Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在8mm x 5.3mm QFN封裝中,從而簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。可編程導(dǎo)通壓擺率提供電磁干擾和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比,電流檢測仿真降低了功率損耗,并允許低側(cè)散熱墊連接到冷的PCB電源地。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊.pdf
Texas Instruments LMG3624支持突發(fā)模式運行,具有低靜態(tài)電流、轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和快速啟動時間。保護功能包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱保護。過熱保護通過開漏FLT引腳報告。
特性
- 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET)
- 集成柵極驅(qū)動器,具有低傳播延遲和可調(diào)開啟壓擺率控制功能
- 高帶寬、高精度的電流感應(yīng)仿真
- 逐周期過流保護
- 通過FLT引腳報告實現(xiàn)過熱保護
- AUX靜態(tài)電流:240μA
- AUX待機靜態(tài)電流:50μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
- 8mm × 5.3mm QFN封裝,帶隔熱墊
應(yīng)用
功能框圖
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氮化鎵
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功率級
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開關(guān)模式電源
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