎn)品群應(yīng)對(duì)
2023-01-12 21:32:26610 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512819 對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上，ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217 隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052873
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