女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發

364 內容數 37w+ 瀏覽量 93 粉絲

深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.4.4 砷化鎵熱處理和晶片加工∈《集成電路產業全書》2022-01-13 01:06

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(
    集成電路 562瀏覽量
  • 6.3.5.1 界面態分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-12 01:08

    6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.7電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技
    SiC 1348瀏覽量
  • 9.4.3 砷化鎵單晶的制備∈《集成電路產業全書》2022-01-12 01:06

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.
    集成電路 674瀏覽量
  • 6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-11 01:18

    6.3.4.8其他方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.7電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術基本原理—
    SiC 906瀏覽量
  • 9.4.2 集成電路對化合物半導體材料的要求∈《集成電路產業全書》2022-01-11 01:17

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823
    集成電路 860瀏覽量
  • 6.3.4.7 電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-10 01:18

    6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Ter
    SiC 787瀏覽量
  • 9.4.1 化合物半導體材料∈《集成電路產業全書》2022-01-10 01:16

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高
    集成電路 571瀏覽量
  • 6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-09 01:19

    6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.
    SiC 1051瀏覽量
  • 9.3.14 誘生微缺陷∈《集成電路產業全書》2022-01-09 01:18

    9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝機,提供SiC晶圓、GaN基
    集成電路 631瀏覽量
  • 6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-08 01:24

    6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.2MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3
    SiC 693瀏覽量