晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)

晶圓術(shù)語(yǔ)

1. 芯片、器件、電路、微芯片或條碼：所有這些名詞指的是在晶圓表面占大部分面積的微芯片圖形。

2.劃片線或街區(qū)：這些區(qū)域是在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片之間的間隔區(qū)。劃片線通常是空白的，但有些公司在間隔區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，或測(cè)試的結(jié)構(gòu)。

3.工程試驗(yàn)芯片和測(cè)試芯片：這些芯片與正式器件芯片或電路芯片不同。它包含特殊的器件和電路模塊用于對(duì)晶圓生產(chǎn)工藝的電性測(cè)試。

芯片術(shù)語(yǔ)

下圖是一個(gè)中規(guī)模（MSI）/雙極型集成電路的顯微照片。之所以選擇這個(gè)集成等級(jí)，是為了照片上能顯示出電路的具體圖形。對(duì)于更高集成度的電路，它的元件非常小，以至于在整個(gè)芯片的顯微照片上無(wú)法辨認(rèn)。

圖中芯片的特性有：

1. 雙極型晶體管

2. 電路的特定編號(hào)

3. 為連接芯片與管殼而備的壓焊點(diǎn)

4. 壓焊點(diǎn)上的一小塊污染物

5. 金屬表面導(dǎo)線

6. 劃片線（芯片間的分割線）

7. 獨(dú)立未連接的元件

8. 掩模版對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記

9. 電阻

晶圓生產(chǎn)的基礎(chǔ)工藝

薄膜工藝

薄膜工藝是在晶圓表面形成薄膜的加工工藝。

各種技術(shù)用于二氧化硅層生長(zhǎng)和各種材料的沉積。

通用的淀積技術(shù)是物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、蒸發(fā)和濺射、分子束、外延生長(zhǎng)、分子束外延和原子層淀積。使用電鍍?cè)诟呙芏燃呻娐飞系矸e金屬化層。

圖形化工藝

圖形化工藝是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去工藝。從此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去部分的可能形狀是薄膜內(nèi)的空或是殘留的島狀部分。

圖形化工藝也被未大家熟知的廣掩模、掩模、光刻或微光刻。在晶圓制造過(guò)程中，晶體三極管、二極管、電容器和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內(nèi)構(gòu)成。

圖形的錯(cuò)位也會(huì)導(dǎo)致類似的不良結(jié)果。圖形化工藝中的另一個(gè)問(wèn)題是缺陷。圖形化工藝是高科技版本的照相術(shù)，只不過(guò)是在難以置信的微小尺寸小完成的。在制程中的污染物會(huì)造成缺陷。事實(shí)上由于圖形化工藝在現(xiàn)代晶圓生產(chǎn)過(guò)程中要完成30層或更多，所以污染問(wèn)題將會(huì)放大。