聯電是全球第 3 大晶圓代工廠，過去 1 年，做晶圓代工的聯電，卻跨界和專做 DRAM（動態隨機存取內存）的美國美光公司打起全球訴訟。 去年，美光在***和美國控告聯電侵害美光營業秘密，在***已遭起訴；今年初，聯電在中國福州，控告美光侵害聯電專利，7 月時，中國福州中級法院發出訴中禁令，禁止美光部分產品在中國販賣。 你來我往，互不相讓。

真正的導火線，是 2016 年聯電和中國內存新廠──福建省晉華集成電路公司的一紙文件，指出聯電和晉華協議，是由晉華提供 3 億美元，替聯電采購研發設備，再按 DRAM 技術的開發進度支付聯電 4 億美元，但聯電必須開發出 32 奈米的 DR AM 相關制程技術。

▲ 福建省晉華集成電路是目前中國 3 個發展 DRAM 技術的團隊之一，整個投資案規模超過臺幣 1,500 億元。

左右全球 DRAM 產業的大案 聯電有機會藉此擴大影響力

事實上，2016 年 4 月，經濟部投審會就通過了聯電和晉華的合作案，由聯電在南科研發，再移轉到晉華生產；聯電如果成功，中國和***將首度擁有自制 DRAM 的能力，全球 DRAM 產業的格局將因此改變， 聯電也能藉此擴大在利基型內存市場的影響力，此役可謂非常關鍵。

但是現在，與美光的訴訟讓這起合作案變得極為敏感。 中國急于取得 DRAM 的制造能力，合肥睿力、清華紫光和福建晉華三股勢力，都爭相開發 DRAM 技術。 我們好奇，聯電在這場大戰里，扮演什么樣的角色？

8 月 1 日，《財訊》采訪團隊赴福建晉江，直擊正在大興土木的晉華公司，一探聯電機密 DRAM 生產計劃的虛實。

車子進入晉江，迎面而來的是大批香蕉園，傳統產業才是這里的主流，轉入一條小路后，右邊赫然出現一棟巨大的晶圓廠；《財訊》造訪時，晉華的主建筑物剛剛完成，警衛室的鐵門都還沒裝上，就連一旁的旗桿都是前幾天裝的。

從外部觀察，晉華已經進入裝機階段，因為，門口不時可看到***啟德的搬運車，這家公司正是專為***晶圓廠搬運設備的搬運商；這代表，這座廠不是空殼子，已經在為生產做準備。

另一跡象是，硅品在晉華對面，也圈下一塊 44,000 坪的土地，趕工興建封測廠，很明顯的，硅品要趕在晉華一開始生產內存時，就拿下相關的內存封測商機。

▲ 硅品在福建晉華總部對面正拿下 4 萬坪土地，趕工興建封測廠，急著布局晉華未來的內存封測商機。

問題是，聯電真能設計出 DRAM 技術嗎？ 《財訊》記者多次要透過聯電約訪關鍵人物，聯電資深副總經理陳正坤，但被拒絕，他也是現在福建晉華的總經理。

這天中午，《財訊》在晉華門口「堵」到了陳正坤。

陳正坤是***瑞晶前總經理，他經營***瑞晶時，這家公司是***最賺錢的 DRAM 廠，當時，每天下午 5 點，他就帶著年輕的工程師在廠區里跑步，這是他激勵團隊的方式。

關鍵人物陳正坤現身

晉華準備試產，趕工布建產能

「陳總，來這里還跑嗎？ 」《財訊》記者問陳正坤，跟著他走進晉華的大樓門廳，「快要開始了」，陳正坤笑，我們走進晉華的大門，門廳里晉華的標志才剛剛貼上，陳正坤說，「這里的規模應該有瑞晶的 3 到 5 倍」。 規畫是，要讓產能先到位，只要試產沒問題，隨時就能進入量產！ 但，聯電做 DRAM 良率如何？ 陳正坤低調回應，「我們已經有良率」，意思是，已經能成功制造產品，只待進一步修正，提高良率。 聯電 DRAM 量產，在技術上已有重大突破。

