功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。

一、熱設(shè)計(jì)的基本概念

功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中以及導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，這些損耗的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱。器件的發(fā)熱會(huì)導(dǎo)致器件各點(diǎn)溫度升高，從而影響器件的性能和可靠性。因此，熱設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)是通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì)，確保器件在工作過(guò)程中溫度保持在安全范圍內(nèi)。

二、散熱形式

IGBT模塊的風(fēng)冷散熱是典型的散熱系統(tǒng)，它包含了三種散熱形式：熱傳導(dǎo)、熱輻射和熱對(duì)流。

熱傳導(dǎo)：熱傳導(dǎo)是指固體或液體之間因?yàn)闇囟炔疃a(chǎn)生熱量傳遞或擴(kuò)散的現(xiàn)象。在熱傳導(dǎo)過(guò)程中，熱量從高溫物體傳遞到低溫物體。熱傳導(dǎo)的特性可以類(lèi)比為電氣工程中的歐姆定律，熱能工程中的熱源就像電氣工程中的電源，受熱體就像負(fù)載，熱阻和熱容則類(lèi)似于電阻和電容。

熱輻射：熱輻射是物體通過(guò)電磁波傳遞熱量的過(guò)程。所有溫度高于絕對(duì)零度的物體都會(huì)發(fā)射熱輻射。熱輻射的強(qiáng)度與物體的溫度、表面性質(zhì)和發(fā)射率有關(guān)。

熱對(duì)流：熱對(duì)流是流體（氣體或液體）由于溫度差引起的流動(dòng)而傳遞熱量的過(guò)程。自然對(duì)流是由于溫度差引起的流體密度變化而產(chǎn)生的流動(dòng)，強(qiáng)制對(duì)流則是通過(guò)外部動(dòng)力（如風(fēng)扇）驅(qū)動(dòng)流體流動(dòng)。

三、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)

熱阻和導(dǎo)熱系數(shù)是熱設(shè)計(jì)中的兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。

熱阻：熱阻描述了物質(zhì)對(duì)熱傳導(dǎo)的阻力，是傳熱過(guò)程中溫度差與熱流量的比值。熱阻的單位是K/W，它表示每瓦功率產(chǎn)生的熱量在物體中引起的溫度差。熱阻的大小取決于材料的導(dǎo)熱系數(shù)、厚度和橫截面積。導(dǎo)熱系數(shù)越高、厚度越小、橫截面積越大，熱阻越小。

導(dǎo)熱系數(shù)：導(dǎo)熱系數(shù)（又稱(chēng)熱導(dǎo)率）是材料以熱的形式傳輸熱能的能力，單位是W/(m·K)。導(dǎo)熱系數(shù)是材料的固有屬性，與材料的種類(lèi)、結(jié)構(gòu)和溫度有關(guān)。不同材料的導(dǎo)熱系數(shù)差異很大，例如，硅的導(dǎo)熱系數(shù)是100W/(m·K)，而碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)490W/(m·K)，優(yōu)于金屬銅25%，甚至比金屬銀還好。

四、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析

功率模塊的熱阻分布對(duì)其散熱性能至關(guān)重要。以下以一個(gè)實(shí)際帶銅基板的IGBT功率模塊為例，分析其熱阻分布。

芯片焊料層：芯片焊料層的導(dǎo)熱性并不好，導(dǎo)熱系數(shù)約為30W/(m·K)，但厚度很薄，通常只有0.1mm左右。因此，在功率模塊中，芯片焊料層的熱阻占比相對(duì)較小，通常只占4%左右。

導(dǎo)熱硅脂層：導(dǎo)熱硅脂層用于填充模塊殼與散熱器之間的間隙，以提高熱傳導(dǎo)效率。假設(shè)導(dǎo)熱硅脂的導(dǎo)熱系數(shù)是1W/(m·K)，厚度為30-100um，在芯片的散熱通路中，導(dǎo)熱硅脂層的熱阻占比高達(dá)37%，是散熱通路中熱阻最大的部分。因此，使用更好的導(dǎo)熱材料來(lái)替代導(dǎo)熱硅脂，是緩解散熱瓶頸、提高功率密度的重要舉措。

芯片厚度：芯片厚度對(duì)熱阻也有顯著影響。以采用擴(kuò)散焊的單管為例，假設(shè)硅芯片的面積為5.1mm2，芯片損耗為170W，分別計(jì)算芯片厚度為350um和110um時(shí)的溫度。由于硅的導(dǎo)熱性不是特別好，相同條件下，350um的芯片要比110um的芯片溫度高15度。這是因?yàn)樾酒穸仍黾訉?dǎo)致熱阻增大。然而，器件的耐壓與漂移區(qū)的長(zhǎng)度和電阻率有關(guān)，太薄的晶圓意味著更低的耐壓，而太厚的漂移區(qū)電阻也更大，熱阻也增加。因此，在設(shè)計(jì)中需要權(quán)衡耐壓和熱阻的關(guān)系。

五、碳化硅（SiC）芯片的熱優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）材料因其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。以下從耐壓、導(dǎo)熱系數(shù)和禁帶寬度等方面分析SiC芯片的熱優(yōu)勢(shì)。

耐壓：功率開(kāi)關(guān)器件的耐壓與其漂移區(qū)的長(zhǎng)度和電阻率有關(guān)。而MOSFET是單極性功率開(kāi)關(guān)器件，其通態(tài)電阻直接決定于漂移區(qū)的長(zhǎng)度和電阻率，與其制造材料臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度的立方成反比。因?yàn)?H-SiC有10倍于Si的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，因此基于SiC的功率器件允許使用更薄的漂移區(qū)來(lái)維持更高的阻斷電壓，從而顯著降低了正向壓降以及導(dǎo)通損耗，同時(shí)減小熱阻。例如，要獲得5000V的耐壓，使用摻雜為2.510^13/cm3的襯底材料，Si基功率器件需要漂移層厚度0.5mm，單位面積電阻為10Ωcm2；而SiC MOSFET使用摻雜為2.010^15/cm3的漂移層，需要的厚度僅有0.05mm，單位面積電阻僅為0.02Ωcm2。

導(dǎo)熱系數(shù)：SiC的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)490W/(m·K)，遠(yuǎn)高于Si的100W/(m·K)。因此，SiC芯片在實(shí)現(xiàn)高功率密度方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。即使芯片面積很小，也可以保證良好的散熱性能。

禁帶寬度：SiC的禁帶寬度為3.23eV，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。這意味著SiC功率器件可以在更高的溫度下工作，從而提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會(huì)提升到一個(gè)全新的高度。

六、結(jié)論與展望

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)高功率密度、高可靠性功率系統(tǒng)的關(guān)鍵。通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì)，可以有效地降低器件溫度，提高器件的利用率和系統(tǒng)可靠性。未來(lái)，隨著SiC等新材料的廣泛應(yīng)用以及封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率器件的熱設(shè)計(jì)將面臨更多挑戰(zhàn)和機(jī)遇。一方面，需要不斷研究新的散熱材料和散熱技術(shù)，以提高散熱效率；另一方面，也需要加強(qiáng)熱設(shè)計(jì)與封裝設(shè)計(jì)的協(xié)同優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)更高效的散熱和更可靠的封裝結(jié)構(gòu)。同時(shí)，還需要關(guān)注熱設(shè)計(jì)對(duì)系統(tǒng)性能和成本的影響，以實(shí)現(xiàn)綜合性能的最優(yōu)化。