對于芯片行業而言,2018年是一個特殊的年份,這一年各大芯片公司如三星臺積電紛紛宣布將會量產7nm制程芯片;這一年中國宣布全面介入芯片領域;這一年是EUV光刻成功投入商業化。雖說目前的EUV光刻還存在一定的問題,例如光源功率以及晶圓產能輸出還沒有達到理想狀態,但是可以預見的是,7nm制程工藝已經馬上就要到來。
隨著摩爾定律的推進,人類在微觀世界越走越遠,光刻慢慢進入到了詭譎的量子領域,業界懷疑過現在的制程是否已經到達人類的極限。對此,世界上最先進的***制造公司ASML的研究部主管對此有不同的看法,他認為,摩爾定律至少可以推進到2030年,制程可以到達1.5納米。
ASML公司是全世界在***領域走的最遠的公司,2018年宣布量產的7nm制程芯片便是由ASML公司制造的EUV***生產的。之前為了研究極紫外***(EUV),ASML公司投入了數百億歐元和幾十年的研究時間。目前, ASML公司正在研究如何進一步提高***的數值孔徑,以優化EUV***的分辨率。
數值孔徑NA對于***分辨率的影響,可以用一個公式來說清楚,***的分辨率=k1*λ/NA,k1是常數,不同的***有不同的k1,λ是工作波長,目前的EUV光刻使用的是13.5nm的極紫外光,NA是分辨率的數值孔徑。從公式里很清楚地看到,在確定***類型和工作波長之后,數值孔徑越大,分辨率越低,制程也就越先進。
不久前,ASML宣布和IMEC比利時微電子中心合作,希望將***數值孔徑從0.33提高到0.5,用以制造制程3nm以下的晶體管。此前,ASML公司為提高數值孔徑,曾經收購過德國卡爾蔡司公司的半導體子公司。
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原文標題:ASML再次踏上新一代光刻機征程
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