晶體管基礎(chǔ)知識

雙極結(jié)型三極管相當(dāng)于兩個背靠背的二極管 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的 CB 結(jié)勢壘電場的作用下到達集電區(qū)，形成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中 , 發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現(xiàn)一個相應(yīng)的交變電流ic，有c/ib=β，實現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進行工作的。當(dāng)柵 G 電壓 V_G 增大時， p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當(dāng)表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間形成導(dǎo)電溝道。當(dāng) V_DS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 I_DS 流過。使半導(dǎo)體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 V_T 。當(dāng) V_GS>V_T 并取不同數(shù)值時，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的 V_DS 下也將產(chǎn)生不同的 I_DS , 實現(xiàn)柵源電壓 V_GS 對源漏電流 I_DS 的控制。

二、晶體管的命名方法
晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。
按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材 料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表高頻大功率管。

最后面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號，序號不同，各種 指標略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對于二極管來說，第三位的P代表檢波管；W代表穩(wěn)壓管；Z代表整流管。上面 舉的例子，具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對于進口的三極管來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。
　　常用的進口管有韓國的90xx、80xx系列，歐洲的2Sx系列，在該系列中，第三位含義同國產(chǎn)管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三極管參數(shù)表,也提供：常用晶體管三極管資料大全

四、用萬用表測試三極管
（1） 判別基極和管子的類型
選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔，先用紅表筆接一個管腳，黑表筆接另一個管腳，可測出兩個電阻值，然后再用紅表筆接另一個管腳，重復(fù)上述步驟，又 測得一組電阻值，這樣測3次，其中有一組兩個阻值都很小的，對應(yīng)測得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的；反之，若用黑表筆接一個管腳，重復(fù)上 述做法，若測得兩個阻值都小，對應(yīng)黑表筆為基極，且管子是NPN型的。
（2）判別集電極
因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大（表針擺動幅度大），反接時β就小得多。因此，先假設(shè)一個集電極，用歐姆檔連接，（對NPN型管，發(fā)射極接黑表 筆，集電極接紅表筆）。測量時，用手捏住基極和假設(shè)的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動幅度大，而把兩極對調(diào)后指針擺動小，則說明假設(shè)是正確的，從而確定 集電極和發(fā)射極。
（2） 電流放大系數(shù)β的估算
選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔，對NPN型管，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極，測量時，只要比較用手捏住基極和集電極（兩極不能接觸），和把手放開兩種情況小指針擺動的大小，擺動越大，β值越高。