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9.5.3 勻膠鉻版光掩∈《集成電路產業全書》2022-02-09 01:08
9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自集成電路 665瀏覽量 -
7.2 肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-09 01:07
7.2肖特基勢磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.3雙極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.1.2單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第７章單二極管 1033瀏覽量 -
9.5.4 移相光掩模∈《集成電路產業全書》2022-02-09 01:05
9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備集成電路 559瀏覽量 -
7.1.2 單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-29 01:08
7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第７章單極型和雙極型功率二極管6.5總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原SiC 708瀏覽量 -
9.5.2 光掩模基板材料∈《集成電路產業全書》2022-01-29 01:07
點擊上方藍字關注我們PhotomaskSubstrateMaterial撰稿人：中芯國際集成電路制造有限公司郭貴琦https://www.smics.com/審稿人：中芯國際集成電路制造有限公司時雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.82301集成電路 453瀏覽量 -
7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-28 01:08
7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.5總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用SiC 1020瀏覽量 -
9.5.1 集成電路對光掩模材料的要求及發展∈《集成電路產業全書》2022-01-28 01:07
點擊上方藍字關注我們RequirementsofICforPhotomaskMaterialsandtheDevelopmentofPhotomaskMaterials撰稿人：中芯國際集成電路制造有限公司郭貴琦https://www.smics.com/審稿人：中芯國際集成電路制造有限公司時雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書集成電路 880瀏覽量 -
6.5 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-27 01:08
6.5總結第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.1.2SiC上的肖特基接SiC 1523瀏覽量 -
9.4.15 化合物量子點材料∈《集成電路產業全書》2022-01-27 01:07
9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、G集成電路 570瀏覽量 -
6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-26 01:42
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅SiC 1140瀏覽量