金鑒實驗室文章

• X射線熒光光譜分析儀（XRF）：高效能譜分析技術(shù)2024-12-02 15:23

  

  元素檢測需要擁有先進的能量色散X熒光光譜儀，能夠為客戶提供高精度的元素分析服務(wù)，確保您的產(chǎn)品符合國際標準。元素檢測范圍可以針對多種元素進行精準檢測，確保您的產(chǎn)品符合RoHS指令的要求。1.RoHS指令限制物質(zhì)：包括鉛、鎘、汞、六價鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚。2.鹵素族元素：如溴、氯等。3.其他元素：涵蓋銅、鐵、錫、鎳、錳、鉍、銻、銀、砷、鉻、鈷、鋁、汞、鋅等。

  分析儀 檢測 電氣設(shè)備 769瀏覽量

• LED燈珠變色與失效原因分析2024-12-02 15:21

  

  LED光源發(fā)黑現(xiàn)象LED光源以其高效、節(jié)能、環(huán)保的特性，在照明領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，LED光源在使用過程中出現(xiàn)的發(fā)黑現(xiàn)象，卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED光源的黑化現(xiàn)象是一個復(fù)雜的問題，可能由多種因素引起。這些因素包括硫化、氯化、溴化、氧化、碳化以及化學(xué)不兼容化等。這些化學(xué)作用可能導(dǎo)致LED光源的表面出現(xiàn)黑色物質(zhì)，影

  led LED燈珠 光源 1754瀏覽量

• SMT中的離子污染檢測：ROSE、離子色譜法(IC)與C3方法比較2024-11-29 17:32

  

  貼裝技術(shù)離子清潔度的重要性在電子制造領(lǐng)域，表面貼裝技術(shù)（SMT）是一種關(guān)鍵的組裝方法，它涉及到將電子元件精確地放置在印刷電路板（PCB）上。為了確保這些電路板和組件的長期可靠性和性能，離子清潔度的控制至關(guān)重要。離子殘留物可能會導(dǎo)致電路短路、腐蝕和電氣性能下降，從而影響產(chǎn)品的壽命和可靠性。離子清潔度測試方法概述為了評估SMT產(chǎn)品的離子清潔度，行業(yè)內(nèi)采用了多種測

  smt 檢測 表面貼裝 859瀏覽量

• 三維電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)：FIB-SEM與EBSD的結(jié)合應(yīng)用案例2024-11-29 17:31

  

  三維電子背散射衍射技術(shù)（3D-EBSD）在材料科學(xué)領(lǐng)域，對材料的微觀結(jié)構(gòu)進行精確分析是至關(guān)重要的。傳統(tǒng)的電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)主要提供樣品表面的晶體學(xué)信息，但對于三維物體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這些信息就顯得不夠全面。為了深入研究晶粒組織、晶粒尺寸和界面等三維特征，科學(xué)家們發(fā)展了一種新的技術(shù)——三維電子背散射衍射（3D-EBSD）。從二維到三維的跨越對于大尺度區(qū)

  fib SEM 三維電子 787瀏覽量

• FIB-SEM方法分析BlackPad的優(yōu)缺點2024-11-29 17:29

  

  BlackPad簡介目前以ENIG為表面處理方式所占比例較大，ENIG金屬Ni層以NiP成分為主，在生產(chǎn)中易發(fā)生鎳腐蝕（后面稱blackpad）。退金后的Blackpad通常表現(xiàn)為晶格線間的黑線（如下圖A）和晶格上的黑點（如下圖B）。SEM方法分析BlackPad的優(yōu)缺點為了方便大家對材料進行深入的失效分析及研究，具備DualBeamFIB-SEM業(yè)務(wù)，包括

  fib SEM 電鏡 547瀏覽量

• 什么是氨氣試驗？2024-11-29 17:28

  

  植物照明中的氨氣問題在通用照明領(lǐng)域，LED器件的耐氨氣性能通常不是關(guān)注焦點，因為燈具的密封等級較高，足以抵御氨氣的侵蝕。然而，隨著植物照明技術(shù)的興起，這一情況發(fā)生了變化。植物照明，尤其是溫室補光，由于植物的土培特性，不可避免地會產(chǎn)生氨氣。當植物葉片腐爛或施用氮肥時，燈具周圍的氨氣濃度可能會顯著升高，這對LED器件的耐氨氣性能提出了新的要求。某植物照明燈具廠氨

  led LED器件 植物照明 試驗 424瀏覽量

• LED驅(qū)動電源設(shè)計四大問題匯總2024-11-28 17:14

  

  LED驅(qū)動電源的質(zhì)量好壞將會直接影響LED的壽命，因此如何做好一個LED驅(qū)動電源是LED電源設(shè)計者的重中之重。在現(xiàn)代生活中，節(jié)能和環(huán)保日益受到重視，LED照明因其高效節(jié)能的特性而廣泛被采用。LED燈具的使用壽命不僅取決于其自身的質(zhì)量，還與其電源驅(qū)動的性能密切相關(guān)。一個穩(wěn)定可靠的LED驅(qū)動電源對于延長LED的使用壽命至關(guān)重要。LED驅(qū)動電源直接影響壽命LED驅(qū)

  led 電源設(shè)計 驅(qū)動電源 916瀏覽量

• EBSD技術(shù)在樣品制備中的應(yīng)用：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具2024-11-28 17:13

  

  EBSD技術(shù)概述電子背散射衍射技術(shù)（ElectronBackscatterDiffraction，EBSD）是一種高精度的材料表征手段，常作為掃描電子顯微鏡（SEM）的補充設(shè)備使用。它能夠詳細分析材料的晶體取向、晶界特性、再結(jié)晶行為、微觀結(jié)構(gòu)、相態(tài)識別以及晶粒尺寸等關(guān)鍵信息。金鑒織構(gòu)取向分析示意圖設(shè)備與服務(wù)高性能的TF20場發(fā)射透射電鏡，這些電鏡配備了能譜儀

  顯微鏡 材料 677瀏覽量

• 解析電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗2024-11-28 17:12

  

  電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗（VoltageDipsandShortInterruptionImmunityTest）是用于評估電子設(shè)備或系統(tǒng)對電力系統(tǒng)中電壓暫降和短時中斷的抗擾度的測試方法。該測試方法旨在模擬電力系統(tǒng)中可能發(fā)生的電源故障，以驗證設(shè)備在這些故障下的正常運行和穩(wěn)定性。電壓暫降是指電力系統(tǒng)中電源電壓短時間內(nèi)降低到較低水

  抗擾度試驗 電壓暫降 電子設(shè)備 1478瀏覽量

• FIB技術(shù)：芯片失效分析的關(guān)鍵工具2024-11-28 17:11

  

  芯片失效分析的關(guān)鍵工具在半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展的今天，芯片的可靠性成為了衡量其性能的關(guān)鍵因素。聚焦離子束（FIB）技術(shù)，作為一種先進的微納加工技術(shù)，對于芯片失效分析至關(guān)重要。在芯片失效分析中的核心作用FIB技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)納米級別的精確加工和分析，這對于解析高度集成和結(jié)構(gòu)復(fù)雜的現(xiàn)代芯片至關(guān)重要。通過FIB技術(shù)，工程師們可以對芯片進行細致的切割和剖面制作，清晰地揭示芯

  fib 半導(dǎo)體 芯片失效分析 1012瀏覽量