Navitas’ Gallium Nitride （GaN） Power ICs Debut in Industrial Applications at Electronica China 2021

氮化鎵代替硅器件，全新納微GaNFast??技術進軍大功率工業應用領域。

DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業應用首秀。

氮化鎵（GaN）是第三代半導體技術，其運行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且能夠以三分之一的體積和重量，實現高達三倍的功率或充電速度。納微GaNFast氮化鎵功率芯片集成了GaN器件，驅動器以及保護和控制功能，可提供最簡單，最小，最快的電源解決方案，如今更高的電源性能！

慕尼黑上海電子展覽會是電子行業每年必不可少的年度盛會，本屆慕尼黑上海電子展覽會近65000平方米的展區，現場超過1，100家全球優質電子企業以及數萬名電子從業者積極參與，包括華為Huawei、小米 Xiaomi、ST意法半導體、TE Connectivity等等一線廠商。

今年該展會以主題“聯合創新，智引未來”盛大開啟全球電子產業的新征程，現場場面浩大，人聲鼎沸盛，國際電力電子創新論壇上座無虛席，中國及國際電子應用領域專家、高層現場分享演講，令人獲益良多。

慕尼黑上海電子展國際電力電子論壇（International Power Electronics Innovation Forum ） 上，納微資深應用總監林棟先生帶來的現場演講《“The Future of Power： High-Frequency Systems Enabled by GaN氮化鎵科技未來展望：談高頻系統的應用》，現場坐滿觀眾，約500多位觀眾線上線下同時觀看，演講分享了納微半導體在大功率氮化鎵領域的最新研發成果和項目，總結了電力電子工程師曾經受制于舊的慢速硅芯的局限，如今借助氮化鎵高頻拓撲技術，在工業應用中提供多達6倍的功率突破。

本屆慕尼黑論壇現場還來了兩位特殊嘉賓，全球氮化鎵界唯一一對，也是最受歡迎的吉祥物，來自納微半導體的小氮小鎵！小氮小鎵活力四射，代表人類電力電子界新一代功率半導體氮化鎵的速度，力量和激情。他們現場給觀眾發禮物，傳播氮化鎵知識，與在場觀眾一同了解發現氮化鎵在工業領域的最新應用，他們的出現受到慕尼黑上海電子展國際電力電子論壇的高度好評，慕尼黑上海電子展國際電力電子論壇主持人IEEE電力電子分會（PELS）上海分部主席湯皓天教授表示：非常感謝納微吉祥物小氮小鎵的到來，為我們論壇現場增添了獨特氣氛！

納微展臺和全球頂尖電力電子企業并肩展出，在備受矚目的N2館展出最新研發成果，現場非常熱鬧，超過1200觀眾到場參觀展臺，參觀我們與各大品牌合作研發的世界級充電產品，現場體驗納微GaNFast技術，發現這項新技術如何能夠將電力電子設備從10’s watts 提高到 10’s of kW。包括小米，聯想，戴爾，OPPO和亞馬遜在內，超過75家納微氮化鎵客戶已投入量產，正在開發的項目超過150個。

本次納微高功率工業展示demo涵蓋廣泛，包括了一款全新50W智能微型斷路器，1200W服務器電源，以及500W@98%效率便攜式儲能產品。來自登鈦電子Density Power基于Navitas GaNFast高功率密度1kW 400V輸入1/4磚DC-DC轉換器也登上展位，并在技術論壇演講上演示。

納微半導體市場營銷和投資者關系副總裁史立維（Stephen Oliver）表示：“納微半導體已在移動快充市場上擁有強大地位，慕尼黑上海電子展是我們向工業市場擴展的理想舞臺，也是我們展示覆蓋更多大功率領域的各種AC-DC，DC-DC和DC-AC應用的理想平臺。納微預測，如果將可再生能源市場，數據中心和電動汽車 / 電動交通工具市場的應用相加，到2026年氮化鎵的可服務市場總額預計將超過130億美元，尤為重要的是對于環保的貢獻：氮化鎵的全面應用將有望在2050年之際，幫助地球解決26億噸以上的二氧化碳排放問題。”