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繼7nm量產(chǎn)后,臺(tái)積電公布了3nm制程工藝計(jì)劃

jXID_bandaotigu ? 來(lái)源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-08-17 14:27 ? 次閱讀

據(jù)國(guó)際電子商情,近日,臺(tái)積電公布了3nm制程工藝計(jì)劃,目前臺(tái)南園區(qū)的3nm晶圓工廠已經(jīng)通過(guò)了環(huán)評(píng)初審,臺(tái)積電計(jì)劃投資6000億新臺(tái)幣(約為194億美元),2020年開始建廠,2021年完成設(shè)備安裝,預(yù)計(jì)最快2022年底到2023年初投產(chǎn),3nm廠完成后預(yù)計(jì)雇用員工達(dá)四千人。

臺(tái)積電的7nm工藝今年已經(jīng)量產(chǎn)了,首發(fā)的7nm芯片是嘉楠耘智的ASIC礦機(jī)芯片,采用該工藝的芯片還有蘋果的A12、海思麒麟980以及AMD、NVIDIA的7nm CPU/GPU芯片。與16nm FF工藝相比,臺(tái)積電的7nm工藝(代號(hào)N7)將提升35%的性能,降低65%的能耗,同時(shí)晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+(代號(hào)N7+)工藝,晶體管密度再提升20%,功耗降低10%,不過(guò)性能沒有變化。

在5nm節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電將投資250億美元用于發(fā)展5nm工藝,預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn),2020年量產(chǎn)。與初代7nm工藝相比,臺(tái)積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗,晶體管密度再提高1.8倍,至于性能,預(yù)計(jì)性能提升15%,如果使用新設(shè)備的話可能會(huì)提升25%。

在3nm節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電也公布了相關(guān)計(jì)劃,去年表態(tài)稱投入了數(shù)百名工程師資源進(jìn)行早期研發(fā),而晶圓工廠也將落戶南科臺(tái)南園區(qū),占地28公頃,位置緊鄰臺(tái)積電的5nm工廠。目前***環(huán)保部門已經(jīng)通過(guò)了“臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)畫環(huán)差案”的初審,預(yù)計(jì)在2020年交地給臺(tái)積電建設(shè)工廠。

南科管理局長(zhǎng)林威呈表示,由于園區(qū)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求,為了確保世界先進(jìn)制程的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),提出了“臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案”,一方面檢討園區(qū)土地使用分區(qū)計(jì)劃,另一方面也是為了引進(jìn)先進(jìn)制程的需求,提出園區(qū)用水量、用電量、污水放流量、土方等的變更。

南科管理局提出報(bào)告,為了滿足臺(tái)積電3nm建廠需要,南科臺(tái)南基地,每日用水量將由25萬(wàn)噸增至32.5萬(wàn)噸,用電量則由222萬(wàn)瓦增至299.5萬(wàn)瓦;推估此次變更后,溫室氣體排放量一年增加427萬(wàn)噸。臺(tái)積電一開始就承諾,在市場(chǎng)供給機(jī)制的完善下,3nm廠新增用電量將隨著量產(chǎn)時(shí)程,逐年取得20%用電度數(shù)的再生能源,預(yù)估每年最高可減少約85.41萬(wàn)噸的二氧化碳當(dāng)量。

3nm技術(shù)可以說(shuō)已經(jīng)接近半導(dǎo)體工藝的物理極限,而其目前也處于實(shí)驗(yàn)室階段,臺(tái)積電資深處長(zhǎng)莊子壽坦言:“3nm制程技術(shù)難度高,是很大挑戰(zhàn)。”

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原文標(biāo)題:7nm今年剛量產(chǎn) 臺(tái)積電又投資194億美元用于3nm制程工藝

文章出處:【微信號(hào):bandaotiguancha,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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