IGBT模塊的損耗特性

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。另外，內(nèi)置續(xù)流二極管的損耗為導(dǎo)通損耗與關(guān)斷（反向恢復(fù)）損耗(ERR)之和。EON、EOFF、ERR與開關(guān)頻率的乘積為平均損耗。

IGBT的損耗：

續(xù)流二極管的反向恢復(fù)損耗：



反向恢復(fù)損耗 ERR 開關(guān)特性的測試：



PDMB100B12開通損耗EON測量范例：



PDMB100B12關(guān)斷損耗EOFF測量范例：



1200V B系列開通損耗 EON （Tj= 125℃），有關(guān)門極系列阻抗RG請參閱技術(shù)規(guī)格。



1200V B系列關(guān)斷損耗 Eoff (Tj=125C)，有關(guān)門極系列阻抗RG請參閱技術(shù)規(guī)格。



1200V B系列續(xù)流二極管反向恢復(fù)損耗 ERR（Tj= 125℃），有關(guān)門極系列阻抗RG請參閱技術(shù)規(guī)格。



1200V B系列ERR對門極串聯(lián)電阻RG依存性（Tj= 125℃）

審核編輯：劉清