陳正坤透露，聯電研發 DRAM 的研發生產線早已在***南科運轉，聯電調集 200-300 名研發工程師進行實驗，「我們做研發，兢兢業業，不敢松懈！ 」他自信地說。

外傳聯電擁有晉華股份，問到這里，陳正坤急忙否認，「這里都是福建的」，陳正坤雖然掛晉華總經理，但他其實是從聯電借調到晉華，提供晶圓廠設計服務，讓聯電設計出的 DRAM 技術，能搭配適當的生產設備生產。 而且，蓋廠要負擔沉重的成本，根據《紐約時報》報導，這座廠要價 57 億美元。 只設計，不投資，對聯電目前的財務狀況來說，負擔才不會太沉重。

福建有可能成為中國第一個量產 DRAM 的地方，問題是，***過去也從沒在 DRAM 上取得自主開發的技術，怎么突然在 1 年半時間，研發出自主的量產技術？

《財訊》采訪多位半導體產業人士，得到的結論是，內存設計和制造其實不像外界想得那么困難，「但繞過 3 家大廠的專利保護網才困難」。 過去，DRAM 生產比的是速度，誰能用半導體微縮技術，開發出新一代的內存，就能在同樣一片晶圓上，生產出更多、成本更低的內存，而且更省電，因此，在制程競賽中落后的廠商，就會因為缺乏成本競爭力被迫退出賽局。 但近幾年，由于半導體微縮制程已近物理極限，內存線路微縮的速度也在放緩，這一點對新加入競爭的廠商有利。

試圖繞過 3 家大廠專利保護網

晉華給聯電極大優惠，雙方各擁技術權

根據《財訊》調查，目前聯電高層認為，DRAM 技術里，device（器件）的設計，相當于邏輯制程的 65 奈米，「這對我們很簡單」，真正難的是 module（模塊）的設計，「大約是 14 奈米制程，比較難，關卡在 module 技術」。

聯電已建立起 DRAM 研發能力，并規劃出不只一個世代的產品，雖然第一代從較成熟的 35 奈米開始，但未來有能力自己研發出使用 1X 制程的產品。 「DRAM 微縮的速度在放慢，」一位業界人士觀察，聯電如果能從 25 奈米切入，就能做出各式各樣的嵌入式產品，擁有巨大的商業價值，「但聯電對做一般 DRAM 沒有興趣，是為了發展代工用的嵌入式內存技術才加入合作案」。

關鍵在于，聯電現在改變策略，要專注發展與臺積電不一樣的制程和服務，嵌入式系統用的內存技術對聯電未來發展十分重要，這項技術可以用在數據中心、高速運算、物聯網等領域，臺積電也積極投入研發。

投入 DRAM 的另一個關鍵是，晉華給了聯電極為優惠的條件。

福建晉華拿出 3 億美元資金，替聯電買專用設備，放在南科聯電 12A 廠做研發，如果做出這項技術，晉華還會再按進度，拿出 4 億美元給聯電，最重要的是，聯電將和晉華共同擁有這項技術的所有權。 為了把技術留在***，聯電因此把研發基地設在南科。 這項技術合作案也通過投審會審查。

其中最重要的限制條件則是，「不能授權中國其他省分使用這項技術；但中國之外，聯電能自由使用這項技術。 」聯電等于不用付錢，就有機會取得內存技術。

這項計劃早已布局多年，在馬政府時代，曾有兩岸共同研發 DRAM 技術的構想，中國方面也一直積極在全世界找合作對象。 當初福建省有意與爾必達前執行長阪本幸雄合作，聯電原本只是想在阪本幸雄的旁邊蓋廠，共同采購設備，降低成本。

阪本幸雄最后「劈腿」，改與合肥合作，「新娘」跑了，福建官方就找上「媒人」，與聯電商議，「不如由聯電來做」，整個計劃前后布局至少 4、5 年。 聯電是意外參與這個計劃。

過去幾年，大部分人只注意到晶圓代工之王──臺積電的動向，卻沒注意，聯電開始把過去累積的半導體技術實力，拿到新的市場上「變現」。 聯電如果成功，中國和***將有自制 DRAM 的能力，惟聯電的新策略能否成功，除了攻克技術難關，能不能打贏法律戰，才是接下來最重要的關鍵。