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• 發布了文章 2024-12-02 15:23

  X射線熒光光譜分析儀（XRF）：高效能譜分析技術

  

  元素檢測需要擁有先進的能量色散X熒光光譜儀，能夠為客戶提供高精度的元素分析服務，確保您的產品符合國際標準。元素檢測范圍可以針對多種元素進行精準檢測，確保您的產品符合RoHS指令的要求。1.RoHS指令限制物質：包括鉛、鎘、汞、六價鉻、多溴聯苯和多溴二苯醚。2.鹵素族元素：如溴、氯等。3.其他元素：涵蓋銅、鐵、錫、鎳、錳、鉍、銻、銀、砷、鉻、鈷、鋁、汞、鋅等。

  分析儀 檢測 電氣設備

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• 發布了文章 2024-12-02 15:21

  LED燈珠變色與失效原因分析

  

  LED光源發黑現象LED光源以其高效、節能、環保的特性，在照明領域得到了廣泛應用。然而，LED光源在使用過程中出現的發黑現象，卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED光源的黑化現象是一個復雜的問題，可能由多種因素引起。這些因素包括硫化、氯化、溴化、氧化、碳化以及化學不兼容化等。這些化學作用可能導致LED光源的表面出現黑色物質，影

  led LED燈珠 光源

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• 發布了文章 2024-11-29 17:32

  SMT中的離子污染檢測：ROSE、離子色譜法(IC)與C3方法比較

  

  貼裝技術離子清潔度的重要性在電子制造領域，表面貼裝技術（SMT）是一種關鍵的組裝方法，它涉及到將電子元件精確地放置在印刷電路板（PCB）上。為了確保這些電路板和組件的長期可靠性和性能，離子清潔度的控制至關重要。離子殘留物可能會導致電路短路、腐蝕和電氣性能下降，從而影響產品的壽命和可靠性。離子清潔度測試方法概述為了評估SMT產品的離子清潔度，行業內采用了多種測

  smt 檢測 表面貼裝

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• 發布了文章 2024-11-29 17:31

  三維電子背散射衍射(EBSD)技術：FIB-SEM與EBSD的結合應用案例

  

  三維電子背散射衍射技術（3D-EBSD）在材料科學領域，對材料的微觀結構進行精確分析是至關重要的。傳統的電子背散射衍射（EBSD）技術主要提供樣品表面的晶體學信息，但對于三維物體的內部結構，這些信息就顯得不夠全面。為了深入研究晶粒組織、晶粒尺寸和界面等三維特征，科學家們發展了一種新的技術——三維電子背散射衍射（3D-EBSD）。從二維到三維的跨越對于大尺度區

  fib SEM 三維電子

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• 發布了文章 2024-11-29 17:29

  FIB-SEM方法分析BlackPad的優缺點

  

  BlackPad簡介目前以ENIG為表面處理方式所占比例較大，ENIG金屬Ni層以NiP成分為主，在生產中易發生鎳腐蝕（后面稱blackpad）。退金后的Blackpad通常表現為晶格線間的黑線（如下圖A）和晶格上的黑點（如下圖B）。SEM方法分析BlackPad的優缺點為了方便大家對材料進行深入的失效分析及研究，具備DualBeamFIB-SEM業務，包括

  fib SEM 電鏡

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• 發布了文章 2024-11-29 17:28

  什么是氨氣試驗？

  

  植物照明中的氨氣問題在通用照明領域，LED器件的耐氨氣性能通常不是關注焦點，因為燈具的密封等級較高，足以抵御氨氣的侵蝕。然而，隨著植物照明技術的興起，這一情況發生了變化。植物照明，尤其是溫室補光，由于植物的土培特性，不可避免地會產生氨氣。當植物葉片腐爛或施用氮肥時，燈具周圍的氨氣濃度可能會顯著升高，這對LED器件的耐氨氣性能提出了新的要求。某植物照明燈具廠氨

  led LED器件 植物照明 試驗

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• 發布了文章 2024-11-28 17:14

  LED驅動電源設計四大問題匯總

  

  LED驅動電源的質量好壞將會直接影響LED的壽命，因此如何做好一個LED驅動電源是LED電源設計者的重中之重。在現代生活中，節能和環保日益受到重視，LED照明因其高效節能的特性而廣泛被采用。LED燈具的使用壽命不僅取決于其自身的質量，還與其電源驅動的性能密切相關。一個穩定可靠的LED驅動電源對于延長LED的使用壽命至關重要。LED驅動電源直接影響壽命LED驅

  led 電源設計 驅動電源

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• 發布了文章 2024-11-28 17:13

  EBSD技術在樣品制備中的應用：揭示材料微觀結構的關鍵工具

  

  EBSD技術概述電子背散射衍射技術（ElectronBackscatterDiffraction，EBSD）是一種高精度的材料表征手段，常作為掃描電子顯微鏡（SEM）的補充設備使用。它能夠詳細分析材料的晶體取向、晶界特性、再結晶行為、微觀結構、相態識別以及晶粒尺寸等關鍵信息。金鑒織構取向分析示意圖設備與服務高性能的TF20場發射透射電鏡，這些電鏡配備了能譜儀

  顯微鏡 材料

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• 發布了文章 2024-11-28 17:12

  解析電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗

  

  電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗（VoltageDipsandShortInterruptionImmunityTest）是用于評估電子設備或系統對電力系統中電壓暫降和短時中斷的抗擾度的測試方法。該測試方法旨在模擬電力系統中可能發生的電源故障，以驗證設備在這些故障下的正常運行和穩定性。電壓暫降是指電力系統中電源電壓短時間內降低到較低水

  抗擾度試驗 電壓暫降 電子設備

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• 發布了文章 2024-11-28 17:11

  FIB技術：芯片失效分析的關鍵工具

  

  芯片失效分析的關鍵工具在半導體行業迅速發展的今天，芯片的可靠性成為了衡量其性能的關鍵因素。聚焦離子束（FIB）技術，作為一種先進的微納加工技術，對于芯片失效分析至關重要。在芯片失效分析中的核心作用FIB技術能夠實現納米級別的精確加工和分析，這對于解析高度集成和結構復雜的現代芯片至關重要。通過FIB技術，工程師們可以對芯片進行細致的切割和剖面制作，清晰地揭示芯

  fib 半導體 芯片失效分析

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