一般來講，一條內(nèi)存總線的data寬度是64bits，也就是說總線上有64條道，每條道上一次傳送1位數(shù)據(jù)。

DIMM上的每個內(nèi)存顆粒，提供4位、8位或者16位數(shù)據(jù)，來組成這64位數(shù)據(jù)(data word)。提供4位數(shù)據(jù)的芯片記作x4，提供8位數(shù)據(jù)的記作x8（即x4、x8 and x16 Configuration）據(jù)此，要組成一個64位的word就需要16片x4的芯片或者8片x8的芯片（沒有x4和x8的芯片混搭的情況）。所以，一條DIMM上一般至少有8顆內(nèi)存顆粒（x16的用的比較少），排列在DIMM的一面或兩面上。標(biāo)準(zhǔn)的DIMM的每一面有足夠的空間容納第9顆芯片，這第9顆芯片用來存儲4bits或8bits的ECC.

如果1根ECC DIMM的9顆芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（單面）。如果9顆芯片分布在DIMM的兩面，就叫做double-sided（雙面）。

1根 single-sided x8 ECC DIMM，和1根 double-sided x4 ECC DIMM，產(chǎn)生72bits數(shù)據(jù)(64bits data+8 bits ECC)。前者單面8顆芯片，后者雙面，每面8顆共16顆芯片。兩者都只用1個片選信號用來激活DIMM上的所有芯片。相反，1根 double-sided x8 DIMM 要求有2個片選信號來激活DIMM上的芯片來訪問72-bit的block.（總結(jié)得出，1個片選信號對應(yīng)72bits data，這樣才能控制72bit的數(shù)據(jù)齊進(jìn)齊出，對吧）。

作為對single-sided和double-sided的補充，DIMM還被分為single-rank和double-rank（也就是我們在內(nèi)存的lable上經(jīng)常能看到的1R，2R）。內(nèi)存的rank的定義，是指在DIMM上通過一部分或者所有的內(nèi)存顆粒產(chǎn)生的一個64-bit的area或者說block。對ECC DIMM來說，一個內(nèi)存rank有72個數(shù)據(jù)位（64 bits data+8 bits ECC).

1根single-rank ECC DIMM (x4 or x8)為了產(chǎn)生72bits的block要動用到它身上所有的內(nèi)存芯片，這些芯片被同一個片選信號控制。而1根double-rank ECC DIMM可以產(chǎn)生2個block的72bits數(shù)據(jù)，但需要2個片選信號。這兩個片選信號是交錯的，因此兩組芯片（被同一片選信號控制的芯片為1組）不用爭搶內(nèi)存總線。

另外還有quad-rank的DIMM，由4個片選信號控制4組芯片。這4個片選信號也是交錯的。（4R的DIMM一般用在server上面）。（single rank的DIMM與double-rank的DIMM在實際使用中相比較，1R的有優(yōu)點。有些平臺對內(nèi)存的支持，不僅僅在內(nèi)存容量上有限制，還在rank上也有限制。像Intel的E7320和E7520就限制在8 rank.平臺雖然一共有8個內(nèi)存插槽，但是如果用了兩對2GB double-rank的內(nèi)存，就已經(jīng)達(dá)到了8 rank的上限（2對，共4根內(nèi)存，每根有兩個rank)。這時，縱使還有4個內(nèi)存插槽空著，也不能在往上升級，這才只有8GB的內(nèi)存在使用。如果，換成4對2GB single-rank的內(nèi)存，同樣是達(dá)到8 rank的上限，可是內(nèi)存容量卻達(dá)到了16GB。差距還是很大的哦！）

芯片組把每個rank當(dāng)作一個在內(nèi)存總線上的electrical load。對于較慢速度的總線，load的數(shù)量并不對總線纖毫的完整性產(chǎn)生負(fù)面影響。但是對于速度較快的總線來說，比如DDR2-667，芯片組可以驅(qū)動的load是有限的。為了補償，現(xiàn)在的芯片組提供多個內(nèi)存總線。