引言

在芯片制造過程中，光刻膠剝離是關鍵環節，而傳統剝離液易對芯片金屬層造成腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量對芯片制造工藝的優化至關重要。本文將介紹高效緩蝕芯片光刻膠剝離液，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。

高效緩蝕芯片光刻膠剝離液

配方設計

高效緩蝕芯片光刻膠剝離液由有機溶劑、堿性活化劑、緩蝕劑體系和表面活性劑組成。有機溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負責溶解光刻膠；堿性活化劑（如四甲基氫氧化銨）加速光刻膠分解。緩蝕劑體系是核心，采用復合緩蝕劑，包含有機緩蝕劑（如苯并三氮唑）和無機緩蝕劑（如鉬酸鹽），有機緩蝕劑通過化學吸附在金屬表面形成保護膜，無機緩蝕劑則參與成膜過程，兩者協同作用，顯著提升緩蝕效果。表面活性劑降低表面張力，增強剝離液對光刻膠的滲透能力 。

制備工藝

在潔凈的反應容器中，先加入定量有機溶劑，啟動攪拌裝置。緩慢加入堿性活化劑，攪拌至完全溶解。接著依次加入有機緩蝕劑、無機緩蝕劑和表面活性劑，持續攪拌 45 - 60 分鐘，使各成分充分混合均勻。制備過程需嚴格控制溫度在 20 - 30℃，避免高溫導致緩蝕劑失效或成分分解，確保剝離液性能穩定。

應用優勢

在芯片制造工藝中，該剝離液展現出高效性能。對于銅互連結構的芯片，在去除光刻膠時，能將銅腐蝕速率控制在極低水平，相比傳統剝離液，銅腐蝕量減少 80% 以上，有效保障芯片電路的完整性和電學性能。同時，剝離效率高，可在較短時間內完全去除光刻膠，提升芯片制造的生產效率。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉現象，通過對比參考光束與光刻圖形表面反射光束的光程差，將光強分布轉化為表面高度信息。由于白光包含多種波長，僅在光程差為零的位置形成清晰干涉條紋，從而實現納米級精度的光刻圖形形貌測量，能夠精準捕捉光刻圖形的微小結構變化。

測量過程

將光刻工藝后的芯片樣品放置于白光干涉儀載物臺上，利用顯微鏡初步定位測量區域。調節干涉儀光路參數，獲取清晰干涉條紋圖像。通過專業軟件對圖像進行相位解包裹等處理，精確計算出光刻圖形的深度、寬度、側壁角度等關鍵參數，為芯片光刻工藝優化提供準確數據支持。

優勢

白光干涉儀采用非接觸式測量，避免對脆弱的光刻圖形造成物理損傷；具備快速測量能力，可實現對芯片光刻圖形的批量檢測，適應芯片生產線的高效檢測需求；其三維表面形貌可視化功能，能直觀呈現光刻圖形的質量狀況，便于工程師及時發現光刻圖形的缺陷，快速調整光刻工藝參數 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