Texas Instruments BOOSTXL-LMG2100-MD功率級評估模塊 (EVM) 采用具有基于分流器的精密直插式相電流檢測功能的GaN逆變器,可精確控制伺服驅動器等精密驅動器。為了輕松評估性能,Texas Instruments BOOSTXL-LMG2100-MD包含一個TI BoosterPack? 兼容接口,用于連接C2000? MCU LaunchPad? 開發套件。
數據手冊:*附件:Texas Instruments BOOSTXL-LMG2100-MD功率級評估模塊數據手冊.pdf
特性
- 寬輸入電壓范圍:12V至60V
- 兼容 [LMG2100R044]和GaN半橋功率級簡化了PCB布局,降低了寄生電感,從而優化開關性能
- 與MOS解決方案相比,TI GaN尺寸減小超過50%
- 精密直列式相電流檢測,帶1m?分流器(適用于±33A的理論滿量程范圍)
- 該板在無散熱器的條件下運行電流高達15.6A_RMS(LMG2100R044)或24A_RMS(LMG2100R026),也可使用散熱器
- TI BoosterPack兼容型接口具有3.3V I/O,便于使用C2000 MCU LaunchPad開發套件進行性能評估
應用
套件內容
- BOOSTXL-LMG2100-MD電機驅動板
- 不含散熱器
- 不含控制板
框圖
板布局
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
逆變器
+關注
關注
293文章
4905瀏覽量
210963 -
評估模塊
+關注
關注
0文章
1086瀏覽量
8011 -
EVM
+關注
關注
3文章
941瀏覽量
42137
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數據手冊
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm

Texas Instruments LM74680EVM評估模塊數據手冊
Texas Instruments LM74680EVM評估模塊的配置用于評估LM74680理想二極管橋控制器(采用12引腳DRR封裝)的運

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數據手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵(GaN)場效應晶體管。93V連續

Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊數據手冊
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊 (EVM) 設計用于提供一個快速簡便的

Texas Instruments LMG2100EVM-097 評估模塊(EVM)數據手冊
Texas Instruments LMG2100EVM-097評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的

Texas Instruments LM25148B-Q1EVM2100 評估模塊(EVM)數據手冊
Texas Instruments LM25148B-Q1EVM2100評估模塊 (EVM) 設計用于使用5.5V至36V穩壓或非穩壓高壓輸

Texas Instruments LM644A2QEVM-S2100T 評估模塊(EVM)數據手冊
Texas Instruments LM644A2QEVM-S2100T評估模塊 (EVM) 用于演示LM644A2-Q1雙通道降壓直流/直

評論