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開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit(512MB)DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
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尋求AFE4960P芯片的完整資料
各位大佬,我是一名研究生,目前在做基于ECG和PPG信號的可穿戴設(shè)設(shè)備的項(xiàng)目,經(jīng)過調(diào)研發(fā)現(xiàn),AFE4960P這款芯片比較符合需求。由于沒有企業(yè)郵箱,被TI官方拒絕提供完整資料。大佬們有沒有完整版的資料,分享一下,感謝。
發(fā)表于 04-17 16:20
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發(fā)表于 03-14 17:25
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ADS5474輸入1.1VPP的時(shí)候輸出就出現(xiàn)削頂?shù)默F(xiàn)象,為什么?
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發(fā)表于 01-22 06:40
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ADC14L040的內(nèi)部有保護(hù)電路嗎?
各位大蝦同仁們,小弟設(shè)計(jì)了一個(gè)ADC14L040的電路,按照數(shù)據(jù)手冊,其參考電壓應(yīng)該是1V(我用的是內(nèi)部參考,電路解法基本參照手冊),可是在實(shí)測中為1.5V的直流參考,請問這是為什么?還有,ADC14
發(fā)表于 01-08 07:47
AFE4960P IO_SUP電壓升高的原因?
我的原理圖設(shè)計(jì)參考4960pEVM ,生產(chǎn)一板之后測得 TX_SUP 3VIO_SUP 是2.2V 但是IO_SUP供電電壓為 1.8V.
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