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首個4D NAND閃存!SK海力士宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit

中國半導體論壇 ? 來源:YXQ ? 2019-05-16 15:01 ? 次閱讀

5月9日SK海力士宣布,SK海力士基于96層4D NAND技術開發了一種one-terabit (Tb) quadruple level cell (QLC)閃存芯片,具有更大數據存儲容量。

SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,號稱是首個4D NAND閃存,今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit。

對于NAND閃存,大家都知道有SLC、MLC、TLC及QLC之分,每種類型的閃存中存儲的電荷位數分別是1、2、3、4,所以QLC閃存的容量更高,成本更低,不過QLC閃存的電壓控制也更復雜,導致寫入速度變差,可靠性也會降低。

盡管如此,由于QLC閃存在容量、成本上的優勢,三星、美光、東芝、西數、SK Hynix、Intel等公司還是要力推QLC閃存,而且普遍會用于90+堆棧的新一代NAND閃存中。

SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,并取名為4D NAND閃存,相比通常的3D NAND閃存聽上去更先進,主要原因就是SK Hynix首次實現了4D平面,每個NAND核心中的平面數量從2個增加到4個,數據帶寬也從32KB翻倍到了64KB,核心容量達到了1Tbit,比目前MLC/TLC主流的256Gbit、512Gbi至少翻倍,可以輕松制造出16TB的硬盤。

SK Hynix今天宣布正式出樣96層堆棧的QLC閃存給客戶,SM慧榮等公司已經拿到了QLC閃存樣品,并表示SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。

除了QLC閃存之外,SK Hynix還會開發自己的QLC軟件算法及主控芯片,并及時推出解決方案以滿足客戶需求。

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原文標題:NAND技術再突破!SK海力士開發1Tb QLC閃存芯片!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導體論壇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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