開關(guān)電路的設(shè)計,F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計,功率MOS電動機驅(qū)動電路,功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計,進晶體管開關(guān)電源的設(shè)計,模擬開關(guān)電路的設(shè)計,振蕩電路的設(shè)計,F(xiàn)M無線話筒的設(shè)計,
發(fā)表于 04-14 17:24
框架的 SO8 封裝,還可以實現(xiàn)高電流水平,從而將 Rth(j-amb) 降至約 40 °C/W。該器件使用內(nèi)部 P 溝道 D-MOS 晶體管(典型 Rdson 為 250 mΩ)作為開關(guān)元件,以最大限度地減小外部元件的尺寸。
發(fā)表于 04-01 16:26
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器件使用內(nèi)部 P 溝道 D-MOS 晶體管 (典型 Rdson 為 250mΩ) 作為開關(guān)元件,以減小外部元件的尺寸。
發(fā)表于 04-01 15:14
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,晶體管開關(guān)電路的設(shè)計,F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計,功率MOS電動機驅(qū)動電路,功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計,晶體管開關(guān)電源的設(shè)計,模擬開關(guān)電路的設(shè)計,振蕩電路的設(shè)計,F(xiàn)M無線話筒的制作等。
發(fā)表于 03-07 13:55
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方面嚴重減小了低功耗設(shè)備的電池使用
發(fā)表于 11-19 09:14
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晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號、電源電壓、溫度以及
發(fā)表于 09-24 17:59
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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對于從事芯片行業(yè)的人員來說,還是有必要了解數(shù)字電路中的一些基本概念,例如用作邏輯開關(guān)的 MOS 晶體管。當(dāng)然,我們的目的是了解現(xiàn)代芯片中的行為本質(zhì),而不需要陷入半導(dǎo)體物理方程。
發(fā)表于 07-29 10:02
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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar
發(fā)表于 07-26 18:07
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在現(xiàn)代電子技術(shù)中,晶體管是實現(xiàn)信號放大、開關(guān)控制等功能的關(guān)鍵元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,晶體管的尺寸不斷縮小,性能不斷提升。3MOS和4MOS作為兩種典型的
發(fā)表于 07-25 09:30
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晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流,來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。晶體管
發(fā)表于 07-18 18:15
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MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料,其開啟電壓(Threshold Voltage,簡稱Vth)是指使MOS晶體管從
發(fā)表于 07-14 11:30
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PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點在于其三個不同的半導(dǎo)體區(qū)域:正極(P型)、負極(N型)、正極(P型
發(fā)表于 07-01 17:45
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