電源

無論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空

對于每組對應的VDD和GND都應至少放置一個104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應放置盡量靠近MCU

用萬用表測試供電電壓是否正確，調(diào)試時最好用數(shù)字電源供電，以便過壓或過流燒壞板子，電壓最好一步一步從進線端測試到芯片供電端

復位、啟動選擇

Boot引腳與JTAG無關。其僅是用于MCU啟動后，判斷執(zhí)行代碼的起始地址

在電路設計上可能Boot引腳不會使用，但要求一定要外部連接電阻到地或電源，切不可懸空;STM32三種啟動模式對應的存儲介質(zhì)均是芯片內(nèi)置的，它們是：

用戶閃存 = 芯片內(nèi)置的Flash

SRAM = 芯片內(nèi)置的RAM區(qū)，就是內(nèi)存

系統(tǒng)存儲器 = 芯片內(nèi)部一塊特定的區(qū)域，芯片出廠時在這個區(qū)域預置了一段Bootloader，就是通常說的ISP程序，這個區(qū)域的內(nèi)容在芯片出廠后沒有人能夠修改或擦除，即它是一個ROM區(qū)

在每個STM32的芯片上都有兩個管腳BOOT0和BOOT1，這兩個管腳在芯片復位時的電平狀態(tài)決定了芯片復位后從哪個區(qū)域開始執(zhí)行程序，見下表：

BOOT1=x BOOT0=0 從用戶閃存啟動，這是正常的工作模式。

BOOT1=0 BOOT0=1 從系統(tǒng)存儲器啟動，這種模式啟動的程序功能由廠家設置。

BOOT1=1 BOOT0=1 從內(nèi)置SRAM啟動，這種模式可以用于調(diào)試。

用JTAG口或SWD模式燒寫 選擇從用戶閃存啟動。

用串口ISP模式燒寫程序時時選擇從系統(tǒng)存儲啟動

燒寫接口

如果要減小插座的數(shù)量，就用SWD模式的仿真，在這個模式下，如果用JLINK只要四根線就可以了，這四根線分別是：3.3V、GND、SWDIO、SWCLK

其中STM32的JTMS/SWDIO接JTAG口的TMS，STM32的JTCK/SWCLK接JTAG口的TCK。如果要用ULINK2，則再加多一條“NRST”，即5條。這個接口你可自行定義，在使用時用杜邦線跳接或做塊轉換接口板聯(lián)接仿真器與目標板即可。

在燒寫時出現(xiàn)了IDCODE如圖有序列號，證明燒寫接口是好的!也就是硬件調(diào)試通了。如沒有也許焊接不過關，從新加固焊接芯片。

調(diào)試燒錄失敗的常見原因

目標芯片沒有正確連接，不能正常工作 —— 解決方法：確保目標板的最小系統(tǒng)正確連接，芯片能正常工作：VDD、VDDA及VSS 、VDDS已全部正確連接，復位電路能夠可靠復位，各復位源不互相影響。

芯片內(nèi)原先燒錄的代碼影響了新的調(diào)試操作，芯片內(nèi)原先燒錄的代碼出錯，芯片上電運行，進入未定義狀態(tài)，不能進入調(diào)試模式。芯片內(nèi)原先燒錄的代碼啟動了某些外設，或者將SWJ引腳配置為普通I/O口 —— 解決方法：選擇芯片的BOOT0/BOOT1引腳從RAM啟動，或先擦除芯片內(nèi)代碼。

芯片已被讀/寫保護，調(diào)試工具不能讀寫芯片內(nèi)置的Flash —— 解決方法：先使用調(diào)試工具解除芯片的讀/寫保護。