圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構(gòu)成的保護電路，該電路采用IGBT專用驅(qū)動器EXB....

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

IGBT驅(qū)動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....

由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫....

電化隔離：電荷無法由一個電路移動到另一個電路，雙方信號通過其他方式交換信息。

IGBT的過流保護電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護；另一類是高倍數(shù)（可達8....

近日，市民營經(jīng)濟發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項目的名單，我司成功入選，同時感謝大家....

所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設(shè)定的閾值時，封鎖所有橋臂IG....

由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系，如果在門極驅(qū)動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩，有可能因為....

IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下，而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫....

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF....

額定門極驅(qū)動電壓：門極驅(qū)動電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過此范圍的電壓時，門極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO....

變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化，同時IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....

IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的....

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。

所有功率模塊內(nèi)部的熱循環(huán)變化都會導(dǎo)致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同，所以它們之間熱應(yīng)力是連接....

? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)，包括絕緣....

? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關(guān)斷時的電壓電....

開關(guān)速度：當需要高速開關(guān)時，三極管是更好的選擇。例如，在瞬態(tài)電路中，需要快速切換的信號通常需要使用三....

我們就從常見的開關(guān)說起，這邊給他接一個電源，右邊接一個負載，然后不停的開關(guān)這個開關(guān)，那么這個負載上的....

功率循環(huán)試驗中最重要的是準確在線測量結(jié)溫，直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性....

超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)....

通過制動單元外接制動電阻，該方式配合母線電壓檢測。當電機迅速停機時，電機繞組上的能量會通過逆變側(cè)的反....

如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到I....

場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當給pn結(jié)加上正向電壓時，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電....

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時....

由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降....