美芯晟斬獲全球首批Qi2.2.1認(rèn)證！ 2025年6月16日WPC（無(wú)線充電聯(lián)盟）正式啟動(dòng)Qi2.2.1標(biāo)準(zhǔn)后，近日公布了首批通過認(rèn)證的PTx產(chǎn)品，美芯晟MT201模組強(qiáng)勢(shì)入圍，彰顯了公司在無(wú)線充電核心技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，積極推動(dòng)行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)的落地。

Qi2.2標(biāo)準(zhǔn)于2024年提出，最大變化是將無(wú)線充電功率提升至 25W，它依然基于 Qi2 的磁吸對(duì)準(zhǔn)機(jī)制，但在能效和散熱管理上進(jìn)一步加強(qiáng)；同時(shí)，該標(biāo)準(zhǔn)主要面向未來高功率手機(jī)設(shè)備，仍向下兼容 Qi2.0 和 Qi1標(biāo)準(zhǔn)。

美芯晟自主研發(fā)的無(wú)線充電發(fā)射端模組已通過最新的Qi2.2.1認(rèn)證 ，Qi認(rèn)證ID為24250，料號(hào)為MT201，Qi無(wú)線充電功率達(dá)25W（MPP25），內(nèi)置美芯晟一芯多充無(wú)線充電發(fā)射端芯片MT5820，支持BPP、EPP和MPP（5W/15W/25W）三種功率配置。

首批Qi2.2認(rèn)證模組

內(nèi)置芯片MT5820介紹

MT201模塊輸入支持5V/3A、9V/3A、15V/3A 多檔位電壓規(guī)格，兼容主流電源適配器，輸出功率峰值可達(dá) 25W，通過動(dòng)態(tài)功率調(diào)節(jié)技術(shù)，精準(zhǔn)匹配高功率充電需求。模組直徑僅 56.53mm，厚度 8.0mm，采用輕量化材料，在保證結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的同時(shí)，具備優(yōu)異的空間兼容性，可無(wú)縫集成于便攜式充電器、桌面基座等多元場(chǎng)景。內(nèi)置高導(dǎo)磁率磁芯陣列，提供 950gf 穩(wěn)定吸附力，通過Qi標(biāo)準(zhǔn)磁吸對(duì)位技術(shù)，確保充電過程中與設(shè)備的緊密耦合，有效規(guī)避位移導(dǎo)致的功率損耗，保障充電鏈路的持續(xù)穩(wěn)定。

內(nèi)置的MT5820是一款支持MPP 25W的大功率高集成度無(wú)線充電發(fā)射端芯片，采用先進(jìn)的磁感應(yīng)技術(shù)，完全符合最新WPC Qi2.2標(biāo)準(zhǔn)，支持BPP、EPP和MPP（5W/15W/25W）三種功率配置，集成一芯多充功能，最高傳輸功率可達(dá)100W。

MT5820產(chǎn)品特性

輸出功率最高100W

內(nèi)置ARM Cortex M0及64kB MTP, 32kB ROM 和 16kB SRAM

支持BPP/EPP/MPP

內(nèi)置Buck/Boost Controller，三對(duì)N-MOSFET驅(qū)動(dòng)

支持兩通道Q值檢測(cè)

支持解調(diào)動(dòng)態(tài)閾值跟蹤

支持QC 2.0/3.0、USB PD、SCP、FCP、UFCS

支持高邊/低邊電流檢測(cè)

內(nèi)置高速12-bit 100kSPS SAR ADC

QFN48L (6mm×6mm) 封裝

美芯晟率先落地Qi2.2技術(shù)，引領(lǐng)充電設(shè)備邁向高功率無(wú)線充電新時(shí)代。公司無(wú)線充電發(fā)射端芯片MT5820可廣泛應(yīng)用于無(wú)線充電器、磁吸充電寶、車載支架以及一芯多充等領(lǐng)域，為智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、智能家居及工業(yè)設(shè)備等提供高效、安全的無(wú)線充電解決方案。