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實現快速充電?TI帶你領略智能手機的黑科技!

德州儀器 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-05-23 10:34 ? 次閱讀

想了解當下快速充電技術面臨哪些挑戰?想知道TI的快速充電產品技術有哪些優勢?想獲得專業的講解為你的作品提供設計思路?

在2018AETF亞太消費電子技術論壇峰會上,來自TI的BMS中國市場和應用經理——文司華(Simon Wen)進行了主題為“TI 新生代高效充電芯片”的演講,為大家分析了快速充電為系統設計帶來的挑戰,并且講解了TI電源管理解決方案和產品如何助力手機的設計與開發。

快速充電設計面臨挑戰

隨著智能手機性能需求不斷提高,TI也在推陳出“芯“和優化產品,以提供更小的方案尺寸和更優質的用戶體驗。在TI,你將了解到全新酷炫的消費電子技術,以及它們如何助力設計和產品開發。

文司華表示:“想要實現快速充電所要面臨的挑戰是很多的,如何突破傳統適配器輸入功率限制?在許可的終端設備的外殼溫度下,如何最大化充電電流?如何讓充電芯片提升功率轉化效率,降低損耗?如何在快充情況下,保證電池安全及壽命?這些都是我們需要思考并解決的問題”。

01

效率提升為什么是關鍵?

從TI的芯片數據來看,早一代芯片產品是黃色線條,新產品是藍色線條。可以看到,效率差,損耗會更高,如果效率提高2.5%,在同等的熱損要求下,電流提升可以達到27%。即基本上1%的效率提升能夠允許10%的電流提升。提高效率,能較大幅度的提升許可充電電流上限,從而帶來更大的充電設計自由度!

兩代芯片性能對比圖

02

功率損耗和充電IC

從手機系統設計的層面看,高效率的DCDC降壓芯片(亦即目前充電芯片的主流構架)通常要求采用更大的電感以實現更小的損耗,但是在手機設計中,容許的空間是有限的,所以有時不得不犧牲效率并限制最大電流來減少電感體積。另外,許可的充電熱損取決于手機的具體設計目標,一般選擇在0.7~0.9W之間。在此前提下,依據效率和電流要求篩選充電芯片, 而且往往是先有一個基本充電電流的目標,再選取合適的充電芯片。單顆芯片功率不夠的情況下,可能會考慮雙充電芯片并行的構架。

功率損耗和充電IC

快速充電為我們帶來設計上的難度,依靠超高效率、小尺寸、高功率密度的新 Chargerbq25910可以突破這些挑戰,實現半小時內充電70%的飛躍!

bq25910給你驚喜連連

bq25910特點及優勢

?并聯充電器可在雙充電器配置下提供快速充電

? 高效的 750kHz 開關模式三級降壓并聯充電器

? 單個輸入,支持 USB 輸入和可調高壓適配器

? 靈活的 I 2 C 模式,可實現最優系統性能

? 高集成度,包括所有 MOSFET電流檢測和環路補償

? 待機模式下具有小于 10μA 的低電池泄漏電流

? 高精度

? 安全

? 采用 36 焊球 WCSP 封裝

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原文標題:想知道實現快速充電的奧秘?TI來告訴你!

文章出處:【微信號:tisemi,微信公眾號:德州儀器】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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