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兩款國產(chǎn)射頻TRCV RFIC芯片,支持我國5G布局發(fā)展

射頻半導(dǎo)體 ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-07-16 15:02 ? 次閱讀

愛斯泰克(上海)高頻通訊技術(shù)有限公司,東南大學(xué)黃風(fēng)義教授帶領(lǐng)的團隊在張江發(fā)布了兩款國產(chǎn)射頻收發(fā)系統(tǒng)集成電路芯片,其中一款高寬帶、抗干擾射頻集成電路芯片被北京大學(xué)、中科院等專家組技術(shù)鑒定為已達到國際先進水平。據(jù)悉,這兩款芯片可廣泛應(yīng)用于第5代移動通信5G)、超高速無線物聯(lián)網(wǎng)等,能夠在該技術(shù)領(lǐng)域支撐我國5G布局發(fā)展。

射頻芯片是無線通信的關(guān)鍵部件,可以實現(xiàn)信息的發(fā)射、無線傳輸和接收。傳統(tǒng)的手機射頻芯片,通常一個頻段(也稱為通道)或鄰近頻段對應(yīng)了一個芯片單元,多個通道需要多個芯片單元。隨著手機通信的頻段、模式增多及帶寬增加的發(fā)展趨勢,射頻芯片需要支持十幾個通道,并滿足高帶寬、抗干擾能力強等性能要求。目前,移動通信的高端射頻芯片大部分被國外大公司壟斷。

研發(fā)團隊帶頭人、上海市“千人計劃”專家黃風(fēng)義博士從美國伊利諾伊大學(xué)香檳分校畢業(yè)后,曾在美國IBM公司研發(fā)中心擔任鍺硅技術(shù)項目組核心研發(fā)工程師,在集成電路芯片的工藝、器件、電路設(shè)計等相關(guān)領(lǐng)域有20多年研究經(jīng)驗。2001年回國后,他創(chuàng)建愛斯泰克(上海)高頻通訊技術(shù)有限公司,擔任公司董事長。公司主要瞄準中高端應(yīng)用的射頻、微波、毫米波芯片市場,目前正致力自主研發(fā)可應(yīng)用于5G、無線物聯(lián)網(wǎng)等國內(nèi)急需的芯片。

據(jù)介紹,此次發(fā)布的芯片分別為高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片和多頻、多模、可重構(gòu)收發(fā)系統(tǒng)芯片。團隊對這兩款芯片的構(gòu)思從2010年開始,在過去5年間投入了大量資源,與東南大學(xué)等高校研發(fā)團隊展開測試合作。芯片的研發(fā)經(jīng)過多輪設(shè)計、流片加工才有了如今的問世。其中,高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片集成了整個收發(fā)前端的主要元器件,具有高帶寬、超高速、抗干擾能力強等特點。

愛斯泰克發(fā)布的兩款芯片

它的傳輸帶寬最高達到150兆,是目前4G手機帶寬的3倍多,已經(jīng)能夠滿足5G超高速、超大帶寬等要求。在世界范圍內(nèi),目前ADI公司已經(jīng)有同類型芯片產(chǎn)品,但黃風(fēng)義表示,此次發(fā)布的芯片在抗干擾性等方面要優(yōu)于已有芯片。“打電話時有時會出現(xiàn)串音的情況,這是由于受到其他信號的干擾。這款芯片具備強大的抗干擾能力,可以應(yīng)用于保密通信。”

在今年4月,這兩款芯片被北京大學(xué)、中科院、中國電子科技集團公司等單位著名專家組成的專家組技術(shù)鑒定為“成果達到了國際先進水平”。高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片近20項綜合性能指標的測試結(jié)果與國際產(chǎn)品及文獻發(fā)表的結(jié)果相比,5項指標接近國際一流水平、7項關(guān)鍵指標達到國際一流水平、7項關(guān)鍵指標優(yōu)于國際上已報道的最好水平。目前,這兩款芯片已獲國家發(fā)明專利授權(quán)2件,申請PCT國際發(fā)明專利1件,未來可廣泛應(yīng)用于5G手機、基站、超高速無線物聯(lián)網(wǎng)、射頻傳感器、衛(wèi)星通信及特種專用高寬帶通信、導(dǎo)航、雷達等系統(tǒng)。

“模型技術(shù)是設(shè)計方面的基礎(chǔ),尤其涉及到某些高端、特種工藝,國際大公司未必會提供最精確的模型。這時產(chǎn)品設(shè)計師就需要自主開發(fā)模型。”黃風(fēng)義團隊于2006年針對射頻芯片中的電感等元件,在國際上開創(chuàng)了特征函數(shù)法用于電感模型參數(shù)提取和結(jié)構(gòu)優(yōu)化,成果發(fā)表在國際集成電路領(lǐng)域權(quán)威期刊《固態(tài)電路雜志》(IEEEJSSC)和微電子領(lǐng)域權(quán)威期刊《電子器件快報》(IEEE EDL),被《科技導(dǎo)報》評選為年度中國重大科學(xué)進展。

黃風(fēng)義介紹高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片

2016年底,黃風(fēng)義團隊在集成電路芯片中應(yīng)用最廣泛的場效應(yīng)晶體管模型研究取得新進展。在深亞微米、超高速晶體管的射頻模型結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)新的溝道效應(yīng),突破了被國際產(chǎn)業(yè)界普遍采用30多年的模型結(jié)構(gòu)中的核心溝道單元。該技術(shù)將應(yīng)用到工藝廠家的設(shè)計手冊。

相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品的成功研發(fā),標志著我國在寬帶、超高速移動通信的高端射頻集成電路芯片設(shè)計技術(shù),以及射頻元件模型技術(shù)這兩個尖端領(lǐng)域,接近國際一流水平。據(jù)悉,公司下一步計劃利用先進的加工工藝,委托中芯國際、臺積電等廠家進行芯片加工,著力推進芯片的產(chǎn)品化,使芯片實現(xiàn)更高性能和更低價格,盡早破解高端射頻芯片被“卡脖子”的局面。

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原文標題:兩款國產(chǎn)射頻TRCV RFIC芯片問世,可支持5G Sub-6GHz

文章出處:【微信號:RF_Semiconductor,微信公眾號:射頻半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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