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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司

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IGBT模塊吸收回路分析模型

盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-21 09:45 ?403次閱讀
IGBT模塊吸收回路分析模型

IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-15 14:55 ?255次閱讀

雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(2)

為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況,我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-28 14:08 ?437次閱讀
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(2)

佳恩半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展

此前,2025年4月15日至17日,全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的盛會(huì)——?慕尼黑上海電子展(Electron....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-22 15:26 ?394次閱讀

雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-22 10:30 ?780次閱讀
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢(shì)

IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備,其工作原理主要基于IGBT的開關(guān)特性和對(duì)正弦波信號(hào)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-11 15:47 ?1040次閱讀
IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢(shì)

功耗對(duì)IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

在電力電子的廣闊領(lǐng)域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-14 09:17 ?6221次閱讀
功耗對(duì)IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí),其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管(FWD)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?...
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-13 14:39 ?1206次閱讀
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

IGBT在中頻電源中常見的故障模式及解決方法

在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-03 14:16 ?923次閱讀
IGBT在中頻電源中常見的故障模式及解決方法

IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-21 15:41 ?1165次閱讀

IGBT的溫度監(jiān)控與安全運(yùn)行

IGBT的溫度及安全運(yùn)行 IGBT的溫度可由下圖描述: 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式: Rthj....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-14 11:30 ?6420次閱讀
IGBT的溫度監(jiān)控與安全運(yùn)行

IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理

IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義: 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù); ....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-28 15:44 ?2173次閱讀
IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理

IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說明

IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-27 18:10 ?1013次閱讀
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說明

IGBT模塊三電平電路故障時(shí)的關(guān)管順序

在1字形二極管鉗位三電平電路中,當(dāng)發(fā)生短路故障或過流故障時(shí),傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是,檢測(cè)到故障的....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-17 11:06 ?2253次閱讀
IGBT模塊三電平電路故障時(shí)的關(guān)管順序

佳恩半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目科技成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

日前,中科知慧(北京)科技成果評(píng)價(jià)有限公司組織專家,對(duì)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-08 14:16 ?707次閱讀

單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-27 09:20 ?1732次閱讀
單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

單相全橋逆變電路分享

單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路,其電路拓樸結(jié)構(gòu)如圖1所示,由兩個(gè)半橋 圖1單相....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-22 14:31 ?8076次閱讀
單相全橋逆變電路分享

如何減小IGBT死區(qū)時(shí)間

通過以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-16 09:39 ?995次閱讀
如何減小IGBT死區(qū)時(shí)間

IGBT驅(qū)動(dòng)器要考慮什么因素

各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR蠖搪繁Wo(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-09 09:42 ?827次閱讀
IGBT驅(qū)動(dòng)器要考慮什么因素

IGBT絕緣特性

IGBT絕緣特性 電子元器件(半導(dǎo)體模塊)中,隔離帶電部分和底板的材料,被稱作絕緣材料。在大功率半導(dǎo)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-29 09:50 ?897次閱讀
IGBT絕緣特性

如何計(jì)算IGBT模塊的死區(qū)時(shí)間

計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時(shí)間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-08 10:23 ?2590次閱讀
如何計(jì)算IGBT模塊的死區(qū)時(shí)間

IGBT模塊NTC溫度傳感器的測(cè)量方法

采用模擬電路方式測(cè)量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度:這個(gè)基本的方法是基于一個(gè)分壓器作為熱敏裝置。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:29 ?1797次閱讀
IGBT模塊NTC溫度傳感器的測(cè)量方法

IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、P....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:25 ?4878次閱讀
IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

IGBT模塊采用吸收電路時(shí),典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出,初始浪涌電壓△U1之后,隨....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 08-05 14:48 ?1945次閱讀
IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場(chǎng)合,主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-26 10:03 ?5075次閱讀
IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1252次閱讀
IGBT功率器件功耗

IGBT功率器件的散熱方式

功率器件的正常運(yùn)行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:31 ?1895次閱讀
IGBT功率器件的散熱方式

逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

以IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:28 ?1267次閱讀
逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

IGBT模塊的功率損耗詳解

IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí),I(t)≈0,損耗的功率可忽略。為了便于分析,將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-31 09:06 ?16129次閱讀
IGBT模塊的功率損耗詳解

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!

5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-29 14:29 ?1003次閱讀
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!