中興通訊在前段時間遭遇美國商務部制裁，禁止采購美國芯片，有工程師專家分析，中興通訊被禁止采購的并非是高通芯片而是射頻芯片，光電通信芯片（國產只能做到10gb/S，市場占有率只有1%，主要的供應商有華為、紫光，海信，海康威視，但美國博通和日本三菱可以做到100gb/s）。射頻芯片對5G的發展也是尤為重要。

5G時代即將來臨，電信設備業者、芯片大廠以及手技制造商紛紛展開技術研發，以因應下世代通訊發展。過去幾年LTE技術持續發展，帶動行動裝置的射頻前端（RF front-end， RFFE）模組市場成長。而5G NR非獨立式（NSA）標準出爐后，更進一步提升濾波器（Filters）、低雜訊放大器（LNA）與天線交換器（Switch）等模組需求。Yole Développement預估，整體RFFE模組市場產值將在2023年突破300億美元。

LTE技術演進掀起RFFE模組市場第一波熱潮，不過2017年底5G NR NSA標準出現，才是驅動RFFE市場大幅成長的主因。5G NR NSA在架構上采用4G/5G聯合組網，并引入雙連結（Dual Connectivity）技術確保設備能同時使用兩個基地臺的無線資源，也促使RFFE技術復雜度以及元件需求向上提升。根據市調機構Yole發布的報告，RFFE模組市場2023年市場產值達352億美元，2017~2023年復合成長率（CAGR）為14%。

Yole電源與無線連接部門總監Claire Troadec表示，并非所有RFFE元件市場都會有一致性的成長。其中，市場占比最大的濾波器市場，2017~2023年間有望達到3倍的成長率，是所有RFFE元件成長幅度最大者。Troadec進一步分析濾波器市場成長原因，主要是受到高階體聲波（BAW）濾波器所驅動。高階BAW濾波器因在5G NR高頻段區域仍可維持良好的效能，市場滲透率不斷提升。

伴隨著高整合性的功率放大器（Power Amplifier， PA）模組與分集模組（Diversity Module）需求逐漸攀升，將連帶提高低雜訊放大器的市場產值，Yole預估LNA市場2017~2023年CAGR將達到16%；此外，4×4多輸入多輸出（MIMO）天線架構使得RFFE系統設計更為復雜，進而帶動RFFE分集交換器的市場需求，其CAGR亦將達到16%。

根據該報告，功率放大器將成為這波成長趨勢下，市場唯一呈現持平狀態的RFFE元件。其中，高階LTE PA在高頻段以及超高頻段的市場成長，正好彌補其在2G/3G市場的萎縮。目前2G/3G市場主要由多模多頻功率放大器（MMMB PA）所主導，MMMB PA整合度高因而降低周邊元件用量。

法國半導體逆向工程顧問公司System Plus Consulting經理Stéphane Elisabeth表示，2018年對于RFFE模組供應商而言將是全新的一年，而這也可能成為部分OEM廠的轉機。Elisabeth根據其觀察進一步說明，2017年時是否選用雙工器功率放大器模組（PAMiDs），明顯區分出高階與中階智慧型手機，而隨著各廠陸續投入5G通訊技術開發，未來高階與中階智慧型手機的效能差距將越來越大；高階OEM廠也正積極開發將更多元件整合進單一裝置的技術，創造更多印刷電路板（Printed Circuit Board， PCB）空間以容納5G所需的元件。