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DRAM代際交替中的技術(shù)賦能:德明利新一代高性能內(nèi)存方案

德明利 ? 2025-07-09 11:11 ? 次閱讀
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DRAM內(nèi)存市場“代際交接”關(guān)鍵時刻

2025年P(guān)C及服務(wù)器市場中,DDR4的滲透率約為20%-30%,而DDR5的滲透率約為70%-80%(TrendForce集邦咨詢)。在AI算力爆發(fā)和先進制程升級推動下,DDR4減產(chǎn)與DDR5產(chǎn)能升級的窗口期疊加,行業(yè)正面臨結(jié)構(gòu)性變革。在轉(zhuǎn)型期存儲廠商需平衡新舊技術(shù)銜接:既要保障存量設(shè)備穩(wěn)定運行,又要加速DRAM新架構(gòu)產(chǎn)能落地。

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數(shù)據(jù)來源:YOLE


穩(wěn)健應(yīng)對

新一輪行業(yè)發(fā)展周期

德明利通過DDR4供應(yīng)保障與DDR5全流程驗證能力,動態(tài)調(diào)配產(chǎn)能與強化場景技術(shù)適配能力,積極面對AI需求迭代與產(chǎn)業(yè)周期波動。

一、供應(yīng)鏈穩(wěn)定保障

從傳統(tǒng)DRAM向新一代產(chǎn)品的迭代

隨著端側(cè)AI應(yīng)用普及,高效推理及開源策略加速AGI技術(shù)下沉到邊緣計算,智能終端對內(nèi)存的帶寬與能效管理提出更具體要求。當前DRAM市場仍以DDR4存量設(shè)備為主流,但隨著IntelAMD等平臺轉(zhuǎn)向DDR5標準,新一代內(nèi)存技術(shù)迎來發(fā)展契機。

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1、穩(wěn)定保障DDR4內(nèi)存穩(wěn)定供應(yīng)

通過優(yōu)化生產(chǎn)計劃與庫存管理,確保DDR4內(nèi)存模塊的穩(wěn)定供應(yīng),同時提供全國產(chǎn)化替代方案,減少客戶因庫存短缺或積壓帶來的風險;

2、靈活調(diào)整推出全新產(chǎn)品線

推出DDR5和LPDDR5/5X產(chǎn)品線,通過靈活調(diào)配資源,滿足工業(yè)、消費電子細分市場的差異化需求,降低客戶切換過程中供應(yīng)鏈波動風險。


二、柔性產(chǎn)能布局,AI終端升級中的內(nèi)存兼容性與可靠性

AI算力增長推動DRAM場景需求變革,未來AI PC入門級標配將提升至32GB以上內(nèi)存。然而新架構(gòu)也面臨如下問題:

DDR5架構(gòu)革新需提升雙通道帶寬、動態(tài)電壓調(diào)節(jié)等特性,與終端硬件匹配存在兼容性問題。

LPDDR5/5X在移動設(shè)備中需適配完善高可靠、成熟的測試方案。

01全流程驗證能力

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德明利提供從晶圓到模組的定制化驗證服務(wù),包括兼容性測試、功耗優(yōu)化及性能調(diào)校,縮短客戶的技術(shù)升級周期。例如,其DDR5內(nèi)存條通過一鍵超頻技術(shù)實現(xiàn)頻率突破至10000+Mbps,同時動態(tài)電壓調(diào)節(jié)技術(shù)使功耗降低20%,確保產(chǎn)品在復雜場景中的穩(wěn)定性。

02場景化技術(shù)適配

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1、針對AI PC、智能穿戴設(shè)備,德明利通過行業(yè)主流ATE機臺、SLT-Test測試系統(tǒng)等先進設(shè)備,實現(xiàn)系統(tǒng)級測試的靈活性與高兼容性,覆蓋高密度模組散熱管理、低功耗場景能效優(yōu)化等需求。

2、德明利還通過全生命周期品質(zhì)保障,確保產(chǎn)品特性與場景需求的動態(tài)匹配。

在內(nèi)存代際交替的關(guān)鍵階段

存儲技術(shù)通過架構(gòu)革新支撐數(shù)據(jù)價值的深度釋放

德明利持續(xù)構(gòu)建與算力匹配的先進存力

推動新一代內(nèi)存的性能潛力轉(zhuǎn)化為場景價值

以靈活的供應(yīng)鏈與全面的技術(shù)服務(wù)

成為行業(yè)轉(zhuǎn)型的可靠伙伴

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