深圳市致知行科技有限公司文章

• 2021年度最佳FPGA芯片-EQ6HL130原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列XC6SLX1502022-03-01 01:10

  

  EQ6HL130原位完美替換XILINX/賽靈思SPARTAN6系列：EQ6HL130-FG484PINtoPINXC6SLX25EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PINtoPINXC6SLX45EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PINtoPINXC6SLX75EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PI

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• 9.6.10 鋁靶∈《集成電路產業全書》2022-03-01 01:07

  

  AluminumTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊鏈接：8.8.10化學機械拋光機（CMP）∈《集成電路產業全書》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切

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• EQ6HL45高性價比低功耗425萬門級FPGA原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列FPGA2022-02-28 01:10

  

  EQ6HL45原位完美替換XILINX/賽靈思SPARTAN6系列：EQ6HL45-CSG225PtPXC6SLX4EQ6HL45-CSG225、FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX9EQ6HL45-CSG225、FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX16EQ6HL45-FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX25EQ6HL45

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• 8.2.7 DMOSFET的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-28 01:08

  

  8.2.7DMOSFET的先進設計8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.6功率MOSFET的實施：DMOSFET和UMOSFET8.2.5比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表

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• 9.6.9 摻雜試劑∈《集成電路產業全書》2022-02-28 01:07

  

  DopingReagents撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊鏈接：8.8.10化學機械拋光機（CMP）∈《集成電路產業全書》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶

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• FPGA.EQ6GL9小型低功耗百萬門級FPGA替換XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SLX92022-02-27 01:09

  

  EQ6GL9可替換器件：XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SLX9Altera：EP4CE6、EP4CE10Lattice：iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型號器件神針6GodNeedle6家族EQ6GL9型FPGA：有效系統門容量達到92萬門；芯核電壓1.1V，I/O

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• 8.2.6 功率MOSFET 的實施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-27 01:08

  

  8.2.6功率MOSFET的實施：DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.5比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.3MOSF

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• 9.6.8 化學機械拋光墊和化學機械修整盤∈《集成電路產業全書》2022-02-27 01:07

  

  ChemicalMechanicalPolishingPadandConditioningDisc撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊鏈接：8.8.10化學機械拋光機（

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• FPGA.AG1KLPQ48 替代Lattice ICE5LP1K2022-02-26 01:09

  

  AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280Q48替代AlteraEPM1270AG1KLPQ48替代LatticeICE5LP1KFPGAfamilydevice-AG1Kisultra-lowcostandpowerwithaslowas50uAstandbycu

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• 8.2.5 比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-26 01:08

  

  8.2.5比通態電阻8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.3MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.2分裂準費米能級的MOS靜電學∈《碳化

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