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增加薄膜電容的抗干擾能力選擇的方法

劉先生 ? 2018-09-07 10:02 ? 次閱讀

為更好的解決薄膜電容頻率高,總線周期特別快的情況,為增加系統的抗電磁干擾能力采取如下措施:

1、減小信號傳輸中的畸變:

微控制器主要采用高速CMOS技術制造。信號輸入端靜態輸入電流在1mA左右,輸入電容10PF左右,輸入阻抗相當高,高速CMOS電路的輸出端都有相當的帶載能力,即相當大的輸出值,將一個門的輸出端通過一段很長線引到輸入阻抗相當高的輸入端,反射問題就很嚴重,它會引起信號畸變,增加系統噪聲。當Tpd>Tr時,就成了一個傳輸線問題,必須考慮信號反射,阻抗匹配等問題。智旭電子認為,信號在印制板上的延遲時間與引線的特性阻抗有關,即與印制線路板材料的介電常數有關。可以粗略地認為,信號在印制板引線的傳輸速度,約為光速的1/3到1/2之間。微控制器構成的系統中常用邏輯電話元件的Tr(標準延遲時間)為3到18ns之間。

當信號的上升時間快于信號延遲時間,就要按照快電子學處理。溥膜電容廠家認為此時要考慮傳輸線的阻抗匹配,對于一塊印刷線路板上的集成塊之間的信號傳輸,要避免出現Td>Trd的情況,印刷線路板越大系統的速度就越不能太快。

2、選用頻率低的微控制器:

選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波,方波中的高頻成份比正弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度,比基波小,但頻率越高越容易發射出成為噪聲源,微控制器產生的最有影響的高頻噪聲大約是時鐘頻率的3倍。

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