K計劃項目組，7/19線上直播，坐標：天河星總部

主持人--何紅星，K計劃發起人

唐石平--K計劃發起人，右一

嘉賓--黃耀宏，中

個人介紹

黃耀宏，深耕單板硬件領域，2022 年畢業后先入職拓邦，從測試工程師逐步轉向研發，參與過 ST、樂鑫、新唐等品牌 MCU 的單板及主控板設計，涵蓋雙層板、四層工業級 PCB 設計與測試驗證，積累了扎實的硬件電路應用經驗。現任職于中敏半導體，專注于原廠 AFE 芯片硬件驗證設計，對 AFE 在 BMS 領域的應用有深入理解。

技術分享核心內容

1. AFE 芯片原廠視角下，BMS 單板均衡電路均衡電阻的選型要點

從 AFE 芯片設計邏輯出發，均衡電阻選型需兼顧性能、穩定性與安全性，具體注意事項如下：

阻值精準計算與余量設計：阻值直接決定均衡電流，需結合 AFE 芯片內置均衡通道的 MOS 內阻綜合計算。例如目標均衡電流 100mA 時，按均衡開啟電壓 3.6V（公式 R=U/I），理論阻值為 36Ω，但因內置均衡回路會分擔部分電流，實際選型需預留余量，推薦 33Ω。若阻值過小，可能導致芯片發熱過載；過大則均衡速度不足，無法滿足電芯均衡需求。

封裝與功率的匹配：根據功率公式 P=UI（如 3.6V×100mA=0.36W）選擇封裝，需保證功率冗余。以 100mA 均衡電路為例，1206 封裝（額定功率 1/4W）可滿足基礎需求，但建議優先選擇 1210 封裝（更大功率冗余）；若受 PCB 面積限制，可采用多電阻并聯方案，但需平衡布局空間。

高精度保障均衡一致性：均衡電阻精度直接影響電芯電壓采樣精度和均衡穩定性，需選用 1% 或更高精度的電阻，避免因阻值偏差導致各通道均衡效果失衡。

2. BMS 單板設計中需重點關注的電容應用場景

電容選型不當可能引發電路失效，以下場景需特別注意：

AFE 芯片電源濾波電容：以中敏 16 串 AFE 芯片 5816 為例，其內部 LDO 輸出的 VDD50、VDD18、VDD11 等電源軌，是電壓采樣、電流采樣的核心工作電源，需在外部配置 4.7μF 的 X7R 材質貼片電容，耐壓值需≥25V（預留充足冗余），確保電源紋波穩定，避免干擾采樣精度。

總電壓輸入端電容：該位置電容需承受電芯總壓及瞬態反灌電壓，耐壓冗余必須嚴格把控。曾出現實戰案例：模擬 16 串電芯測試時，總壓升至 72V，選用耐壓 85V 的電解電容，斷電瞬間因反灌電壓超出耐壓值，導致電容炸毀，連帶燒毀 AFE 芯片和 MCU。因此，選型時耐壓值需按總壓的 1.5 倍以上設計（如 72V 總壓需≥110V 耐壓）。

3. 硬件工程師視角下的 K 計劃價值

K 計劃作為行業知識共享平臺，對硬件工程師的成長具有重要意義：

共建共享的知識生態：平臺匯聚行業資深工程師與專家的實戰經驗，尤其為 BMS 領域新人提供了快速入門的路徑，可直接獲取原理圖設計、器件選型、失效分析等一線技術細節，減少試錯成本。

助力持續技術提升：硬件技術迭代迅速，K 計劃通過案例拆解、課程分層（如 L3 級深入原理剖析），幫助工程師從 “知其然” 到 “知其所以然”。例如通過掌握電阻、電容的基礎公式（R=U/I、P=UI），可解決 80% 以上的實際問題，夯實技術根基。

開放的交流與成長機會：通過平臺互動，能接觸到不同企業的設計思路（如拓邦、中敏等的工程實踐），拓寬技術視野，助力個人從 “項目執行者” 向 “系統設計者” 轉型。黃耀宏表示，自身也通過 K 計劃學習到工作中未觸及的知識，期待更多工程師參與共建共創。