女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

WBG功率器件的仿真技巧研究

TI視頻 ? 來源:ti ? 2019-04-18 06:31 ? 次閱讀

新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應用在電力電子產品中來提升效率和功率密度. 培訓內容介紹了WBG功率器件特性, 及應用. 并且詳細的分析了開關性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • ti
    ti
    +關注

    關注

    113

    文章

    8017

    瀏覽量

    214369
  • 仿真
    +關注

    關注

    51

    文章

    4240

    瀏覽量

    135314
  • 功率
    +關注

    關注

    14

    文章

    2100

    瀏覽量

    71265
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    主導著逆變器設計領域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率
    的頭像 發表于 04-25 11:34 ?293次閱讀
    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的代際跨越與選型策略

    寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰

    功率電子技術的快速發展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率
    的頭像 發表于 04-23 11:36 ?288次閱讀
    寬帶隙<b class='flag-5'>WBG</b><b class='flag-5'>功率</b>晶體管的性能測試與挑戰

    逆變電路中功率器件的損耗分析

    研究逆變電路的損耗時,所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現預期的電路工作和特性,同時還需要進行優化以將損耗降至更低。本文將功率器件
    的頭像 發表于 03-27 14:20 ?891次閱讀
    逆變電路中<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的損耗分析

    人形機器人設計中,哪些關鍵部位需要功率器件?典型電壓/電流參數如何設計?

    我們正在研究人形機器人,想了解在關節驅動、電源管理、熱控制等子系統中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問題: ? 功率
    發表于 03-12 14:05

    功率器件熱設計基礎知識

    功率器件熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識,不僅有助于提高
    的頭像 發表于 02-03 14:17 ?613次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領域的應用與技術前景

    功率轉換器中具有許多優勢,例如提高功率密度和效率,因此可能非常適合于空間應用。然而,這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細考慮。本文概述了在飛機和空間
    的頭像 發表于 01-23 11:13 ?898次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在航空與航天領域的應用與技術前景

    功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

    /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件
    的頭像 發表于 01-13 17:36 ?894次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設計

    功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

    /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件
    的頭像 發表于 01-06 17:05 ?639次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    DOH新材料工藝封裝技術解決功率器件散熱問題

    DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產品良率及使用壽命。為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果
    的頭像 發表于 12-24 06:41 ?663次閱讀
    DOH新材料工藝封裝技術解決<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>散熱問題

    功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數

    樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率
    的頭像 發表于 12-23 17:31 ?853次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十)——<b class='flag-5'>功率</b>半導體<b class='flag-5'>器件</b>的結構函數

    功率器件封裝新突破:納米銅燒結連接技術

    、高溫服役、優異的導熱和導電性能,以及相對較低的成本,在功率器件封裝研究領域備受關注。本文將綜述納米銅燒結連接技術的研究進展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結連接接頭
    的頭像 發表于 12-07 09:58 ?1381次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝新突破:納米銅燒結連接技術

    WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰

    :RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅動器應用進行優化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導體材料,因其開關更快且損耗更低,相較于傳統硅 (Si) 在電力電子應用領域更具優勢。對于需要關鍵考量高效率和高
    發表于 09-27 15:05 ?1006次閱讀
    <b class='flag-5'>WBG</b> <b class='flag-5'>器件</b>給柵極驅動器電源帶來的挑戰

    三菱電機功率器件發展史

    三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索,本篇章帶你了
    的頭像 發表于 07-24 10:17 ?1032次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>發展史

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發熱的原因主要有兩個,一是
    的頭像 發表于 07-19 11:21 ?1242次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗

    功率器件散熱裝置設計探討

    摘要:針對某大功率器件的散熱需求,基于傳熱路徑和流動跡線,進行了一種內嵌熱管的高效風冷散熱裝置的設計研究,并進行了仿真計算。計算結果顯示散熱符合設計要求,表明此高效散熱裝置設計方案可行
    的頭像 發表于 06-09 08:09 ?963次閱讀
    大<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>散熱裝置設計探討