電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著汽車電動(dòng)化的演進(jìn)，BCD工藝在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域正在變得越來(lái)越關(guān)鍵。

BCD即Bipolar-CMOS-DMOS，顧名思義這種工藝是將雙極晶體管（Bipolar）、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）、雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（DMOS）三種器件集成在同一芯片上。結(jié)合雙極晶體管的高驅(qū)動(dòng)能力、CMOS的高集成度與低功耗，以及DMOS的高壓大電流特性，能夠降低芯片面積，提高性能。

BCD工藝由意法半導(dǎo)體于1985年首次推出，當(dāng)時(shí)的工藝節(jié)點(diǎn)為4微米，電壓能力為20V。主要為了滿足電子應(yīng)用中對(duì)高性能模擬、電源管理和高電壓能力的需求。到2010年，工藝節(jié)點(diǎn)達(dá)到0.11微米，電壓能力擴(kuò)展到1200V，滿足高壓應(yīng)用需求。目前意法半導(dǎo)體已經(jīng)推出90nm，集成eNVM存儲(chǔ)器，支持3D堆疊技術(shù)的BCD工藝。

另外還有更多的廠商正在推動(dòng)BCD工藝的發(fā)展，比如芯聯(lián)集成的 BCD+SOI 技術(shù)通過深溝槽隔離消除閂鎖效應(yīng)，在新能源逆變器中實(shí)現(xiàn) 1200V 耐壓與 10MHz 高頻驅(qū)動(dòng)，較傳統(tǒng)方案體積縮小 60%。

在BCD工藝的發(fā)展過程中，除了eNVM的加入，還引入了一些無(wú)源器件，包括高精度電阻、電容和電感等，持續(xù)提升模擬電路的性能。DMOS結(jié)構(gòu)也進(jìn)行了多次改進(jìn)迭代，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，從而提高功率轉(zhuǎn)換效率。

另外，SOI技術(shù)也正在更多地與BCD工藝結(jié)合，BCD-SOI通過深溝槽隔離（DTI）提升抗干擾能力，適用于高可靠性場(chǎng)景。

因此，從集成高電壓、大電流、高級(jí)程度、高驅(qū)動(dòng)能力等特性來(lái)看，BCD工藝與汽車電動(dòng)化需求尤為契合。實(shí)際上在傳統(tǒng)的燃油車上，BCD工藝就被用于ECU中的功率驅(qū)動(dòng)和信號(hào)處理部分，支持燃油噴射、點(diǎn)火時(shí)機(jī)等功能，能夠處理發(fā)動(dòng)機(jī)運(yùn)行所需的高電壓和大電流需求。

以及在變速箱控制單元中，BCD工藝用于驅(qū)動(dòng)變速器中的電磁閥和執(zhí)行器芯片，負(fù)責(zé)管理自動(dòng)變速器的換擋邏輯，提供高電壓和大電流的支持。

在電動(dòng)汽車中，BMS是電池系統(tǒng)的核心之一，BCD工藝應(yīng)用于BMS芯片，處理電池組的高電壓和大電流需求，監(jiān)控和管理電池狀態(tài)。

OBC車載充電機(jī)上主要功能是交直流轉(zhuǎn)換，同樣需要高電壓、大電流的轉(zhuǎn)換和控制，OBC上的功率驅(qū)動(dòng)芯片、PMIC等都會(huì)用到BCD工藝。

未來(lái)隨著汽車電動(dòng)化的趨勢(shì)，BCD工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)一步縮小，將支持更高的電壓和更大的電流，滿足未來(lái)高壓應(yīng)用的需求。為了提高集成度，BCD工業(yè)也將集成更多的功能，如傳感器接口、通信模塊和智能控制單元，實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別的系統(tǒng)集成，尤其在汽車電子和工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域。

BCD 工藝憑借其高壓集成、低功耗與高可靠性，已成為汽車芯片的核心制造技術(shù)。隨著 800V 高壓平臺(tái)、智能底盤等新技術(shù)的普及，BCD 工藝將在車規(guī)級(jí)功率器件、嵌入式存儲(chǔ)與多域控制器領(lǐng)域持續(xù)突破，推動(dòng)汽車電子向更高集成度、更低成本方向發(fā)展。