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LMR14020-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、2A、2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-06-20 13:53 ? 次閱讀

LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩壓器,集成了高壓MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源電源調節。擴展系列提供 3.5A 和 5A 選項,采用引腳對引腳兼容封裝,包括 LMR14030-Q1 和 LMR14050-Q1。穩壓器在休眠模式下的靜態電流為 40μA,專為電池供電系統而設計。在停機模式下,1μA 的超低電流可以進一步延長電池壽命。寬可調開關頻率范圍允許優化效率或外部元件尺寸。內部環路補償意味著用戶無需承擔繁瑣的環路補償設計任務。這種內部環路補償還最大限度地減少了器件的外部元件。一個精準的使能輸入可簡化穩壓器控制和系統電源排序。該器件還具有內置保護功能,例如逐周期電流限制、熱感應和因功率耗散過大而導致的關斷,以及輸出過壓保護。

LMR14020-Q1 采用 8 引腳 HSOIC 或 10 引腳 WSON 封裝,帶有外露焊盤以實現低熱阻。
*附件:lmr14020-q1.pdf

特性

  • 適用于汽車應用
  • 符合 AEC-Q100 標準,結果如下:
    • 器件溫度等級 1:-40 °C 至 125 °C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 H1C
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4A
  • 4V 至 40V 輸入范圍
  • 2A 連續輸出電流
  • 40μA 超低工作靜態電流
  • 90mΩ 高側 MOSFET
  • 75ns 最小接通時間
  • 電流模式控制
  • 可調開關頻率從 200kHz 到 2.5MHz
  • 與外部時鐘的頻率同步
  • 用于降低 EMI 的擴頻選項
  • 固定 5V 輸出選項
  • 內部補償,易于使用
  • 支持高占空比作
  • 精確使能輸入
  • 1μA 關斷電流
  • 外部軟啟動
  • 熱保護、過壓保護和短路保護

參數
image.png

方框圖
image.png

產品概述

  • 類型 :40V、2A 汽車級降壓轉換器,屬于 SIMPLE SWITCHER? 系列。
  • 特點 :集成 90mΩ 高端 MOSFET,靜態工作電流低至 40μA,關斷電流 1μA,支持寬輸入電壓范圍 4V 至 40V,可調開關頻率 200kHz 至 2.5MHz,具備頻率同步和擴頻選項以降低 EMI,有固定 5V 輸出選項,內部補償簡化設計,支持高占空比工作,擁有精密使能輸入、外部軟啟動功能,以及熱、過壓和短路保護等。

主要特性

  • 汽車應用認證 :符合 AEC-Q100 標準,器件溫度等級 1(-40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍),HBM ESD 分類等級 H1C,CDM ESD 分類等級 C4A。
  • 電氣特性 :輸入電壓 4V 至 40V,連續輸出電流 2A,高端 MOSFET 導通電阻 90mΩ(典型值),最小導通時間 75ns,采用電流模式控制,支持外部時鐘同步,擴頻選項可降低 EMI,固定 5V 輸出選項,內部補償,精密使能輸入,1μA 關斷電流,外部軟啟動,熱、過壓和短路保護。

應用領域

  • 汽車電池調節、工業電源、電信和數據通信系統、通用寬輸入電壓調節。

詳細描述

  • 功能概述 :LMR14020-Q1 是一款易于使用的降壓 DC/DC 轉換器,工作電壓為 4.0V 至 40V,集成 90mΩ(典型值)高端 MOSFET,能夠在非常小的設計尺寸下提供高達 2A 的直流負載電流,具有出色的效率和熱性能。在無負載條件下(不切換),工作電流通常為 40μA,禁用時,電源電流通常為 1μA。
  • 控制模式 :采用固定頻率峰值電流模式控制,在輕負載時進入睡眠模式以實現高效率,內部補償減少了設計時間,并且需要的外部組件更少,開關頻率可通過外部電阻 RT 從 200kHz 編程到 2.5MHz,也能夠在 250kHz 至 2.3MHz 的頻率范圍內與外部時鐘同步。
  • 保護功能 :包括過溫關斷、輸出過壓保護(OVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制和帶頻率折返的短路保護。
  • 其他功能 :精密使能、可調軟啟動時間、通過 BOOT 電容充電電路實現約 97% 的占空比等。

規格參數

  • 絕對最大額定值 :輸入電壓 VIN、EN 至 GND 為 - 0.3V 至 44V,BOOT 至 GND 為 - 0.3V 至 49V,SS 至 GND 為 - 0.3V 至 5V,FB 至 GND(DPR 封裝)為 - 0.3V 至 7V,FB 至 GND(DDA 封裝)為 - 0.3V 至 5.5V,RT/SYNC 至 GND 為 - 0.3V 至 3.6V,PGOOD 至 GND 為 - 0.3V 至 7V,輸出電壓 BOOT 至 SW(DPR 封裝)為 6.5V,BOOT 至 SW(DDA 封裝)為 5.5V,SW 至 GND 為 - 3V 至 44V,結溫 T J 為 - 40°C 至 150°C,存儲溫度 T stg 為 - 65°C 至 150°C。
  • ESD 評級 :人體模型(HBM)±2000V,充電設備模型(CDM)±750V。
  • 推薦工作條件 :降壓調節器 VIN 為 4V 至 40V,VOUT 為 0.8V 至 28V,BOOT 為 45V,SW 為 - 1V 至 40V,FB 為 0V 至 5V,控制 EN 為 0V 至 40V,RT/SYNC 為 0V 至 3.3V,SS 為 0V 至 3V,PGOOD 至 GND 為 0V 至 5V,開關頻率范圍在 RT 模式下為 200kHz 至 2500kHz,在 SYNC 模式下為 250kHz 至 2300kHz,工作結溫 T J 為 - 40°C 至 125°C。

封裝與訂購信息

  • 封裝類型 :有 8 引腳 HSOIC(DDA)和 10 引腳 WSON(DPR)兩種封裝,均帶有外露焊盤以降低熱阻。
  • 訂購部件號 :如 LMR14020SQDDARQ1、LMR14020SSQDDARQ1(擴頻)、LMR14020SSQ5DDARQ1(擴頻,固定 5V 輸出)、LMR14020QDPRRQ1、LMR14020SQDPRRQ1(擴頻)等。

應用與實現

  • 設計流程 :包括輸出電壓設定、開關頻率選擇、輸出電感和電容選型、肖特基二極管選擇、輸入電容和自舉電容選擇、軟啟動電容選擇等。
  • 布局指南 :反饋網絡電阻需靠近 FB 引腳,輸入旁路電容需盡可能靠近 VIN 引腳和地,電感需靠近 SW 引腳,輸出電容需靠近 L 和二極管 D 的 junction,二極管、CIN 和 COUT 的接地連接需盡可能小,且僅在一點連接到系統接地平面。
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